動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-01-20 22:11

  新品 | EasyPACK™ 2B 75A 1700V IGBT三相橋模塊和2200V EasyBRIDGE整流模塊

  

  新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊相關(guān)器件：FS75R17W2E4P_B11Easy2B封裝DDB6U50N22W1RP_B11Easy1B封裝EasyPACK

  模塊 整流器

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• 發(fā)布了文章 2023-01-18 22:11

  新品 | 采用950V IGBT7和1200VSiC二極管的三路45A 三電平Boost MPPT模塊

  

  新品光伏組串逆變器用45A三路MPPT模塊光伏組串逆變器用45A三路MPPT模塊，由950VIGBT7和1200VSiC二極管構(gòu)成相關(guān)器件：FS3L400R10W3S7F_B1145A3路MPPTFS3L400R10W3S7F_B11是EasyPACK3B封裝的三路45AMPPT模塊。它采用950V的TRENCHSTOPIGBT7和1200V的CoolSiC

  二極管 模塊 MPPT

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• 發(fā)布了文章 2023-01-16 22:11

  是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

  

  作者簡(jiǎn)介作者：sureshthangavel翻譯：趙佳與硅技術(shù)相比，SiCMOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng)，將會(huì)非常利于運(yùn)維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這

  逆變器 SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-01-12 22:11

  如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗

  

  現(xiàn)今隨著高端測(cè)試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對(duì)工程師來(lái)說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識(shí)。今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。我們先來(lái)看一個(gè)IGBT的完整工作波形：IGB

  IGBT 損耗

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• 發(fā)布了文章 2023-01-11 15:09

  SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？

  

  眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì)干別的了嗎？非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性，Si

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-01-11 15:09

  探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

  

  探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

  二極管 MOSFET

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• 發(fā)布了文章 2023-01-11 15:09

  新品 | 采用IPM IM323 1500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評(píng)估板

  

  新品采用IPMIM3231500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評(píng)估板評(píng)估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的評(píng)估，它的目標(biāo)應(yīng)用為三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)，大家電，如空調(diào)、泵、風(fēng)扇和其他變頻驅(qū)動(dòng)器。產(chǎn)品型號(hào)：EVAL-M1-IM323產(chǎn)品特點(diǎn)輸入電壓165Vac至265Vac165Vac時(shí)最大12A的輸入電流220V

  驅(qū)動(dòng) 電機(jī) 評(píng)估板

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• 發(fā)布了文章 2023-01-11 15:08

  通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度

  

  作者：HubertBaierl，英飛凌科技市場(chǎng)總監(jiān)校對(duì)：柯春山英飛凌科技高級(jí)主任工程師像許多電子領(lǐng)域一樣，進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前，在3.3kW開關(guān)電源(SMPS)中，產(chǎn)品效率高達(dá)98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達(dá)100W/in3。這之所以可以實(shí)現(xiàn)是因?yàn)槲覀冊(cè)趫D騰柱PFC級(jí)中明智地選擇了超結(jié)(SJ)功率MOSFET（例如CoolMOS），碳化硅(SiC)MOSF

  電源 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-01-04 10:01

  新品 | 采用IPM IM323 1500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評(píng)估板

  

  產(chǎn)品型號(hào)：EVAL-M1-IM323

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• 發(fā)布了文章 2023-01-04 09:45

  探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

  

  SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來(lái)說，輸出電容的影響較大，而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨(dú)有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個(gè)影響因素，并且闡明了快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET的反向恢復(fù)損耗概

  二極管 MOSFET

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