動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-07-16 08:14

  新品 | 光伏混合逆變器用Easy模塊

  

  新品光伏混合逆變器用Easy模塊采用CoolSiCMOSFET和高性能AlNDCB的Easy模塊，用于功率高達(dá)12千瓦的光伏混合逆變器。相關(guān)產(chǎn)品：FS3L40R07W2H5F_B70EasyPACK2B650V、40A三電平NPC1全橋IGBT模塊，配有CoolSiC肖特基二極管650V、TRENCHSTOP5H5IGBT、PressFIT壓接技術(shù)和AIND

  easy 光伏 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2024-07-13 08:14

  科普講座《讓AIGC提高你的科研和科普能力》

  

  為了配合中國(guó)電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)聯(lián)合英飛凌科技（中國(guó)）有限公司正在舉辦的《第二屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽》，中國(guó)電源學(xué)會(huì)7月2日晚特邀百度AIGC專(zhuān)家講解AIGC助力電力電子技術(shù)科學(xué)普及及科學(xué)研究。2022年以來(lái)AI迅速發(fā)展，各類(lèi)產(chǎn)品層出不疊，其中百度推出的生成式AI產(chǎn)品：文心一言和文心一格，廣受好評(píng)，熱度不減。為了在電源行業(yè)和高校師生中普及AIGC人工智

  AIGC 電力電子 電源

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• 發(fā)布了文章 2024-07-12 08:14

  驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET有多容易？

  

  得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢(shì)，SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同，對(duì)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)也提出了更高的要求。為了最大化利用SiCMOSFET的性能優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)芯片的選擇需要著重考慮如下幾個(gè)方面：1更高的軌到軌電壓IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V，而

  MOSFET SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 驅(qū)動(dòng)

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• 發(fā)布了文章 2024-07-12 08:14

  CoolSiC™ MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場(chǎng)

  

  英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù)，再度突破極限，實(shí)現(xiàn)更高效率、更低功耗，這也使英飛凌在日益發(fā)展且競(jìng)爭(zhēng)激烈的碳化硅市場(chǎng)，屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在過(guò)去三年，碳化硅市場(chǎng)經(jīng)歷了蓬勃發(fā)展，特別是在全球能源轉(zhuǎn)型相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域，例如，光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施。英飛凌CoolSiC產(chǎn)品系列在這些領(lǐng)域大有可為。掃碼下載英飛凌碳化硅白皮書(shū)QCoolSi

  MOSFET 功率半導(dǎo)體 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-07-11 08:14

  固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器時(shí)代將至

  

  機(jī)電繼電器和斷路器作為一種成熟的技術(shù)已廣為人知，大量應(yīng)用在各種場(chǎng)合，但是它們?nèi)匀淮嬖谝恍┕逃腥毕?。盡管采用基于半導(dǎo)體的固態(tài)技術(shù)可以解決這些問(wèn)題，但設(shè)計(jì)中又會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。到底，什么才是正確的解決方案呢？目前，高壓繼電器和斷路器大部分都是機(jī)電式的。除了人們百年來(lái)已經(jīng)習(xí)慣使用繼電器和斷路器外，工程領(lǐng)域也普遍認(rèn)為，半導(dǎo)體技術(shù)不適合應(yīng)用于高壓開(kāi)關(guān)。但近年的功率半導(dǎo)

  MOSFET 固態(tài)繼電器 斷路器 機(jī)電繼電器

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• 發(fā)布了文章 2024-07-06 08:14

  無(wú)線電能傳輸技術(shù)綜述

  

  作者介紹陳武，教授，博士生導(dǎo)師，IETFellow，東南大學(xué)先進(jìn)電能變換技術(shù)與裝備研究所所長(zhǎng)。長(zhǎng)期從事大功率電力電子變換及其應(yīng)用領(lǐng)域的研究工作。主持國(guó)家自然科學(xué)基金3項(xiàng)、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題1項(xiàng)。研究成果發(fā)表SCI/EI論文100余篇，出版專(zhuān)著5部。本文新出版的電力電子綜述和科普專(zhuān)著《循跡電力電子》一書(shū)內(nèi)容。邀請(qǐng)你一起來(lái)創(chuàng)作科普作品，點(diǎn)擊報(bào)名無(wú)線電能傳輸技術(shù)

  無(wú)線充電 無(wú)線電 無(wú)線電力 電能

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• 發(fā)布了文章 2024-07-05 08:14

  研討會(huì)報(bào)名丨電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)公交/貨車(chē)（eCAV）充電與乘用車(chē)充電的對(duì)比及其對(duì)功率半導(dǎo)體的影響

  

  線上研討會(huì)時(shí)間：2024年7月15日下午3點(diǎn)會(huì)議概述隨著首批商用長(zhǎng)途電動(dòng)卡車(chē)的推出以及首個(gè)兆瓦級(jí)充電系統(tǒng)（MCS）測(cè)試的成功完成，電動(dòng)巴士和貨車(chē)的充電問(wèn)題已成為行業(yè)內(nèi)頻繁討論的話題。在本次網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上，我們將探討電動(dòng)卡車(chē)和巴士的充電情況，及其與乘用車(chē)充電的異同。我們將特別討論充電在兆瓦級(jí)范圍內(nèi)對(duì)功率半導(dǎo)體選型的影響，以及英飛凌在此領(lǐng)域的定位。掃描下方二維碼立

  充電系統(tǒng) 功率半導(dǎo)體 電動(dòng)汽車(chē)

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• 發(fā)布了文章 2024-07-05 08:14

  新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展

  

  新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊系列新增5.2mΩ新規(guī)格。其采用了M1H芯片技術(shù)，模塊還提供預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料（TIM）版本。相關(guān)產(chǎn)品：FF5MR20KM1H(P)5.2mΩ，2000V62mm半橋模塊(P)為預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料（TIM）版本產(chǎn)品特點(diǎn)堅(jiān)固的集成體二極管，優(yōu)化了熱

  SiC 半橋模塊 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-07-04 08:14

  2024英飛凌寬禁帶論壇倒計(jì)時(shí)丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相

  

  英飛凌致力于通過(guò)其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動(dòng)交通和出行方案在ElectronicaChina2024（慕尼黑上海電子展）4號(hào)展館共同亮相，小編先帶你一睹為快！立即掃碼報(bào)名期待您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)7月9日英飛凌將攜寬禁帶整體解決方案相約論壇展臺(tái)設(shè)立三大

  MOSFET 寬禁帶 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-07-03 08:14

  Heric電路原理與器件選型

  

  非隔離型單相并網(wǎng)逆變器由于其體積小效率高等特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于小功率光伏發(fā)電系統(tǒng)（2-10kW），但由于并網(wǎng)系統(tǒng)不含變壓器且光伏電池板等對(duì)地存在多處分布電容，功率器件在高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，在光伏電池板、逆變器、電網(wǎng)間形成共模電流。非隔離型并網(wǎng)逆變器共模電流回路示意為了保證人員和設(shè)備安全，對(duì)地漏電流必須要抑制在一定幅值范圍，常見(jiàn)的兩種優(yōu)化策略為：1采用相應(yīng)的調(diào)制策略，使得逆

  HERIC 器件 泄漏電流 逆變器

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