英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 1ED21x7 系列2025-05-21 17:07

  

  新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性?xún)r(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流的高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于Si/SiCMOSFET和IGBT開(kāi)關(guān)。設(shè)計(jì)采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)，1ED

  EiceDRIVER 英飛凌 驅(qū)動(dòng)器 856瀏覽量

• 英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破2025-05-20 10:35

  

  在全國(guó)兩會(huì)聚焦新能源汽車(chē)充換電基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)、力推超充網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)建、高速充電走廊建設(shè)及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來(lái)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過(guò)提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS和TRENCHSTOPIGBT，CoolSiCMOSFET和EiceDRIVER驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一

  新能源汽車(chē) 電能轉(zhuǎn)換 英飛凌 890瀏覽量

• 英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)2025-05-19 17:32

  

  本文是作者2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿第二部分，第一部分請(qǐng)見(jiàn)《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）》。英飛凌SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四大支柱SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四個(gè)支柱簡(jiǎn)單講，就是技術(shù)，質(zhì)量，產(chǎn)量和產(chǎn)品。技術(shù)優(yōu)勢(shì)要做好碳化硅MOSFET，在技術(shù)上需要做好兩件事情：性能穩(wěn)定的體二極管垂直結(jié)構(gòu)的功率MOSFE

  半導(dǎo)體 碳化硅 英飛凌 928瀏覽量

• 電力電子中的“摩爾定律”(2)2025-05-17 08:33

  

  04平面磁集成技術(shù)的發(fā)展在此基礎(chǔ)上，平面磁集成技術(shù)開(kāi)始廣泛應(yīng)用于高功率密度場(chǎng)景，通過(guò)將變壓器的繞組(winding)設(shè)計(jì)在pcb電路板上從而代替利茲線(xiàn)，從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大，一般不會(huì)超過(guò)4oz（140μm）,因此想要通過(guò)pcb傳輸大電流會(huì)有極大的損耗。為

  電力電子 電流 磁集成技術(shù) 770瀏覽量

• 新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK™ 3B模塊2025-05-16 17:08

  

  新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用EasyPACK3B封裝和最新開(kāi)發(fā)的1200VTRENCHSTOPIGBTH7和Emcon7芯片技術(shù)。該模塊采用大電流PressFIT壓接式引腳，配備N(xiāo)TC溫度傳感器，并針對(duì)儲(chǔ)能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，非常適用于1000VDC100kW功率變換系統(tǒng)。產(chǎn)

  IGBT 三電平 儲(chǔ)能 1129瀏覽量

• IPAC碳化硅直播季倒計(jì)時(shí)丨溝槽柵VS平面柵，孰是王者？2025-05-15 17:05

  

  直播時(shí)間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報(bào)名吧！直播間不定時(shí)會(huì)有禮品掉落，速速掃碼預(yù)約！520碳化硅首場(chǎng)直播，帶你直擊可靠性核心戰(zhàn)場(chǎng)！平面柵和溝槽柵，簡(jiǎn)約設(shè)計(jì)與繁復(fù)工藝的碰撞，單元均勻性與底部電場(chǎng)聚焦的較量，溝槽柵緣何在可靠性領(lǐng)域持續(xù)“占鰲”，成為行業(yè)標(biāo)桿？高溫下溝槽柵SiC電阻漂移，真的會(huì)成為其可靠性路上的“絆腳石”？低

  碳化硅 英飛凌 741瀏覽量

• 英飛凌與美的簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議：聚焦技術(shù)創(chuàng)新與智能綠色生活2025-05-14 10:08

  

  近期，英飛凌科技與美的集團(tuán)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過(guò)深度整合各自?xún)?yōu)勢(shì)資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應(yīng)等多維度加深合作，共同為消費(fèi)者提供綠色、安全、高效的產(chǎn)品與服務(wù)。英飛凌科技高級(jí)副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝，美的集團(tuán)副總裁兼首席可持續(xù)發(fā)展官李國(guó)林代表雙方正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。英飛凌科技高級(jí)副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝

  智能家電 美的 英飛凌 1446瀏覽量

• 新品 | EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊2025-05-13 17:04

  

  新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術(shù)，電流等級(jí)涵蓋75A、100A、150A、200A至300A。模塊采用PressFIT針腳技術(shù)和NTC。EasyDUAL1B和2B共發(fā)射極產(chǎn)品系列非常適合矩陣變換器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。產(chǎn)品型

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• 英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）2025-05-12 17:06

  

  本文是按照2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應(yīng)用提供了巨大潛力IGBT在大功率電力電子行業(yè)的應(yīng)用是在20年前發(fā)展起來(lái)的，當(dāng)年主要應(yīng)用在工業(yè)電源、UPS和變頻器等有限領(lǐng)域。但到了今天，整個(gè)電能生態(tài)鏈——新能源發(fā)電、輸配電、電能質(zhì)量改善等都成了IGBT的應(yīng)用大戶(hù)。而且，用電領(lǐng)域的范圍還在拓展，如熱泵

  SiC 碳化硅 英飛凌 857瀏覽量

• 電力電子中的“摩爾定律”(1)2025-05-10 08:32

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品，來(lái)自上?？萍即髮W(xué)劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出，集成電路每過(guò)一定時(shí)間就會(huì)性能翻倍，成本減半。那么電力電子當(dāng)中是否也存在著摩爾定律呢？1965年，英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾(GordonMoore)在《電子器件會(huì)議記錄》中提出，集成電路芯片上所能容納的晶體管數(shù)量每隔大約18至24個(gè)月會(huì)翻倍，同時(shí)成本也會(huì)相應(yīng)下降

  數(shù)據(jù)中心 電力電子 芯片 集成電路 1016瀏覽量