動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-05-16 11:09

  AI驅(qū)動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長 2030年全球產(chǎn)值或突破萬億美元大關(guān)

  

  全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來新一輪增長周期。臺積電全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)近日透露，在人工智能(AI)技術(shù)的強(qiáng)勁推動下，2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比增長率預(yù)計將超過10%。更值得關(guān)注的是，到2030年，全球半導(dǎo)體行業(yè)總產(chǎn)值有望達(dá)到1萬億美元規(guī)模，其中AI相關(guān)應(yīng)用將貢獻(xiàn)近半壁江山。2024年被業(yè)界普遍視為"AI元年"，生成式AI技術(shù)的爆發(fā)性發(fā)展對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)

  AI芯片 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-05-16 11:08

  浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET：超結(jié)MOSFET成冰箱變頻技術(shù)新寵

  

  目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜，2024年市場規(guī)模約為750億美元。預(yù)計該市場將以6.27%的年復(fù)合增長率持續(xù)增長，到2032年將達(dá)到約1200億美元。當(dāng)前冰箱壓縮機(jī)驅(qū)動主要采用兩種硅基技術(shù)：一種是IGBT，另一種是高壓(HV)MOSFET。在這兩種技術(shù)中，高壓MOSFET的采用正在加速，這主要得益于兩大趨勢。第一個趨勢是冰箱壓縮機(jī)系統(tǒng)的變頻化，通過

  IGBT MOSFET 冰箱

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• 發(fā)布了文章 2025-05-14 11:20

  PCIM 2025：面向電動汽車與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件

  

  隨著全球電氣化進(jìn)程加速，工程師們面臨著一個核心難題：如何在更緊湊的空間內(nèi)實現(xiàn)更高功率密度，同時不犧牲散熱性能與長期可靠性。無論是電動汽車、可再生能源系統(tǒng)還是先進(jìn)工業(yè)設(shè)備，傳統(tǒng)硅基功率器件已逼近物理極限。不斷提升的開關(guān)速度、更嚴(yán)苛的能效要求以及日益復(fù)雜的應(yīng)用場景，都在呼喚性能更強(qiáng)的功率半導(dǎo)體解決方案。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，SemiQ、英飛凌、安世半導(dǎo)體和納微半導(dǎo)體四

  SiC 功率器件 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-05-14 11:18

  SiC賦能IGBT：突破硅基極限,開啟高壓高效新時代

  

  自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來，基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化，但東芝公司通過解決閂鎖效應(yīng)問題，大幅拓展了這一功率器件的商業(yè)應(yīng)用版圖。隨后，眾多廠商的加入推動該器件在電力轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。時至今日，全球已有約20家主要供應(yīng)商，市場規(guī)模從最初的數(shù)百萬美元擴(kuò)展

  IGBT SiC 硅基

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• 發(fā)布了文章 2025-05-13 11:23

  全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)?？s減 比亞迪半導(dǎo)體首進(jìn)前十

  

  2025財年第二季度，英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發(fā)布了最新財報，顯示全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模已縮減至323億美元，這一變化標(biāo)志著市場格局的顯著調(diào)整。在這份財報中，英飛凌盡管依然穩(wěn)坐市場首位，但其市場份額同比下降了2.9個百分點，降至17.7%。這一趨勢引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注，尤其是在全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境不確定性加大的背景下。根據(jù)

  功率半導(dǎo)體 比亞迪

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• 發(fā)布了文章 2025-05-13 11:21

  半導(dǎo)體芯片的ESD靜電防護(hù)：原理、測試方法與保護(hù)電路設(shè)計

  

  半導(dǎo)體芯片易受大電流與高電壓現(xiàn)象影響。為實現(xiàn)元件級保護(hù)，我們采用片上ESD保護(hù)電路來提供安全的靜電放電電流泄放路徑。靜電放電(ESD)是電子設(shè)備面臨的常見威脅。當(dāng)ESD事件發(fā)生時，一定量的電荷會在兩個物體間轉(zhuǎn)移(例如從人體到集成電路)。這種電荷轉(zhuǎn)移可能導(dǎo)致極高電流在極短時間內(nèi)流經(jīng)芯片，若器件無法快速耗散能量就會造成損壞。ESD威脅貫穿產(chǎn)品全生命周期：在制造組

  ESD 半導(dǎo)體芯片 電路設(shè)計

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• 發(fā)布了文章 2025-05-08 11:09

  Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(biāo)(FoM)上處于行業(yè)領(lǐng)先水平，之前僅提供工業(yè)級版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應(yīng)用場景，包括車載充電器(OBC)、電動車

  Nexperia SiC MOSFET 汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-05-08 11:08

  基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器

  

  對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題，而驅(qū)動電路在這些方面都起著關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動器。該方案不僅能實現(xiàn)高效率，還能在高開關(guān)頻率下保持良好控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動器原理轉(zhuǎn)換器

  MOSFET 氮化鎵 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2025-05-07 11:15

  浮思特 | 創(chuàng)新燒結(jié)式溫度傳感器：實現(xiàn)功率電子器件精準(zhǔn)溫控的關(guān)鍵突破

  

  燒結(jié)工藝可提供更優(yōu)異的電氣和熱性能表現(xiàn)。在功率電子應(yīng)用中，這種直接將半導(dǎo)體芯片及傳感器等相關(guān)無源元件固定于基板的技術(shù)，已成為焊接工藝極具吸引力的替代方案。結(jié)合碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體材料的使用，該技術(shù)可使功率電子器件的工作溫度突破200°C，顯著超越傳統(tǒng)焊接型硅基元件150°C的峰值溫度限制。隨著工作溫度提升，模塊整體過熱風(fēng)險加劇，因此實現(xiàn)高精度、低延遲的溫度監(jiān)

  溫度傳感器 溫控 電子器件

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• 發(fā)布了文章 2025-05-06 14:08

  新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

  

  近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的又一次進(jìn)步。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構(gòu)的電驅(qū)動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相

  IGBT SiC 高電壓

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