英飛凌工業(yè)半導體文章

• 如何應用英飛凌新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 提升系統(tǒng)效率2026-04-29 08:04

  

  CoolSiCMOSFETG21200V系列產品是英飛凌最新推出的SiCMOSFET產品，均采用了擴散焊工藝（.XT）來降低結殼熱阻。TO247封裝器件的導通電阻從7mΩ到78mΩ。產品系列如下：上表給出了G1與G2建議的替代關系。比如G1IMZA120R040M1H同G2IMZC120R034M2H和IMZA120R034M2H處在同一行，可以相互替換。為

  MOSFET SiC 英飛凌 377瀏覽量

• IPAC 2026雙技術峰會報名火熱，重磅嘉賓邀你共赴技術盛宴2026-04-24 08:03

  

  IPAC雙技術峰會特別邀請到英飛凌與業(yè)內權威技術專家，他們將憑借深厚的專業(yè)知識和豐富的實踐經驗，為你深入剖析碳化硅（SiC）技術的未來發(fā)展方向與詳細規(guī)劃，同時全面解讀SiC在熱門應用領域的行業(yè)動態(tài)與技術前沿趨勢。英飛凌碳化硅零碳應用技術大會時間：2026年5月22日地點：深圳特邀嘉賓：Dr.PeterFriedrichs碳化硅技術創(chuàng)新專家英飛凌科技未來社會將

  SiC 碳化硅 英飛凌 289瀏覽量

• SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇2026-04-22 17:05

  

  01SiCMOSFET的體二極管及其關鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiCMOSFET都采用垂直導電結構，其縱向（從漏極到源極）的層狀結構是通用的，如下圖所示：圖1.溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiCMOSFET圖2.平面柵型MOSFETN+襯底(Substra

  MOSFET SiC 體二極管 352瀏覽量

• 新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高壓超結MOSFET 650V系列2026-04-20 17:04

  

  新品CoolMOSCFD7SJ高壓超結MOSFET650V系列650VCoolMOSCFD7是英飛凌最新高壓超結MOSFET技術，集成快速體二極管，完善了CoolMOS7系列產品，CoolMOSCFD7具備更低的柵極電荷(QG)、優(yōu)化的關斷特性，其反向恢復電荷(QRR)較競品最多可降低69%，并擁有業(yè)界最低的反向恢復時間(trr)，底部散熱封裝最大程度降低導

  MOS MOSFET 英飛凌 801瀏覽量

• IPAC直播間丨英飛凌面向大功率組串式光伏的EasyHD3產品與應用2026-04-16 17:05

  

  光伏系統(tǒng)在降低碳排放、提升電網可再生能源占比方面發(fā)揮著重要作用。在組串式光伏逆變器應用中，功率密度與系統(tǒng)效率不斷提高的需求，持續(xù)推動著功率半導體器件的進步，英飛凌全新EasyHD3系列產品正是為了實現(xiàn)更高功率密度和更高效率的目標而推出的重磅產品。2026年4月28日，IPAC直播間將為您介紹英飛凌面向組串式光伏的全新EasyHD3系列產品。請大家鎖定頻道，趕

  光伏 半導體器件 英飛凌 1247瀏覽量

• SiC MOSFET的并聯(lián)設計要點2026-04-15 18:19

  

  英飛凌碳化硅應用技術大會即將火熱開啟，聚焦前沿技術，探討零碳未來，點擊下方圖片獲取更多詳情！SiCMOSFET的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導通電阻等因素限制，常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培，而軌道交通、新能源并網、高壓逆變器等場景，往往需要千安級的電流輸出，單管無法滿足。因此，SiCMOSFET的并聯(lián)應用的場景越來越普遍。不管是SiCMOSFE

  MOSFET SiC 芯片 504瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬電距離封裝2026-04-13 17:04

  

  新品CoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件采用TO-2474pin高爬電距離封裝英飛凌采用高爬電距離封裝的TO-2474pinCoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件，在第一代技術優(yōu)勢基礎上實現(xiàn)顯著提升，為更高性價比、高效率、緊湊型、易設計且可靠的系統(tǒng)提供先進解決方案。該器件在硬開關與軟開關拓撲中均展現(xiàn)出優(yōu)異性能，廣泛適用于各類

  SiC 分立器件 英飛凌 954瀏覽量

• IPAC大會全面升級，2026年開啟雙技術峰會！2026-04-10 09:07

  

  自2014年首屆舉辦以來，IPAC英飛凌零碳工業(yè)應用技術大會已走過十二載征程。我們始終以“驅動工業(yè)低碳轉型”為使命，深耕零碳技術領域，累計吸引上萬名行業(yè)精英、專家學者及企業(yè)代表參與，成為業(yè)內最具影響力的標桿盛會。2026年，IPAC大會全面升級，開啟雙技術峰會新篇章！為進一步聚焦零碳技術前沿，英飛凌將于2026年首次推出兩大主題技術大會，誠邀您共襄盛舉：英飛

  工業(yè) 碳化硅 英飛凌 453瀏覽量

• 英飛凌與為光能源深度攜手，共筑固態(tài)變壓器（SST）高可靠新未來2026-04-09 17:06

  

  近日，英飛凌科技(以下簡稱“英飛凌”)與西安為光能源科技有限公司（以下簡稱“為光能源”）正式達成深度合作，攜手開啟能源技術革新新篇章。雙方將依托英飛凌領先的1200VTRENCHSTOPIGBT7及CoolSiCMOSFETG2碳化硅分立器件技術，賦能為光能源研發(fā)更緊湊、高效的通用固態(tài)變壓器（SST）產品，大幅提升其在儲能系統(tǒng)與充電樁領域的應用效能。雙方還計

  SST 變壓器 英飛凌 912瀏覽量

• 溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解2026-04-08 17:31

  

  對于我國的電力電子界來說，固態(tài)變壓器（SST）并非是一個全新的話題，在軌道交通、電網合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸，SST曾經的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統(tǒng)概念的普及，和未來智能電網的電力潮流雙向流動，讓SST的商業(yè)價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW

  MOSFET SiC SST 變壓器 216瀏覽量