威兆半導體推出的VS2N7002K是一款面向 60V 低壓小信號場景的 N 溝道增強型 MOSFET，采用 SOT23 小型封裝，適配低功率信號開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型小信號 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓小信號場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V、I_D=500mA\)時典型值3Ω；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時760mA；
  • 最大功率耗散（\(P_D\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時1W。

二、核心特性

• 小型封裝：采用 SOT23 封裝，適配緊湊型、高密度電路板設(shè)計；
• 低閾值電壓：柵源閾值電壓（\(V_{GS(th)}\)）典型值2.5V@250uA，適配低壓驅(qū)動場景；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：SOT23 表面貼裝封裝，適配小型化電路設(shè)計；
• 典型應用：
  • 低功率信號開關(guān)電路；
  • 小型電源管理系統(tǒng)的輔助開關(guān)；
  • 便攜設(shè)備的低功耗負載控制。

五、信息來源

威兆半導體官方資料及電子元件商城公開參數(shù)（注：以上參數(shù)基于公開資料整理，實際以官方數(shù)據(jù)手冊為準。）