SMC2933L6012R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器

GaN HEMT

型號(hào)： SMC2933L6012R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) SMC2933L6012R
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT托盤放大器SMC2933L6012R提供高功率，高效、易于匹配和更大的一致性，覆蓋2.9至3.3GHz，適用于50V操作和脈沖的S波段脈沖應(yīng)用高達(dá)300usec脈沖寬度的條件和高達(dá)10%的占空比。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) SMC2933L6012R
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

型號(hào)參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：700W（典型值）@引腳=31.6W（45dBm）
高效率：50%（典型值）@引腳=31.6W（45dBm）
功率增益：13.5dB（典型值）
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆

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