動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-29 08:04

  如何應(yīng)用英飛凌新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 提升系統(tǒng)效率

  

  CoolSiCMOSFETG21200V系列產(chǎn)品是英飛凌最新推出的SiCMOSFET產(chǎn)品，均采用了擴(kuò)散焊工藝（.XT）來(lái)降低結(jié)殼熱阻。TO247封裝器件的導(dǎo)通電阻從7mΩ到78mΩ。產(chǎn)品系列如下：上表給出了G1與G2建議的替代關(guān)系。比如G1IMZA120R040M1H同G2IMZC120R034M2H和IMZA120R034M2H處在同一行，可以相互替換。為

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-24 08:03

  IPAC 2026雙技術(shù)峰會(huì)報(bào)名火熱，重磅嘉賓邀你共赴技術(shù)盛宴

  

  IPAC雙技術(shù)峰會(huì)特別邀請(qǐng)到英飛凌與業(yè)內(nèi)權(quán)威技術(shù)專家，他們將憑借深厚的專業(yè)知識(shí)和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，為你深入剖析碳化硅（SiC）技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向與詳細(xì)規(guī)劃，同時(shí)全面解讀SiC在熱門(mén)應(yīng)用領(lǐng)域的行業(yè)動(dòng)態(tài)與技術(shù)前沿趨勢(shì)。英飛凌碳化硅零碳應(yīng)用技術(shù)大會(huì)時(shí)間：2026年5月22日地點(diǎn)：深圳特邀嘉賓：Dr.PeterFriedrichs碳化硅技術(shù)創(chuàng)新專家英飛凌科技未來(lái)社會(huì)將

  SiC 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-22 17:05

  SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時(shí)間選擇

  

  01SiCMOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無(wú)論是平面柵還是溝槽柵，SiCMOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1.溝槽型--英飛凌非對(duì)稱溝柵CoolSiCMOSFET圖2.平面柵型MOSFETN+襯底(Substra

  MOSFET SiC 體二極管

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• 發(fā)布了文章 2026-04-20 17:04

  新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高壓超結(jié)MOSFET 650V系列

  

  新品CoolMOSCFD7SJ高壓超結(jié)MOSFET650V系列650VCoolMOSCFD7是英飛凌最新高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)，集成快速體二極管，完善了CoolMOS7系列產(chǎn)品，CoolMOSCFD7具備更低的柵極電荷(QG)、優(yōu)化的關(guān)斷特性，其反向恢復(fù)電荷(QRR)較競(jìng)品最多可降低69%，并擁有業(yè)界最低的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)，底部散熱封裝最大程度降低導(dǎo)

  MOS MOSFET 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-16 17:05

  IPAC直播間丨英飛凌面向大功率組串式光伏的EasyHD3產(chǎn)品與應(yīng)用

  

  光伏系統(tǒng)在降低碳排放、提升電網(wǎng)可再生能源占比方面發(fā)揮著重要作用。在組串式光伏逆變器應(yīng)用中，功率密度與系統(tǒng)效率不斷提高的需求，持續(xù)推動(dòng)著功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)步，英飛凌全新EasyHD3系列產(chǎn)品正是為了實(shí)現(xiàn)更高功率密度和更高效率的目標(biāo)而推出的重磅產(chǎn)品。2026年4月28日，IPAC直播間將為您介紹英飛凌面向組串式光伏的全新EasyHD3系列產(chǎn)品。請(qǐng)大家鎖定頻道，趕

  光伏 半導(dǎo)體器件 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-15 18:19

  SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  

  英飛凌碳化硅應(yīng)用技術(shù)大會(huì)即將火熱開(kāi)啟，聚焦前沿技術(shù)，探討零碳未來(lái)，點(diǎn)擊下方圖片獲取更多詳情！SiCMOSFET的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導(dǎo)通電阻等因素限制，常見(jiàn)的單管額定電流多在幾十到兩百安培，而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場(chǎng)景，往往需要千安級(jí)的電流輸出，單管無(wú)法滿足。因此，SiCMOSFET的并聯(lián)應(yīng)用的場(chǎng)景越來(lái)越普遍。不管是SiCMOSFE

  MOSFET SiC 芯片

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• 發(fā)布了文章 2026-04-13 17:04

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬電距離封裝

  

  新品CoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件采用TO-2474pin高爬電距離封裝英飛凌采用高爬電距離封裝的TO-2474pinCoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件，在第一代技術(shù)優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)顯著提升，為更高性價(jià)比、高效率、緊湊型、易設(shè)計(jì)且可靠的系統(tǒng)提供先進(jìn)解決方案。該器件在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲芯宫F(xiàn)出優(yōu)異性能，廣泛適用于各類

  SiC 分立器件 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-10 09:07

  IPAC大會(huì)全面升級(jí)，2026年開(kāi)啟雙技術(shù)峰會(huì)！

  

  自2014年首屆舉辦以來(lái)，IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)已走過(guò)十二載征程。我們始終以“驅(qū)動(dòng)工業(yè)低碳轉(zhuǎn)型”為使命，深耕零碳技術(shù)領(lǐng)域，累計(jì)吸引上萬(wàn)名行業(yè)精英、專家學(xué)者及企業(yè)代表參與，成為業(yè)內(nèi)最具影響力的標(biāo)桿盛會(huì)。2026年，IPAC大會(huì)全面升級(jí)，開(kāi)啟雙技術(shù)峰會(huì)新篇章！為進(jìn)一步聚焦零碳技術(shù)前沿，英飛凌將于2026年首次推出兩大主題技術(shù)大會(huì)，誠(chéng)邀您共襄盛舉：英飛

  工業(yè) 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-09 17:06

  英飛凌與為光能源深度攜手，共筑固態(tài)變壓器（SST）高可靠新未來(lái)

  

  近日，英飛凌科技(以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”)與西安為光能源科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“為光能源”）正式達(dá)成深度合作，攜手開(kāi)啟能源技術(shù)革新新篇章。雙方將依托英飛凌領(lǐng)先的1200VTRENCHSTOPIGBT7及CoolSiCMOSFETG2碳化硅分立器件技術(shù)，賦能為光能源研發(fā)更緊湊、高效的通用固態(tài)變壓器（SST）產(chǎn)品，大幅提升其在儲(chǔ)能系統(tǒng)與充電樁領(lǐng)域的應(yīng)用效能。雙方還計(jì)

  SST 變壓器 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-08 17:31

  溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解

  

  對(duì)于我國(guó)的電力電子界來(lái)說(shuō)，固態(tài)變壓器（SST）并非是一個(gè)全新的話題，在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運(yùn)行、大型超充站項(xiàng)目里都有過(guò)試點(diǎn)實(shí)踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸，SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對(duì)的挑戰(zhàn)大于機(jī)遇。智算中心800V高壓直流供電系統(tǒng)概念的普及，和未來(lái)智能電網(wǎng)的電力潮流雙向流動(dòng)，讓SST的商業(yè)價(jià)值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW

  MOSFET SiC SST 變壓器

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