動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-08-02 08:14

  IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計(jì)2000V CoolSiC™驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

  

  英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達(dá)到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件，再次推出首個(gè)應(yīng)用于2000VCoolSiCMOSFET的評(píng)估板。本次IPAC直播間特邀評(píng)估板開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，免費(fèi)教學(xué)，帶您深入了解兩款評(píng)估板設(shè)計(jì)精髓與測(cè)試要點(diǎn)，領(lǐng)略英飛凌2000VCoolSiC碳化硅產(chǎn)品的高效與可靠

  SiC 碳化硅 評(píng)估板

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• 發(fā)布了文章 2024-08-01 08:14

  新品 | 可直接驅(qū)動(dòng)的單端反激式輔助電源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

  

  新品可直接驅(qū)動(dòng)的單端反激式輔助電源用1700VCoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFET1700VG1450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封裝，適用于單端反激式輔助電源，主要應(yīng)用如太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電器、UPS和通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。主要特點(diǎn)包括：可由反激式控制器直接驅(qū)動(dòng)，無(wú)需柵極驅(qū)動(dòng)器IC、高耐壓且損耗小、.XT互連技

  MOSFET SiC 輔助電源

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• 發(fā)布了文章 2024-07-31 08:14

  ?英飛凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革

  

  該技術(shù)將對(duì)數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費(fèi)電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。在日新月異的電力電子行業(yè)，對(duì)更高效、更強(qiáng)大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對(duì)于新一代硅基MOSFET，英飛凌進(jìn)行了巨大的研發(fā)投入，以重新定義系統(tǒng)集成標(biāo)準(zhǔn)，使其在廣泛的電力電子應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率密度和效率。在英飛凌，CoolMOS8的推出意味著這些投入已經(jīng)取得了成效。它是一項(xiàng)先進(jìn)的MOSFET技術(shù)，

  MOS MOSFET 二極管 元器件

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• 發(fā)布了文章 2024-07-27 08:14

  新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F

  

  新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號(hào)：2ED2388S06F產(chǎn)品特點(diǎn)工作電壓（相對(duì)于VS）高達(dá)+650V負(fù)VS瞬態(tài)抗擾度為100V集成超快、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓為25V應(yīng)用價(jià)值集成自舉

  MOSFET 二極管 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2024-07-25 08:14

  PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

  

  /摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過(guò)電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對(duì)并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和數(shù)學(xué)計(jì)算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,以研究不同參數(shù)對(duì)分流的影響。最后提出了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)建議和柵極電阻設(shè)計(jì)方法。導(dǎo)言隨著市場(chǎng)和應(yīng)用的發(fā)展,高額定功率和高功率密度成為越來(lái)越重要的趨勢(shì)。目前，

  MOSFET SiC 驅(qū)動(dòng)電路

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• 發(fā)布了文章 2024-07-24 08:14

  新品 | 雙通道交錯(cuò)PFC級(jí)和三相逆變橋Easy模塊

  

  新品雙通道交錯(cuò)PFC級(jí)和三相逆變橋Easy模塊EasyPIM2B集成PIM模塊，帶雙通道交錯(cuò)PFC級(jí)和三相逆變橋，適用于熱泵/暖通空調(diào)應(yīng)用。產(chǎn)品型號(hào)：FB50R07W2E3_B23EasyPIM2B650V50APIM模塊，采用50AHighspeed5交錯(cuò)PFC級(jí)，50A溝槽柵截止層IGBT3，發(fā)射極受控Emcon3二極管的逆變?nèi)鄻?，壓接安裝和NTC。F

  easy PFC 模塊 逆變橋

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• 發(fā)布了文章 2024-07-23 08:14

  參加研討會(huì)，下載白皮書(shū) | 揭秘功率轉(zhuǎn)換技術(shù)如何重塑綠色氫能

  

  全球綠色氫能需求激增，制造商競(jìng)相擴(kuò)產(chǎn)，目標(biāo)2030年前達(dá)155GW/年產(chǎn)能。展望至2050年，預(yù)計(jì)全球?qū)⒂?0%至80%的氫氣供應(yīng)實(shí)現(xiàn)脫碳。電解水作為綠色氫能基礎(chǔ)設(shè)施的基石，其重要性日益凸顯。鑒于電解水過(guò)程對(duì)高水平且穩(wěn)定直流電流的嚴(yán)格要求，電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（PCS）在電解制氫設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。線(xiàn)上研討會(huì)直播主題驅(qū)動(dòng)綠色未來(lái)：功率半導(dǎo)體在制氫電能轉(zhuǎn)換的革

  PCS 功率轉(zhuǎn)換 新能源

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• 發(fā)布了文章 2024-07-20 08:14

  簡(jiǎn)述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機(jī)制

  

  簡(jiǎn)述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機(jī)制

  GaN IGBT 半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-07-19 08:14

  直播預(yù)告 | 驅(qū)動(dòng)綠色未來(lái)：功率半導(dǎo)體在制氫電能轉(zhuǎn)換的革新解決方案

  

  氫能因其能量密度高、熱值高、儲(chǔ)量豐富等特點(diǎn)被專(zhuān)家學(xué)者認(rèn)為是最具應(yīng)用前景的能源之一。作為高效的儲(chǔ)能載體，氫能有望解決可再生能源實(shí)現(xiàn)大規(guī)?？缂竟?jié)儲(chǔ)存和運(yùn)輸?shù)碾y題。本次研討會(huì)將深入探討功率半導(dǎo)體尤其是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在綠色制氫領(lǐng)域的應(yīng)用。IGBT作為電源解決方案，能夠顯著提高能源轉(zhuǎn)換效率，并完美適配新能源電網(wǎng)，確保制氫過(guò)程的穩(wěn)定和高效，進(jìn)而提高系統(tǒng)的

  功率半導(dǎo)體 電網(wǎng) 電能轉(zhuǎn)換

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• 發(fā)布了文章 2024-07-18 08:14

  新品 | 采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開(kāi)關(guān)評(píng)估板

  

  新品采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開(kāi)關(guān)評(píng)估板EVAL-iSSI30R11H用于評(píng)估應(yīng)用電路中的英飛凌iSSI固態(tài)隔離器iSSI30R11的產(chǎn)品的功能。評(píng)估板為交流固態(tài)開(kāi)關(guān)配置，使用iSSI30R11H驅(qū)動(dòng)兩個(gè)CoolMOSIPQC60R010S7MOSFET，溫度采樣外接PTC。產(chǎn)品型號(hào)：EVAL-iSSI30R11H評(píng)估板所用器件：固態(tài)隔離器：i

  MOSFET 評(píng)估板 隔離器

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