動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-07-21 10:02
臺(tái)積電引領(lǐng)全球半導(dǎo)體制程創(chuàng)新，2納米制程備受關(guān)注
在全球半導(dǎo)體行業(yè)中，先進(jìn)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。目前，只有臺(tái)積電、三星和英特爾三家公司能夠進(jìn)入3納米以下的先進(jìn)制程領(lǐng)域。然而，臺(tái)積電憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力，已經(jīng)在這一領(lǐng)域占據(jù)了明顯的領(lǐng)先地位，吸引了眾多大型科技公司的訂單。根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，臺(tái)積電的2納米制程技術(shù)將率先應(yīng)用于蘋果計(jì)劃推出的下一代iPhone系列的應(yīng)用處理器(AP)生產(chǎn)。這一決 -
發(fā)布了文章 2025-07-21 09:57
SiC二極管相比普通二極管有哪些優(yōu)勢(shì)呢?
在功率電子領(lǐng)域，碳化硅(SiC)技術(shù)正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件。作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表，SiC二極管憑借其物理特性在多方面實(shí)現(xiàn)了性能突破。寬禁帶半導(dǎo)體材料碳禁帶寬度(SiC：3.2eVvsSi：1.1eV)帶來(lái)的物理特性突破，使碳化硅二極管在功率電子領(lǐng)域展現(xiàn)出革命性優(yōu)勢(shì)。本文從半導(dǎo)體物理層面解析其技術(shù)原理。材料特性驅(qū)動(dòng)的根本優(yōu)勢(shì)空間壓縮效應(yīng)SiC介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)(21.7k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-16 10:16
集成電路產(chǎn)業(yè)迎利好!兩部門聯(lián)合發(fā)布計(jì)量支撐行動(dòng)方案
近日，市場(chǎng)監(jiān)管總局與工業(yè)和信息化部聯(lián)合發(fā)布《計(jì)量支撐產(chǎn)業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展行動(dòng)方案》(以下簡(jiǎn)稱《方案》)，明確提出將重點(diǎn)支持集成電路等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，通過突破核心計(jì)量技術(shù)瓶頸，助力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。這一舉措被視為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的又一重要政策利好?！斗桨浮分赋?，要針對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的實(shí)際需求，集中力量解決核心計(jì)量技術(shù)問題。其中，重點(diǎn)突破扁平化量值傳遞技術(shù)，攻克晶 -
發(fā)布了文章 2025-07-16 10:15
浮思特 | 無(wú)刷電機(jī)與有刷直流電機(jī)的區(qū)別是什么，該如何選擇?
在精密運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域，永磁直流電機(jī)因其優(yōu)于交流電機(jī)的可控性，被廣泛應(yīng)用于需精準(zhǔn)調(diào)節(jié)速度、扭矩或位置的場(chǎng)景。美蓓亞三美有刷直流電機(jī)當(dāng)前主流直流電機(jī)分為有刷電機(jī)與無(wú)刷電機(jī)(BLDC)兩大技術(shù)路線——前者依賴機(jī)械電刷換向，后者則通過電子控制實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)切換。盡管二者均基于電磁作用原理，但在實(shí)際應(yīng)用中需根據(jù)性能需求權(quán)衡選擇。有刷直流電機(jī)工作原理有刷電機(jī)的核心在于其機(jī)械換向 -
發(fā)布了文章 2025-07-15 09:58
恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二極管，助力工業(yè)電源應(yīng)用高效能量轉(zhuǎn)換
近日，知名半導(dǎo)體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產(chǎn)品的推出旨在滿足日益增長(zhǎng)的工業(yè)電源應(yīng)用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創(chuàng)新不僅將推動(dòng)各個(gè)工業(yè)部門的高效能量轉(zhuǎn)換，還將幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)更高的能效和更低的運(yùn)營(yíng)成本。隨著工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)化進(jìn)程的加速，電源管理的效率變得越來(lái)越重要。恩智浦的新型碳化硅肖特基 -
發(fā)布了文章 2025-07-15 09:57
浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機(jī)制與防護(hù)
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其長(zhǎng)期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運(yùn)行安全。在諸多應(yīng)力因素中，高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協(xié)同作用，往往成為加速器件內(nèi)部劣化、引發(fā)早期失效的關(guān)鍵誘因。本文深入探討該耦合效應(yīng)背后的物理機(jī)制，并基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)提出緩解策略。柵極電壓與IGBT可靠性基礎(chǔ)IGBT的柵極結(jié)構(gòu)類似于MOSFET，其3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-14 10:17
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發(fā)布了文章 2025-07-14 10:16
浮思特 | 如何開發(fā)高效可靠的人機(jī)界面(HMI)：實(shí)踐與考量
在復(fù)雜設(shè)備控制系統(tǒng)的開發(fā)中，為不同角色的使用者(如操作員、管理員、維護(hù)人員)設(shè)計(jì)合適的交互界面至關(guān)重要，這便是人機(jī)界面(HMI)的核心任務(wù)。HMI形式多樣，從緊湊的嵌入式LCD屏到大型工業(yè)觸摸屏，乃至支持遠(yuǎn)程操作的Web或App界面，其設(shè)計(jì)質(zhì)量直接影響設(shè)備的易用性、效率和安全性。需求定義：成功的基石敏捷開發(fā)模式在HMI設(shè)計(jì)中頗為流行，通過迭代沖刺推進(jìn)需求、設(shè) -
發(fā)布了文章 2025-07-11 10:07
三星電子全力推進(jìn)2納米制程，力爭(zhēng)在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率70%
根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更多大客戶訂單，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)地位。業(yè)界普遍認(rèn)為，目前三星的2納米制程良率仍不足30%。雖然有內(nèi)部消息稱其初期良率已優(yōu)于以往的制程技術(shù)，但在量產(chǎn)階段，三星能否與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電抗衡仍然是一個(gè) -
發(fā)布了文章 2025-07-11 10:06
