動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-10 10:05

  全球半導(dǎo)體市場持續(xù)增長 2025年5月銷售額達(dá)590億美元

  

  根據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，2025年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到590億美元，較2024年5月的492億美元增長了19.8%。這一增長趨勢不僅反映了半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇，也顯示出行業(yè)需求的持續(xù)上升。SIA總裁兼首席執(zhí)行官JohnNeuffer表示，5月全球半導(dǎo)體銷售表現(xiàn)強(qiáng)勁。不僅高于4月份的銷售總額，也遠(yuǎn)超去年同期的水平。這一銷售增長的背后，反

  人工智能 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-07-10 10:03

  浮思特 | (ABOV)現(xiàn)代單片機(jī)在現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用與技術(shù)趨勢

  

  當(dāng)今，微控制器(MCU)已成為最核心的計算技術(shù)之一，其存在是所有嵌入式應(yīng)用的基礎(chǔ)。微控制器提供了無數(shù)計算解決方案，有些甚至專為特定應(yīng)用場景設(shè)計，例如電機(jī)控制。電機(jī)控制應(yīng)用通常通過組合專用電機(jī)控制單元和系統(tǒng)控制單元來實現(xiàn)，兩者均采用微控制器及相關(guān)軟件。部分微控制器專為同時控制多臺永磁電機(jī)而設(shè)計，可應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、洗碗機(jī)等設(shè)備。此外，工業(yè)領(lǐng)域的通用變頻器、不

  單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 微控制器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-09 09:58

  混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動汽車的最優(yōu)解?

  

  絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱，但其固有的高開關(guān)損耗和較慢開關(guān)速度會降低系統(tǒng)效率，尤其在高頻和低負(fù)載工況下表現(xiàn)更為明顯。相比之下，基于SiC的逆變器雖具有更低開關(guān)損耗和更高效率，但其制造成本較高且依賴先進(jìn)工藝?；旌蟂iC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速與IG

  IGBT SiC 電動汽車 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-08 10:28

  浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)

  

  本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計方面的進(jìn)展，重點關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用，以及開爾文源極連接結(jié)構(gòu)對高頻應(yīng)用效率的優(yōu)化效果。同時分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定導(dǎo)通電阻(Rsp)與短路耐受時間(SCWT)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計思路。PowerMaster擴(kuò)展了其增強(qiáng)型碳化硅(eSiC)MOSFE

  MOSFET SiC 封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-07-07 10:33

  臺積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù)，力積電接手相關(guān)訂單

  

  近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競爭激烈的半導(dǎo)體市場環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺積電退出GaN市場的原因主要與中國大陸市場的低價競爭有關(guān)。近年來，隨著氮化鎵技術(shù)的成熟和應(yīng)用需求的增長，許多廠商紛紛進(jìn)入這一領(lǐng)域，導(dǎo)致價格競爭加劇。面對不斷上

  力積電 臺積電 晶圓 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-07-07 10:32

  觸控芯片核心技術(shù)解析與選型指南

  

  觸摸控制器芯片是一種電路，它將輸入信號(接觸屏幕表面的手指或物體)轉(zhuǎn)換為可測量的信號。該信號經(jīng)過控制器軟件算法的計算和處理，以確定屏幕上的觸摸位置。觸摸屏控制器芯片設(shè)計有專用的外設(shè)引腳，以便與觸摸傳感器和主機(jī)處理器連接。通常，該電路安裝在柔性印刷電路板(FPC)上，該電路板將傳感器連接到主機(jī)處理器。觸摸芯片的功能是什么?無論采用何種觸摸技術(shù)(無論是電阻式還是

  控制器芯片 觸控芯片 觸摸控制器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-04 09:59

  浮思特 | 紅外熱成像原理與技術(shù)應(yīng)用詳解

  

  紅外熱成像技術(shù)，如同賦予人類“感知溫度”的視覺，通過捕捉物體散發(fā)的紅外輻射，將不可見的溫度分布轉(zhuǎn)化為清晰的圖像。這項技術(shù)正深刻地改變著我們觀察和理解世界的方式，從工業(yè)設(shè)備的精密檢測、安防監(jiān)控的穿透洞察，到智能環(huán)境的高效控制，其應(yīng)用日益深入生活與生產(chǎn)的方方面面。本文將帶您了解紅外熱成像的基礎(chǔ)原理、核心波段特性及其廣泛的應(yīng)用前景，探索這項技術(shù)如何將無形的熱能轉(zhuǎn)化

  紅外熱成像 紅外線 紅外輻射

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• 發(fā)布了文章 2025-07-03 10:23

  ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務(wù)器和工業(yè)電源高效能

  

  近期，ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源，尤其是在需要電池保護(hù)的場合。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)中心面臨著前所未有的計算需求，促使服務(wù)器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技術(shù)和高性能GPU的普及，進(jìn)一步加大了對提高電源效率的需求。為

  AI服務(wù)器 MOSFET Rohm

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• 發(fā)布了文章 2025-07-03 10:20

  電子設(shè)備NMB散熱風(fēng)扇核心技術(shù)：從基礎(chǔ)選型到耐環(huán)境設(shè)計

  

  散熱風(fēng)扇是電子設(shè)備內(nèi)部用于關(guān)鍵熱管理的核心組件，其作用遠(yuǎn)超簡單的“吹風(fēng)”，涵蓋散熱、通風(fēng)及空氣循環(huán)等多種功能。理解其技術(shù)特性對于設(shè)備設(shè)計與可靠性至關(guān)重要。散熱風(fēng)扇的基本分類散熱風(fēng)扇主要依據(jù)輸入電源和氣流動力學(xué)原理分類：按電源：交流風(fēng)扇(ACFan)：直接使用交流電網(wǎng)供電。直流風(fēng)扇(DCFan)：使用直流電源，通常電壓較低(如5V,12V,24V,48V)，功

  散熱 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2025-07-02 09:52

  東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管，延續(xù)摩爾定律提供新思路

  

  據(jù)報道，東京大學(xué)的研究團(tuán)隊近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊的環(huán)繞式金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能，遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測試中，這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時，顯示出其在高壓和高溫等極端條件

  摩爾定律 晶體管

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