動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-02-05 17:04

  新品 | TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7 750V分立器件

  

  新品TRENCHSTOPIGBT7H7750V分立器件TRENCHSTOPIGBT7H7750V硬開(kāi)關(guān)型分立器件，是650V版本的升級(jí)產(chǎn)品，專為滿足綠色高效能源應(yīng)用中對(duì)更高電壓處理能力的需求而設(shè)計(jì)。通過(guò)提升額定電壓，該器件能承受更高的電壓尖峰與過(guò)壓工況，使其成為對(duì)可靠性和效率有嚴(yán)苛要求的應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。產(chǎn)品型號(hào)：■IKZA50N75EH7■IKZA75N

  IGBT 分立器件

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• 發(fā)布了文章 2026-02-04 17:03

  英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布將為EnphaseEnergy,Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆變器提供其突破性的氮化鎵（GaN）技術(shù)。EnphaseEnergy是一家全球領(lǐng)先的能源技術(shù)公司，同時(shí)也是光伏及電池系統(tǒng)微型逆變器領(lǐng)域全球領(lǐng)先的供應(yīng)商。英飛凌的CoolGaN雙向開(kāi)關(guān)（BDS）技術(shù)可大幅提升Enphas

  氮化鎵 英飛凌 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2026-02-02 17:09

  新品 | 采用6500V IGBT 4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A模塊

  

  新品采用6500VIGBT4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A模塊IHV系列6500V/675A/130mmIGBT模塊，應(yīng)用了IGBT4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)，是高壓直流輸電用電壓源換流器、牽引傳動(dòng)及工業(yè)應(yīng)用的理想解決方案。產(chǎn)品型號(hào)：■FZ675R65KE4產(chǎn)品特性低飽和壓降VCEsat鋁碳化硅AlSiC基板存儲(chǔ)溫度下限可達(dá)-55°C封裝材料CTI>600應(yīng)用價(jià)值助力

  IGBT 英飛凌 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2026-01-29 17:07

  新品 | Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC™ 750V MOSFET評(píng)估板

  

  新品Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC750VMOSFET評(píng)估板EVAL_QDPAK_FB_V2_1評(píng)估板旨在評(píng)估采用Q-DPAK封裝的CoolSiC750VMOSFET的開(kāi)關(guān)性能。該板集成了四顆SiCMOSFET及與之配套的EiceDRIVER隔離柵極驅(qū)動(dòng)芯片。通過(guò)優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)，本評(píng)估板完美展示了如何在Q-DPAK封裝中最佳地應(yīng)用高速

  MOSFET 碳化硅 評(píng)估板

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• 發(fā)布了文章 2026-01-28 17:08

  白皮書(shū)下載｜使用PSOC™ Control C3和CoolGaN™解決方案，打造可靠、節(jié)能、安全的家電設(shè)計(jì)

  

  在家電應(yīng)用中，可靠性、安全性和使用壽命至關(guān)重要。隨著開(kāi)關(guān)頻率和功率密度不斷提升，短路、過(guò)電流以及電壓尖峰帶來(lái)的災(zāi)難性故障的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加。為了避免MOSFET、IGBT、GaN等敏感器件因過(guò)熱而受損，系統(tǒng)必須在亞微秒級(jí)完成故障檢測(cè)與隔離。英飛凌PSOCControlC3微控制器（MCU）以其無(wú)以倫比的性價(jià)比應(yīng)用于實(shí)時(shí)電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。該產(chǎn)品基于單核Ar

  GaN PSoC 家電設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2026-01-26 18:42

  新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器評(píng)估板

  

  新品碳化硅SiC5.5kW三相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器評(píng)估板EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC5.5kW三相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器，能將400V直流輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的50V直流輸出電壓。得益于CoolSiC器件的卓越性能與頂部散熱封裝方案，該板實(shí)現(xiàn)了接近99%的效率與170W/in3的超高功率密度。產(chǎn)品型號(hào)：■EVAL_5K5W_3PH_LLC_

  LLC諧振 變換器 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2026-01-22 17:05

  新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V

  

  新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過(guò)AQG324認(rèn)證，采用PressFIT引腳和預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料，集成NTC溫度傳感器，具有1200V耐壓和4mΩ導(dǎo)通電阻，專為電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與電動(dòng)航空生態(tài)系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號(hào)：■FF4MR12W2M1HP_B11_A

  MOSFET SiC 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2026-01-19 17:14

  新品 | 英飛凌第五代CoolGaN™ BDS 650V 氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)

  

  新品英飛凌第五代CoolGaNBDS650V氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)CoolGaNG5系列650V雙向開(kāi)關(guān)（BDS）是一款單片集成器件，能夠在兩個(gè)方向上主動(dòng)阻斷電壓和電流。它在電力電子領(lǐng)域，特別是在實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率變換方面，是一項(xiàng)卓越的創(chuàng)新。該器件采用TOLT封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，是多種應(yīng)用場(chǎng)景下的通用化優(yōu)選方案，并可助力實(shí)現(xiàn)具備成本優(yōu)勢(shì)的創(chuàng)新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。產(chǎn)品型號(hào)：

  雙向開(kāi)關(guān) 氮化鎵 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-01-15 17:09

  新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN™ 650V G5雙通道晶體管

  

  新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝中，該功率級(jí)由兩個(gè)導(dǎo)通電阻典型值140mΩ、耐壓650V的增強(qiáng)型CoolGaN晶體管組成。該產(chǎn)品憑借CoolGaN晶體管卓越的開(kāi)關(guān)特性，非常適合用于實(shí)現(xiàn)AC-DC充電器與適配器的高功率密度設(shè)計(jì)，以及低功率電機(jī)

  GaN 晶體管 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2026-01-12 17:03

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)

  

  新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造，通過(guò)提升性能、增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性及魯棒性，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性價(jià)比的飛躍。該系列在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲芯軐?shí)現(xiàn)頂級(jí)的效率、高頻開(kāi)關(guān)特性及可靠性。產(chǎn)品型號(hào)：■IMBG65R075M2H■IMW65R075M2H■I

  MOSFET SiC 器件

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