動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-07-31 22:54

  使用新型160V MOTIX™三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC實(shí)現(xiàn)更好的電池供電設(shè)計(jì)（第二部分）

  

  作者簡(jiǎn)介作者:SrivatsaRaghunath翻譯：趙佳6ED2742S01Q是一款用于電池供電應(yīng)用的高性價(jià)比、易于使用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC。6ED2742S01Q具有10V至120V的寬工作電壓范圍，是12V、24V、48V、72V和96V等多種電池類型的理想"一站式"柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。這兩種強(qiáng)大的保護(hù)和電流檢測(cè)方案使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)镸OSFET逆變級(jí)和

  IC 電池 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2023-07-31 17:56

  200kW儲(chǔ)能用EasyPACK™ 3B三電平模塊

  

  新品200kW儲(chǔ)能用EasyPACK3B三電平模塊F3L225R12W3H3_B11NPC1三電平EasyPACK3B模塊采用1200VHIGHSPEED3IGBT芯片和EmCon7二極管。它為ESS雙向功率變換進(jìn)行了優(yōu)化，兩個(gè)并聯(lián)模塊，可以實(shí)現(xiàn)200千瓦1500VDC功率變換。相關(guān)器件：F3L225R12W3H3_B11產(chǎn)品特點(diǎn)采用PressFIT技術(shù)的E

  三電平 儲(chǔ)能 模塊

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• 發(fā)布了文章 2023-07-31 17:55

  6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiC MOSFET）

  

  新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT、MOSFET和SiCMOSFET等功率開(kāi)關(guān)。該板預(yù)裝了兩個(gè)CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H，一個(gè)額外的柵極驅(qū)動(dòng)IC用于隔離從上橋臂到邏輯控制側(cè)

  MOSFET SiC 評(píng)估板

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• 發(fā)布了文章 2023-07-31 17:30

  英飛凌的SiC MOS需要負(fù)壓?jiǎn)?/a>

  

  IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場(chǎng)直播于5月23日順利結(jié)束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設(shè)計(jì)理念、高性能封裝互聯(lián)方案.XT、冷切割技術(shù)與應(yīng)用。直播時(shí)間有限，未能回答全部觀眾問(wèn)題，在此針對(duì)一些遺漏問(wèn)題進(jìn)行回答。如果大家還有任何問(wèn)題，歡迎在文末留言，我們會(huì)及時(shí)回復(fù)。點(diǎn)擊下方視頻即可回看溝槽柵

  MOS SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-07-31 16:57

  新品 | 用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

  

  新品用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。產(chǎn)品型號(hào)：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低

  MOSFET 高速開(kāi)關(guān)

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• 發(fā)布了文章 2023-07-06 10:07

  零碳故事丨新能源“東風(fēng)”下的第三代半導(dǎo)體

  

  來(lái)源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號(hào)21tech（News-21），作者：李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級(jí)副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢(shì)下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場(chǎng)搭好了舞臺(tái)。過(guò)去一段時(shí)間，盡管全球消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)低迷，存儲(chǔ)芯片等各類半導(dǎo)體零部件的需求明顯減少，但廣泛用于光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)卻異常熱鬧。特別是在能源轉(zhuǎn)型的巨大需求

  半導(dǎo)體 新能源

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• 發(fā)布了文章 2023-07-01 10:10

  晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算

  

  功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS旁路等場(chǎng)合。本文通過(guò)公式計(jì)算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對(duì)晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說(shuō)明，給廣大工程師在晶閘管選型時(shí)提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計(jì)算，請(qǐng)參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算》。晶閘管是半控型電力電子器件，可通過(guò)門極在晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，控制晶閘管

  UPS 晶閘管

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• 發(fā)布了文章 2023-06-30 10:08

  搶占席位｜2023英飛凌寬禁帶應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇

  

  主辦單位：英飛凌科技（中國(guó)）有限公司協(xié)辦單位：慕尼黑展覽（上海）有限公司合作媒體：世紀(jì)電源網(wǎng)、電源網(wǎng)：7月11日：上海國(guó)家會(huì)展中心伴隨科技高速發(fā)展，隨之帶來(lái)的氣候和能源挑戰(zhàn)愈演愈烈。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲(chǔ)能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉?lái)前所未有的黃金發(fā)展期。如何促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新？如何提

  寬禁帶 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-06-22 10:14

  英飛凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模塊助力推動(dòng)節(jié)能電氣化列車低碳化

  

  為了實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo)，交通運(yùn)輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運(yùn)行有苛刻的運(yùn)行條件，需要頻繁加速和制動(dòng)，且要在相當(dāng)長(zhǎng)的使用壽命內(nèi)可靠運(yùn)行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款

  電氣 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-06-08 08:16

  采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  

  /引言/近年來(lái)，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過(guò)改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。文：英飛凌科技高級(jí)應(yīng)用工程師JorgeCerezo逆變焊機(jī)通常是通過(guò)IGBT功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)

  MOSFET SiC

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