動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-23 16:32

  AI必爭的磷化銦晶圓，怎么做好精密劃切

  

  爆發(fā)式增長全球光電子產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，光通信、激光雷達、太赫茲通信等領域?qū)α谆煹男枨蟪尸F(xiàn)爆發(fā)式增長。磷化銦在光模塊器件中占據(jù)了80%的市場份額。近年隨著AI算力需求爆發(fā)，數(shù)據(jù)中心互聯(lián)從400G快速升級至800G，并向1.6T演進。核心變化在于單波速率由100G到200G，功耗約束增強、光源性能要求提升，這也直接推動高性能磷化銦光芯片需求爆發(fā)。磷化銦晶圓應用全景

  AI 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-12-24 10:23

  六邊形戰(zhàn)士——氮化鎵

  

  產(chǎn)品應用多面性氮化鎵是半導體領域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵器件難以匹敵，打破這二者功率密度偏低的固有局限，在5G/6G通信、國防安全、衛(wèi)星導航、工業(yè)制造等關鍵領域掀起技術革命，成為支撐高端產(chǎn)業(yè)升級的核心基石。射頻領域這個領

  半導體 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 17:35

  MEMS知多少

  

  了解概念MEMS全稱Micro-Electro-MechanicalSystem，即微機電系統(tǒng)。MEMS與IC的不同加工對象不同MEMS主要針對微機電系統(tǒng)進行加工制造，對象涵蓋微傳感器、微執(zhí)行器等，例如微加速度計、微陀螺儀，注重機械結(jié)構與電子電路的集成，實現(xiàn)微型化的機械運動和傳感功能。IC聚焦于半導體材料（如硅等）來制造集成電路，像CPU、存儲芯片等，核心是

  mems 半導體 微機電系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2025-10-11 16:39

  TSV和TGV產(chǎn)品在切割上的不同難點

  

  技術區(qū)別TSV硅通孔（ThroughSiliconVia），指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構。硅中介層有TSV的集成是最常見的一種2.5D集成技術，芯片通常通過MicroBump和中介層相連接，作為中介層的硅基板采用Bump和基板相連，硅基板表面通過RDL布線，TSV作為硅基板上下表面電氣連接的通道。這種2.5D集成適合芯片規(guī)模比較大，引

  TSV 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-08-18 17:32

  誠邀蒞臨 | 西斯特科技與您相約2025 SEMI-e深圳，見證“芯”“光”璀璨！

  

  2025年9月10-12日，SEMI-e深圳國際半導體展與CIOE中國光博會雙展同期同地舉辦，打造“半導體+光電”的產(chǎn)業(yè)協(xié)同。在半導體與光電產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，西斯特科技在此誠邀各位新老朋友撥冗蒞臨，共同探索傳統(tǒng)封裝與先進封裝的傳承與迭代！SEMI-e深圳國際半導體展，覆蓋了終端應用、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、設備材料、EDA/IP等全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)環(huán)節(jié)。

  半導體 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-07-15 15:00

  碳化硅晶圓特性及切割要點

  

  01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥10^5Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，另一類是低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。02

  半導體材料 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-11 17:20

  晶圓劃切過程中怎么測高？

  

  01為什么要測高晶圓劃片機是半導體封裝加工技術領域內(nèi)重要的加工設備，目前市場上使用較多的是金剛石刀片劃片機，劃片機上高速旋轉(zhuǎn)的金剛石劃片刀在使用過程中會不斷磨損，如果劃片刀高度不調(diào)整，在工件上的切割深度會逐漸變淺。為了保證測量結(jié)果的精準，需要對劃片刀的磨損程度進行在線檢測，根據(jù)劃片刀磨損量調(diào)整主軸相對工作臺的高度，因此市面上的晶圓劃片機均需要設置用于對劃片刀

  劃片機 半導體封裝 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-05-16 16:58

  減薄對后續(xù)晶圓劃切的影響

  

  前言在半導體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復雜工藝的順利進行，直至芯片前制程完成后，晶圓才會進入封裝環(huán)節(jié)進行減薄處理。晶圓為什么要減薄封裝階段對晶圓進行減薄主要基于多重考量。從劃片工藝角度，較厚晶圓硬度較高，在傳統(tǒng)機械切割時易出現(xiàn)劃片不均、

  半導體制造 封裝 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-04-23 10:44

  法拉第材料特性及切割要點

  

  法拉第效應在磁場作用下，光通過某些晶體時偏振面會發(fā)生旋轉(zhuǎn)的現(xiàn)象，這就是法拉第效應。由具有顯著法拉第效應的晶體材料制作而成的法拉第芯片也被稱為法拉第旋轉(zhuǎn)片，是生產(chǎn)光隔離器的關鍵部件。光隔離器在光通信系統(tǒng)中主要起到確保光線沿指定方向傳輸，避免反射的作用。在各類光模塊，光發(fā)射系統(tǒng)，光纖激光器中，光隔離器扮演著重要作用。除了隔離器還有光環(huán)行器也是基于法拉第旋光效應的

  材料 法拉第

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• 發(fā)布了文章 2025-03-10 18:00

  熱烈祝賀西斯特科技榮膺市場表現(xiàn)獎！

  

  在剛剛落幕的深圳市集成電路產(chǎn)業(yè)總結(jié)大會暨深圳市半導體行業(yè)協(xié)會第八屆第二次會員大會上，深圳西斯特科技有限公司憑借卓越的市場表現(xiàn)與創(chuàng)新力，榮獲市場表現(xiàn)獎！這一榮譽不僅是對公司深耕行業(yè)、勇攀高峰的嘉獎，更標志著西斯特科技在資本助力下，邁入高質(zhì)量發(fā)展的全新階段！數(shù)據(jù)顯示，截至2024年底，深圳市集成電路企業(yè)總數(shù)達727家，同比增長11.2%。2024年產(chǎn)業(yè)總營收預計

  半導體 國產(chǎn)芯片 集成電路

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