深圳市浮思特科技有限公司文章

• 新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊2025-05-06 14:08

  

  近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動(dòng)汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的又一次進(jìn)步。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對(duì)400V和800V電動(dòng)汽車架構(gòu)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相

  IGBT SiC 高電壓 1004瀏覽量

• AI人工智能崛起：高性能MOSFET如何重塑能效架構(gòu)2025-05-06 14:03

  

  本文將聚焦AI對(duì)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的影響，以及這些變化對(duì)服務(wù)器和機(jī)架技術(shù)的意義。具體而言，我們將探討轉(zhuǎn)向48V架構(gòu)如何提升數(shù)據(jù)中心能效，以及高性能硅基MOSFET如何應(yīng)用于服務(wù)器、機(jī)架及相關(guān)設(shè)備以支持這一架構(gòu)演進(jìn)。數(shù)據(jù)中心與電力當(dāng)前數(shù)據(jù)中心約占全球總用電量的2%，但到2030年可能攀升至7%。直觀來看，屆時(shí)全球數(shù)據(jù)中心的整體用電量將與當(dāng)今印度全國(guó)的電力消耗規(guī)模相當(dāng)

  AI MOSFET 人工智能 846瀏覽量

• 芯聯(lián)集成2024年?duì)I收65.09億元：SiC業(yè)務(wù)領(lǐng)跑亞洲2025-04-30 11:54

  

  近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體龍頭芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年業(yè)績(jī)公告。數(shù)據(jù)顯示，公司全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入65.09億元，其中主營(yíng)業(yè)務(wù)收入62.76億元，同比增長(zhǎng)27.8%;歸母凈利潤(rùn)大幅減虧超50%，毛利率首次轉(zhuǎn)正至1.03%，標(biāo)志著公司經(jīng)營(yíng)質(zhì)量顯著提升。作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展備受關(guān)注。芯聯(lián)集成在SiCMOSFET領(lǐng)域表現(xiàn)亮眼，出貨量穩(wěn)居亞洲市

  SiC 半導(dǎo)體 1405瀏覽量

• 面板驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)動(dòng)態(tài)解析：策略調(diào)整與價(jià)格走勢(shì)2025-04-29 11:49

  

  根據(jù)全球知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的最新研究報(bào)告，今年上半年，面板行業(yè)品牌在操作策略上的調(diào)整，間接改變了面板驅(qū)動(dòng)IC(DriverIC)的價(jià)格走勢(shì)。這一趨勢(shì)引發(fā)了業(yè)內(nèi)人士的關(guān)注，尤其是在全球經(jīng)濟(jì)不確定性加大的背景下，面板驅(qū)動(dòng)IC的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)尤為重要。在過去的幾個(gè)月中，各大品牌廠和面板廠相繼調(diào)整了備貨節(jié)奏。這種調(diào)整使得庫(kù)存水平逐漸回歸到一個(gè)更為健康的狀

  IC 面板驅(qū)動(dòng) 2291瀏覽量

• 浮思特 | 萊姆電子(LEM)高精度數(shù)字電流傳感器技術(shù)解析2025-04-29 11:47

  

  在電力電子系統(tǒng)中，電流測(cè)量精度與可靠性直接影響系統(tǒng)性能。作為全球電流傳感器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，萊姆電子(LEM)推出的HMSRDA系列數(shù)字傳感器，通過多項(xiàng)專利技術(shù)創(chuàng)新，為現(xiàn)代工業(yè)與汽車電子提供了突破性解決方案。圖1核心技術(shù)創(chuàng)新1、Σ-Δ數(shù)字調(diào)制架構(gòu)萊姆電子獨(dú)有的二階Σ-Δ調(diào)制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)到數(shù)字比特流的直接轉(zhuǎn)換。該技術(shù)已應(yīng)用于HMSRDA系列，具備三大技術(shù)特性：

  lem 傳感器 電流傳感器 1690瀏覽量

• 意法半導(dǎo)體收購(gòu)多倫多初創(chuàng)公司Deeplite，助力邊緣AI技術(shù)發(fā)展！2025-04-28 11:28

  

  近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)宣布已成功收購(gòu)加拿大多倫多的初創(chuàng)公司Deeplite。這一戰(zhàn)略性收購(gòu)旨在加強(qiáng)意法半導(dǎo)體在邊緣人工智能(AI)技術(shù)領(lǐng)域的布局，并將Deeplite打造為其全資子公司，以便在未來更好地開發(fā)和推廣先進(jìn)的邊緣AI解決方案。Deeplite成立于2019年，是一家專注于AI模型優(yōu)化的軟件公司。其核心技術(shù)

  ST 人工智能 意法半導(dǎo)體 1287瀏覽量

• 浮思特 | SiC技術(shù)2025：突破性進(jìn)展與產(chǎn)業(yè)變革2025-04-28 11:27

  

  隨著電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)和高性能計(jì)算等新興技術(shù)將傳統(tǒng)硅技術(shù)推向極限，材料科學(xué)正在不斷發(fā)展以滿足新的性能需求。功率半導(dǎo)體技術(shù)面臨著在多樣化嚴(yán)苛應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高電壓運(yùn)行、更優(yōu)熱管理和更高能效的壓力。圖12024年，碳化硅功率電子領(lǐng)域取得多項(xiàng)重大進(jìn)展，這一趨勢(shì)持續(xù)至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在電子行業(yè)中，MOSFET、IGBT和肖特基二極管等開關(guān)

  SiC 功率半導(dǎo)體 1602瀏覽量

• SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊：高效能、超快開關(guān)與卓越熱管理2025-04-25 11:39

  

  近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì)，具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于太陽能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電以及高效服務(wù)器電源等高性能電力電子應(yīng)用。SemiQ此次發(fā)布的SiCMOSFET模塊采用優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)，相比前代產(chǎn)品，芯片尺寸更小

  SemiQ SiC 碳化硅 1338瀏覽量

• 浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略2025-04-25 11:34

  

  近年來，電力電子技術(shù)取得了重大進(jìn)展。從電動(dòng)汽車到可再生能源系統(tǒng)，逆變器在直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)上，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等硅基功率器件因其可靠性和成熟的制造體系，長(zhǎng)期主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更

  功率器件 寬禁帶 逆變器 1258瀏覽量

• 韓國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口銳減23.5%，貿(mào)易逆差現(xiàn)象引發(fā)關(guān)注2025-04-24 11:33

  

  根據(jù)韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度，韓國(guó)對(duì)華出口總額達(dá)288億美元，其中半導(dǎo)體出口額為137.3億美元，占對(duì)華出口總額的47%。然而，令人關(guān)注的是，韓國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口額較去年同期的179.4億美元下降了23.5%。這一趨勢(shì)引發(fā)了廣泛的關(guān)注，也暴露出中韓貿(mào)易關(guān)系中的新動(dòng)向。對(duì)于半導(dǎo)體出口的顯著下降，分析人士指出，主要有兩個(gè)方面的原因。首先，

  半導(dǎo)體 1245瀏覽量