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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號(hào)致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺(tái),包括工程師應(yīng)用知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)分享,在線課程、研討會(huì)視頻集錦。

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-09-24 19:05

    PCIM2025論文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服務(wù)器和人工智能電源實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度

    *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要400VSiCMOSFET技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。簡(jiǎn)要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務(wù)器應(yīng)用的電源(PSU)中對(duì)其優(yōu)勢(shì)進(jìn)行了研究,該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3.3kW的功率。該設(shè)備采用三電平飛跨電容圖騰柱PFC。文中討論了啟動(dòng)期間對(duì)飛跨電容充電的注意事項(xiàng)。PSU的尺寸
  • 發(fā)布了文章 2025-09-18 17:13

    新聞速遞丨英飛凌功率模塊助力金風(fēng)科技構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)能效提升

    【2025年9月18日,德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)與金風(fēng)科技股份有限公司近日宣布深化其合作,為風(fēng)力發(fā)電實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力傳輸。英飛凌將為金風(fēng)科技提供搭載.XT技術(shù)的XHP21700VIGBT5功率模塊,提升金風(fēng)科技GW155-4.5MW構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)的能源效率。英飛凌的
  • 發(fā)布了文章 2025-09-17 17:05

    PCIM2025論文摘要 | 太陽(yáng)能系統(tǒng)的高效率碳化硅 MOSFET 解決方案

    本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著新能源技術(shù)的不斷發(fā)展,系統(tǒng)對(duì)電力電子變流器的要求也越來(lái)越高。高效率、高可靠性和高功率密度越來(lái)越受到設(shè)計(jì)人員的重視,并可能成為當(dāng)前和下一代變換器的標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅(SiC)材料因其固有的寬禁帶特性和高熱導(dǎo)率,可在1kV系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率和更好的熱性能。本文將介紹當(dāng)前光伏(PV)系統(tǒng)的主流架構(gòu)以
  • 發(fā)布了文章 2025-09-16 17:06

    與作者面對(duì)面丨英飛凌IPAC直播間即將亮相PCIM Asia 2025

    今年,英飛凌將在上海新國(guó)際博覽中心N5館C10展位攜多款全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案亮相PCIMAsia2025,全面展示電力電子技術(shù)的前沿產(chǎn)品及技術(shù)!除了這些,IPAC直播間即將首次亮相PCIMAsia展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)!直播主題:與作者面對(duì)面,深度解讀2025PCIMAsia論文直播時(shí)間:2025年9月24日1500掃碼立即報(bào)名你將可以看到英飛凌資深“攻城獅
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  • 發(fā)布了文章 2025-09-12 17:05

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十四)----熱成像儀測(cè)溫度概述

    摘要功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設(shè)計(jì)的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)和測(cè)試的基本技能,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章已經(jīng)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法,本篇的話題是《使用熱成像儀測(cè)溫度的注意事項(xiàng)》。用熱成像儀測(cè)溫度,在電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和
  • 發(fā)布了文章 2025-09-09 17:19

    海上風(fēng)電高壓直流集成經(jīng)濟(jì)型方案與性能比較

    完整版內(nèi)容請(qǐng)關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來(lái)更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著海上風(fēng)電場(chǎng)容量的增加和選址向深遠(yuǎn)海進(jìn)一步延伸,高壓直流(HVDC)技術(shù)成為遠(yuǎn)距離電力傳輸?shù)年P(guān)鍵。本文介紹三種海上高壓直流輸電方案,包括兩種完全基于模塊化多電平變流器(MMC)的柔性直流輸電方案,以及一種基于二極管整流的海上風(fēng)電集成方案,然后詳細(xì)說(shuō)明可
  • 發(fā)布了文章 2025-09-08 17:06

    新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝

    新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ,TO247-4引腳IMZA封裝,確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì),為更經(jīng)濟(jì)高效、緊湊、易設(shè)計(jì)且可靠的系統(tǒng)提供領(lǐng)先的解決方案。該器件在硬開(kāi)關(guān)操作和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲芯鼙憩F(xiàn)出更優(yōu)異的性能,適用于所有常見(jiàn)的AC-DC、DC-DC
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  • 發(fā)布了文章 2025-09-06 08:04

    第十三屆第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班暨國(guó)際功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用臨港高峰論壇報(bào)名(論壇免費(fèi))

    01組織機(jī)構(gòu)主辦單位:中國(guó)電源學(xué)會(huì)承辦單位:英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨港電力電子研究院、中國(guó)電源學(xué)會(huì)教育與培訓(xùn)工作委員會(huì)02培訓(xùn)時(shí)間地點(diǎn)2025年10月17-19日中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)03培訓(xùn)安排本次課程由兩部分組成:110月17日國(guó)際功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用臨港高峰論壇(免費(fèi))特邀出席嘉賓:上海臨港管委會(huì)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo);劉
  • 發(fā)布了文章 2025-09-03 17:03

    一種全工作范圍實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通的高效反激電源控制策略

    /摘要/反激拓?fù)鋸V泛應(yīng)用于中小功率開(kāi)關(guān)電源中,為了提高反激拓?fù)涞霓D(zhuǎn)換效率,本文提出了一種全輸入電壓及負(fù)載范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET零電壓開(kāi)通(ZVS)的控制策略,從而提高了轉(zhuǎn)換效率。本文通過(guò)理論分析給出其中所涉及的參數(shù)的計(jì)算方法,并通過(guò)仿真與實(shí)際電源的測(cè)試驗(yàn)證了該策略的有效性。01背景反激(Flyback)拓?fù)湟蚱浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,控制策略簡(jiǎn)單,適合多路輸出,可
  • 發(fā)布了文章 2025-09-02 18:42

    PCIM2025論文摘要 | 基于英飛凌S-cell產(chǎn)品的嵌入式PCB方案在主驅(qū)逆變器應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)分析與研究

    完整版內(nèi)容請(qǐng)關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來(lái)更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要本文介紹了一種基于英飛凌S-cell產(chǎn)品(1.2kV/SiC)的嵌入式PCB方案的新型功率模塊概念。利用Ansys和SPICE仿真,在熱阻(Rth、Zth、熱耦合等)和電氣特性(系統(tǒng)雜散電感、電壓尖峰、開(kāi)關(guān)損耗等)等方面進(jìn)行和傳統(tǒng)封裝的SiC模塊的對(duì)比。

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認(rèn)證信息: 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

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