動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-06 17:05

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強(qiáng)，

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2025-01-03 17:31

  應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN™功率晶體管的PCB布局

  

  作為寬禁帶半導(dǎo)體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而，GaN器件的高速開關(guān)行為也對PCB布局設(shè)計(jì)提出了巨大挑戰(zhàn)。因此想要充分發(fā)揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產(chǎn)生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運(yùn)行，并且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）。《優(yōu)化HVCoolGaN功率晶體管的PCB布局》應(yīng)用指南，

  GaN pcb PCB 功率晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-01-02 17:41

  新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模塊

  

  3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進(jìn)，以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用（如中壓傳動(dòng)或HVDC）當(dāng)前和未來的要求。其最新推出的產(chǎn)品組合類型是經(jīng)過優(yōu)化的IGBT和二極管比率，F(xiàn)Z1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A3.3kV單開關(guān)。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發(fā)射極可控EC

  IGBT 二極管

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• 發(fā)布了文章 2024-12-31 17:06

  2024年度盤點(diǎn)：創(chuàng)新賦能，銳意前行

  

  2024年，面對充滿挑戰(zhàn)且不確定的市場環(huán)境，英飛凌始終秉持創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)先的原則，不斷突破技術(shù)與產(chǎn)品性能的邊界，接連推出了多款重量級產(chǎn)品。今日，小編帶你一起盤點(diǎn)2024年的高光時(shí)刻。全新2000VCoolSiCMOSFET和二極管，業(yè)界首發(fā)作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiCMOSFET2000V采用TO-247P

  MOSFET 二極管 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-12-30 19:33

  2024年度盤點(diǎn)：步履不停，載譽(yù)前行

  

  在充滿挑戰(zhàn)和不確定的2024年，英飛凌始終堅(jiān)守以客戶為中心的核心價(jià)值觀，將滿足客戶需求作為企業(yè)發(fā)展的根本動(dòng)力。這一年，英飛凌憑借創(chuàng)新的技術(shù)實(shí)力、可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，專業(yè)的客戶支持，以及穩(wěn)健的運(yùn)營管理，贏得了客戶的認(rèn)可與贊譽(yù)。今日，小編帶你一起盤點(diǎn)2024年的榮耀時(shí)刻。維諦技術(shù)：最佳產(chǎn)品質(zhì)量獎(jiǎng)特變電工：金牌戰(zhàn)略合作伙伴獎(jiǎng)株洲中車時(shí)代電氣:技術(shù)協(xié)作獎(jiǎng)施耐德電氣:最佳

  施耐德電氣 特變電工 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 17:07

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半橋模塊

  

  新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半橋模塊XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成體二極管、XHP2封裝，采用.XT互聯(lián)技術(shù)。產(chǎn)品型號：■FF2000UXTR33T2M1■FF2600UXTR33T2M1■FF4000UXTR33T2M1產(chǎn)品特點(diǎn)Inom大損耗低高開關(guān)頻率體積小.XT連接技術(shù)I2t浪涌電流穩(wěn)健性應(yīng)用價(jià)值能源效率高功率密度

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 17:06

  英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

  

  2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動(dòng)社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟(jì)社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲能等其他應(yīng)用市場多點(diǎn)開花？在日前舉辦的年度碳

  碳化硅 能源 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-12-25 17:30

  白皮書導(dǎo)讀 | 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件

  

  樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情近年來，電動(dòng)汽車的興起帶動(dòng)了寬禁帶器件的應(yīng)用，并逐漸滲透到各個(gè)市場。目前，工業(yè)電機(jī)主要使用逆變器來提高能效等級，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)時(shí)存在一些限制，如總體損耗較高、開關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起，寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機(jī)的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能?！峨姍C(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

  電動(dòng)汽車 電機(jī) 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2024-12-23 17:31

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

  

  樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章《功率半導(dǎo)體殼溫和

  函數(shù) 功率器件 熱設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2024-12-20 17:04

  新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET

  

  750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅(jiān)固的SiCMOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和堅(jiān)固性方面都具有優(yōu)勢，并具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提高了成本效益，實(shí)現(xiàn)了最高的效率和功率

  MOSFET SiC 英飛凌

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