動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 20:14
F657-4450-8F C波段內(nèi)部匹配FET
產(chǎn)品型號(hào)：F657-4450-8F 廠(chǎng)家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：F657-4450-8F 名稱(chēng)：IMFET GaAs 砷化鎵IMFET180瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:59
SMC2933L6012R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤(pán)放大器
產(chǎn)品型號(hào)：SMC2933L6012R 廠(chǎng)家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SMC2933L6012R 名稱(chēng)：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管147瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:52
SMC2933L1512R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤(pán)放大器
產(chǎn)品型號(hào)：SMC2933L1512R 廠(chǎng)家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SMC2933L1512R 名稱(chēng)：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管111瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:42
SGCA100M1H DC-4GHz高功率GaN HEMT
產(chǎn)品型號(hào)：SGCA100M1H 廠(chǎng)家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGCA100M1H 名稱(chēng)：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管169瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:32
SG38K30S-D 高壓塑料模GaN HEMT
產(chǎn)品型號(hào)：SG38K30S-D 廠(chǎng)家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SG38K30S-D 名稱(chēng)：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管140瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:25
SG38K30S-DT 高壓塑料模GaN HEMT
產(chǎn)品型號(hào)：SG38K30S-DT 廠(chǎng)家： Sumitomo Electric Device Inno 型號(hào)：SG38K30S-DT 名稱(chēng)：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管147瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:19
SG38K30S-DT1 高壓塑料模GaN HEMT
產(chǎn)品型號(hào)：SG38K30S-DT1 廠(chǎng)家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SG38K30S-DT1 名稱(chēng)：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管229瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 19:09
F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT
產(chǎn)品型號(hào)：F658-H130M1H 廠(chǎng)家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：F658-H130M1H 名稱(chēng)：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管247瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 13:11
F658-E030MK 高壓-大功率GaN HEMT
產(chǎn)品型號(hào)：F658-E030MK 廠(chǎng)家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： F658-E030MK 名稱(chēng)： GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管190瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-05 13:04
F658-E070MK 高壓-大功率GaN HEMT
產(chǎn)品型號(hào)：F658-E070MK 廠(chǎng)家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：F658-E070MK 名稱(chēng)：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管168瀏覽量
