2024年，面對充滿挑戰(zhàn)且不確定的市場環(huán)境，英飛凌始終秉持創(chuàng)新驅(qū)動技術(shù)領(lǐng)先的原則，不斷突破技術(shù)與產(chǎn)品性能的邊界，接連推出了多款重量級產(chǎn)品。今日，小編帶你一起盤點2024年的高光時刻。

全新2000V CoolSiC MOSFET和二極管，

業(yè)界首發(fā)

作為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiC MOSFET 2000V采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統(tǒng)。與1700V SiC MOSFET相比，這些器件還能為1500 VDC系統(tǒng)的過壓提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基準柵極閾值電壓為4.5V，并且配備了堅固的體二極管來實現(xiàn)硬換向。憑借.XT連接技術(shù)，這些器件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。該系列得益于其較低的開關(guān)損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統(tǒng)和電動汽車充電應用。最新推出的采用TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC肖特基二極管2000V G5系列與其完美適配。目前，該系列產(chǎn)品以及相應的評估板均已上市。

新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2，

達到業(yè)界單芯片最大功率密度

英飛凌全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V G2技術(shù)，在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，相較于上一代產(chǎn)品，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）優(yōu)化了20%，進一步提升了整體能效。采用的.XT技術(shù)將芯片的瞬態(tài)熱阻降低了25%甚至更高。與傳統(tǒng)的鍵合技術(shù)相比，.XT技術(shù)不僅使芯片性能提升了15%，還將其使用壽命延長了80%。CoolSiC MOSFET G2的最大工作結(jié)溫從175攝氏度提升到200攝氏度，這一改進進一步增強了產(chǎn)品的堅固耐用性，并為用戶提供了更大的設計靈活性，使在過載條件下的開發(fā)設計成為可能。

最新推出的1200V CoolSiC MOSFET G2 TO-263-7封裝以及TO-247-4-HC封裝，分別實現(xiàn)了7毫歐和8毫歐的超低導通電阻，達到業(yè)界單芯片最大功率密度的領(lǐng)先水平。在達到最高功率密度和最低導通電阻的同時，CoolSiC MOSFET G2還保證2uS的短路耐受時間。CoolSiC MOSFE新一代G2技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率，為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅(qū)動和工業(yè)電源等功率半導體應用領(lǐng)域的客戶帶來了巨大優(yōu)勢。

高性能CIPOS Maxi智能功率模塊，

適用于功率高達4千瓦的工業(yè)電機驅(qū)動器

高性能CIPOS Maxi智能功率模塊IM12BxxxC1系列基于最新的 TRENCHSTOP IGBT7 1200V和快速二極管EmCon 7技術(shù)，具有卓越的控制能力和性能，大大提高了效率和功率密度。采用的DIP 36x23D封裝，提高可靠性、并優(yōu)化PCB尺寸，降低系統(tǒng)成本，使其成為1200V IPM的最小封裝，在同類產(chǎn)品中具有最高功率密度和最佳性能。隔離式雙列直插模制外殼的設計，具有出色的熱性能和電氣隔離性能，滿足苛刻設計的EMI和過載保護要求。憑借其多功能引腳，這款I(lǐng)PM可為各種用途提供高度的設計靈活性。該產(chǎn)品組合三款新產(chǎn)品已全部上市，電流規(guī)格從10A到20A不等，輸出功率最高可達4.0kW，適用于電機驅(qū)動、泵、風扇、熱泵以及供暖、通風和空調(diào)用室外風扇等中低功率驅(qū)動器應用。

全新4.5kV XHP 3 IGBT模塊，

讓驅(qū)動器實現(xiàn)尺寸小型化和效率最大化

為了順應小型化和集成化的全球趨勢，XHP系列包括一款帶有一個發(fā)射極控制續(xù)流二極管和TRENCHSTOP IGBT4 450A半橋IGBT模塊，以及一款帶有發(fā)射極控制E4二極管的450A二極管半橋模塊。這兩個模塊的絕緣電壓均提高至10.4kV。通過將模塊并排放置的創(chuàng)新設計，簡化了并聯(lián)設計，使得模塊在并聯(lián)時只需要一個直流母線即可實現(xiàn)，有助于在不降低效率的情況下簡化并聯(lián)并且縮小尺寸，減少元器件的使用數(shù)量。目前，兩種型號的IGBT模塊FF450R45T3E4_B5和DD450S45T3E4_B5現(xiàn)已上市，適用于2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸?shù)膽檬袌觥?/p>

新型固態(tài)隔離器iSSI系列，

切換速度更快，功耗降低高達70%

全新固態(tài)隔離器產(chǎn)品iSSI產(chǎn)品系列可實現(xiàn)更快速、可靠的電路交換，并擁有光電固態(tài)所不具備的保護功能。這些隔離器采用無磁芯變壓器技術(shù)，支持高20倍的能量傳輸?shù)耐瑫r，還具備了電流和溫度保護功能，實現(xiàn)更高的可靠性和更低的成本。與目前使用的傳統(tǒng)的固態(tài)隔離器驅(qū)動SCR（硅控整流器）和可控硅的方案相比，新的固態(tài)隔離器可驅(qū)動英飛凌的OptiMOS和CoolMOS，其功耗降低高達70%，進一步提高電子和機電系統(tǒng)的效率，適用于先進電池管理、儲能、可再生能源系統(tǒng)，以及工業(yè)和樓宇自動化系統(tǒng)應用。

新型EiceDRIVER Power全橋變壓器

驅(qū)動器系列，適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟高效

的柵極驅(qū)動器電源

EiceDRIVER Power 2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動器系列采用具有功率集成技術(shù)和多項優(yōu)化功能的緊湊型TSSOP8引腳封裝，可產(chǎn)生非對稱輸出電壓，通過獨特的占空比調(diào)整功能，專為非對稱式柵極驅(qū)動器電源進行了優(yōu)化。該系列支持最高20V寬輸入電壓范圍，還集成了溫度、短路和欠壓鎖定（UVLO）保護以防止意外系統(tǒng)故障，適用于需要隔離式柵極驅(qū)動器的工業(yè)和消費類應用，包括太陽能應用、電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、焊接、不間斷電源、驅(qū)動應用等。目前，該系列四個型號均已上市：2EP100R和2EP101R專為IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動器電源的低元件數(shù)設計進行了優(yōu)化；2EP110R允許對占空比進行微調(diào)，使輸出電壓比與SiC和GaN功率開關(guān)的應用要求相匹配；2EP130R專為高度靈活的設計進行了優(yōu)化，以滿足不同的應用要求。