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浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑2025-05-28 11:38
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)了臺(tái)灣研究團(tuán)隊(duì)在工程襯底上開(kāi)發(fā)1500V擊穿電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST®)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范 -
臺(tái)積電加大投資布局 2納米制程研發(fā)取得積極進(jìn)展2025-05-27 11:18
近期，臺(tái)積電(TSMC)執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)秦永沛在一次公開(kāi)活動(dòng)中表示，公司的2納米制程研發(fā)進(jìn)展順利，未來(lái)將進(jìn)一步推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求的匹配。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)位于高雄的晶圓22廠進(jìn)行全期投資，預(yù)計(jì)總額將超過(guò)新臺(tái)幣1.5萬(wàn)億元(約合500億美元)。在全球半導(dǎo)體行業(yè)中，臺(tái)積電一直處于領(lǐng)導(dǎo)地位，其先進(jìn)制程的技術(shù)實(shí)力備受矚目。作為全球最大的半導(dǎo)體 -
浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn)：實(shí)現(xiàn)性能突破的關(guān)鍵2025-05-27 11:15
GaN技術(shù)正迎來(lái)其高光時(shí)刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開(kāi)關(guān)、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢(shì)，完美契合當(dāng)今AI基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)、可再生能源和工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)Ω咝Ц呙芏入娫聪到y(tǒng)的需求。但對(duì)于試圖將氮化鎵投入量產(chǎn)的工程師而言，這些性能提升并非唾手可得——它們植根于材料層面而非器件層面，這意味著我們必須直面一系列持續(xù)存在的材料挑戰(zhàn)。晶體生長(zhǎng)的奧秘首要認(rèn)知是：氮化 -
Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變2025-05-26 11:36
近日，行業(yè)先驅(qū)Wolfspeed被曝?cái)M通過(guò)破產(chǎn)保護(hù)程序?qū)嵤I(yè)務(wù)重組。這一動(dòng)向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)下的洗牌趨勢(shì)，也凸顯中國(guó)供應(yīng)鏈的快速崛起對(duì)傳統(tǒng)巨頭的沖擊。作為最早布局SiC領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，Wolfspeed曾憑借技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期主導(dǎo)市場(chǎng)。近年來(lái)，該公司為鞏固地位啟動(dòng)激進(jìn)的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃：投資20億美元的紐約8英寸晶圓廠于2022年投產(chǎn)，并計(jì)劃在北卡羅來(lái)納州 -
浮思特 | 實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器更智能的直流母線放電技術(shù)2025-05-26 11:32
在汽車(chē)逆變器中，高壓直流母線電容的放電通常需要龐大昂貴的外部元件，這不僅顯著推高了物料清單(BOM)成本(每個(gè)逆變器約4-6美元)，占用寶貴的PCB空間，更增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度——對(duì)于空間緊湊且成本敏感的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用尤為突出。恩智浦GD3162柵極驅(qū)動(dòng)器帶來(lái)了一項(xiàng)高度集成的解決方案，通過(guò)將放電功能直接嵌入驅(qū)動(dòng)IC，重新定義了系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的放電策略實(shí)施方式。 -
浮思特 | 超導(dǎo)與半導(dǎo)體單光子探測(cè)器：量子通信中的技術(shù)博弈2025-05-22 13:42
近日，英國(guó)創(chuàng)新署宣布啟動(dòng)MARCONI項(xiàng)目，旨在研發(fā)量子密鑰分發(fā)(QKD)接收器。面對(duì)當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)安全威脅，該機(jī)構(gòu)正通過(guò)兩項(xiàng)技術(shù)推動(dòng)QKD網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，以期構(gòu)建覆蓋英國(guó)的全域安全量子通信網(wǎng)絡(luò)。作為終端設(shè)備，這些接收器通過(guò)單光子探測(cè)器(圖1)實(shí)現(xiàn)量子密鑰的解碼與處理——該裝置能精確測(cè)量攜帶加密量子密鑰的單個(gè)光子量子態(tài)。圖1SPAD與SNSPD系統(tǒng)對(duì)比在QKD網(wǎng)絡(luò)的小型 -
浮思特 | 霍爾效應(yīng)傳感器：非接觸式電流測(cè)量的關(guān)鍵技術(shù)2025-05-21 11:58
霍爾效應(yīng)由埃德溫·霍爾于1879年發(fā)現(xiàn)，但直到數(shù)十年后技術(shù)發(fā)展才使得集成電路能夠充分利用這一現(xiàn)象。如今，霍爾效應(yīng)傳感器集成電路為實(shí)現(xiàn)精確電流測(cè)量提供了便捷方案，同時(shí)保持被測(cè)電流路徑與測(cè)量電路之間的電氣隔離。從洛倫茲力到霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是洛倫茲力的延伸，后者描述了運(yùn)動(dòng)電荷(如電子)在磁場(chǎng)中受到的力。當(dāng)磁場(chǎng)方向與電子運(yùn)動(dòng)方向垂直時(shí)，電子將受到一個(gè)既垂直于運(yùn)動(dòng)方向 -
霍爾效應(yīng)電流傳感器技術(shù)解析：開(kāi)環(huán)與閉環(huán)架構(gòu)的設(shè)計(jì)2025-05-20 11:59
電流傳感器在各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景中廣泛使用。傳統(tǒng)電阻式電流檢測(cè)技術(shù)通過(guò)測(cè)量分流電阻兩端的壓降來(lái)推算電流值，但這類(lèi)方案無(wú)法實(shí)現(xiàn)電氣隔離，且在測(cè)量大電流時(shí)能效較低。另一種主流技術(shù)基于霍爾效應(yīng)原理。霍爾電流傳感器通過(guò)感應(yīng)被測(cè)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)進(jìn)行非接觸測(cè)量，其電氣隔離特性可提供更高的安全性，同時(shí)避免了分流電阻方案中的功率損耗問(wèn)題。本文將深入解析霍爾電流傳感器的基本原理。開(kāi)環(huán)電 -
歐洲投資銀行計(jì)劃籌集700億歐元：致力于AI和半導(dǎo)體發(fā)展2025-05-19 11:30
當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月17日，歐洲投資銀行(EIB)行長(zhǎng)納迪婭·卡爾維尼奧在一次會(huì)議上透露，該行正在推進(jìn)一項(xiàng)雄心勃勃的新計(jì)劃，旨在到2027年籌集700億歐元，以提升歐洲在人工智能和半導(dǎo)體等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的能力。此項(xiàng)計(jì)劃被視為“科技?xì)W盟”項(xiàng)目的一部分，標(biāo)志著歐盟在全球高科技競(jìng)爭(zhēng)中的進(jìn)一步發(fā)展和戰(zhàn)略布局?？柧S尼奧在會(huì)議上強(qiáng)調(diào)，面對(duì)全球科技競(jìng)爭(zhēng)的加劇，尤其是在人工智能和半 -
浮思特 | 電子電路下拉電阻詳解：原理、計(jì)算與應(yīng)用指南2025-05-19 11:29
下拉電阻是電子電路設(shè)計(jì)中的重要組成部分，尤其在處理數(shù)字邏輯、晶體管和通信接口時(shí)。本教程將系統(tǒng)講解其基本原理、計(jì)算方式、應(yīng)用場(chǎng)景、選型要點(diǎn)、功耗考量，以及在晶體管和串行通信線路中的實(shí)際應(yīng)用。什么是下拉電阻?下拉電阻是連接在信號(hào)線(如微控制器輸入引腳或晶體管柵極)與地(GND)之間的電阻元件。其主要功能是確保當(dāng)信號(hào)線無(wú)主動(dòng)驅(qū)動(dòng)時(shí)，能穩(wěn)定維持在確定的低邏輯電平(通