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合成金剛石在半導(dǎo)體與量子領(lǐng)域的突破性應(yīng)用2025-04-24 11:32
合成金剛石因其在多種應(yīng)用中提供極致性能的卓越能力，被譽(yù)為"超級(jí)材料"。其獨(dú)特屬性可深刻改變工藝流程和終端產(chǎn)品性能，適用于半導(dǎo)體、傳感器和光學(xué)等廣泛領(lǐng)域。卓越特性與應(yīng)用價(jià)值電子工業(yè)主要采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法培育的合成金剛石。其碳原子以密集四面體結(jié)構(gòu)排列的分子結(jié)構(gòu)，賦予了無與倫比的強(qiáng)度與硬度。核心特性包括：·寬光譜透光性·超高導(dǎo)熱率·寬電子帶隙·優(yōu)異抗熱震 -
寬帶隙WBG功率晶體管的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)2025-04-23 11:36
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)? -
氮化鎵技術(shù)驅(qū)動(dòng)的高效逆變器設(shè)計(jì)：硅與GaN器件的比較分析2025-04-22 11:35
通過重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS，我們?cè)O(shè)定了一個(gè)目標(biāo)，即設(shè)計(jì)出改進(jìn)版的2kVI車輛逆變器。在開發(fā)過程中，我們比較了基于硅的IGBT和MOSFET解決方案與最近出現(xiàn)的常關(guān)型E-HEMTGaN器件的性能。本 -
上汽英飛凌無錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體項(xiàng)目 投資3.1億元提升產(chǎn)能！2025-04-21 11:57
近日，上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)(環(huán)評(píng))公告。該項(xiàng)目的總投資額達(dá)到3.1億元人民幣，計(jì)劃選址于無錫分公司，旨在進(jìn)一步提升其生產(chǎn)能力，以滿足日益增長的市場(chǎng)需求。隨著全球汽車行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是電動(dòng)汽車和智能汽車的崛起，對(duì)功率半導(dǎo)體的需求顯著增加。功率半導(dǎo)體是電動(dòng)車和混合動(dòng)力車中的重要組成部 -
霍爾效應(yīng)電流傳感技術(shù)：開環(huán)與閉環(huán)系統(tǒng)的比較與應(yīng)用2025-04-21 11:56
電流傳感器廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合。常見的技術(shù)是電阻式電流傳感，即測(cè)量分流電阻上的電壓降來確定未知電流?；诜至麟娮璧慕鉀Q方案不提供電氣隔離，并且在測(cè)量大電流時(shí)功率效率較低。另一種廣泛使用的技術(shù)基于霍爾效應(yīng)?；魻栃?yīng)電流傳感器由于其傳感器與待測(cè)電流之間的電氣隔離，提供了更高的安全性。它還避免了電阻式電流傳感方法中使用的分流電阻產(chǎn)生的高功耗。在本文中，我們將了解霍爾 -
臺(tái)積電2025年第一季度財(cái)報(bào)出爐：營收利潤略有下滑但同比大幅增長2025-04-18 11:48
在剛剛結(jié)束的法說會(huì)上，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電公布了2025年第一季度的財(cái)務(wù)報(bào)告。盡管該季度的營收和利潤環(huán)比略有下滑，但同比數(shù)據(jù)則顯示出顯著的增長，整體表現(xiàn)符合市場(chǎng)預(yù)期。根據(jù)臺(tái)積電的財(cái)報(bào)，第一季度的總營收和利潤較上一季度有所下降，這是由于市場(chǎng)需求的季節(jié)性波動(dòng)和全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響。然而，與2024年第一季度相比，營收和利潤均有大幅度提升，這表明公司在整體 -
浮思特 | 肖特基二極管如何在手機(jī)系統(tǒng)中提高射頻功率測(cè)量的準(zhǔn)確性與效率?2025-04-18 11:46
電流和電壓確實(shí)很重要，但功率給我們提供了更完整和更有用的射頻(RF)信息，原因有幾個(gè)。功率提供了一種更直接和方便的方式來表征射頻系統(tǒng)的性能、評(píng)估信號(hào)強(qiáng)度、優(yōu)化能量傳輸、確保安全以及分析系統(tǒng)性能。在大多數(shù)射頻應(yīng)用中，功率測(cè)量通常比高頻電流或電壓測(cè)量更相關(guān)且更易于準(zhǔn)確獲取。與其他射頻儀器相比，功率計(jì)在射頻功率測(cè)量中提供了最高的準(zhǔn)確性。這些儀器可以是專用的獨(dú)立設(shè)備 -
SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)2025-04-17 11:23
在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以滿足各行業(yè)對(duì)高功率密度和能效解決方案日益增長的需求。新推出的SiCMOSFET模塊采用強(qiáng)大的平面技術(shù)制造，具備耐用的柵氧化物結(jié)構(gòu)，并集成了可靠的體二極管，從而顯著提升 -
浮思特 | NoC架構(gòu)如何解決MCU設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)2025-04-17 11:22
微控制器(MCU)經(jīng)歷了顯著的變革，從基本的控制器發(fā)展為能夠處理日益復(fù)雜任務(wù)的專用處理單元。它們?cè)?jīng)僅限于簡單的命令執(zhí)行，現(xiàn)在支持快速?zèng)Q策、高度安全性和低功耗操作等多種功能。MCU的角色已經(jīng)擴(kuò)展到各個(gè)行業(yè)，從管理工業(yè)自動(dòng)化中的復(fù)雜控制系統(tǒng)到支持安全關(guān)鍵的車輛應(yīng)用以及在聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效能運(yùn)作。隨著MCU承擔(dān)的工作負(fù)載不斷增加，傳統(tǒng)的基于總線的互連方式已經(jīng)無法 -
LEM(萊姆)公司為家用電動(dòng)汽車充電器擴(kuò)展剩余電流監(jiān)控產(chǎn)品線2025-04-16 11:57
LEM公司為其CDSR系列剩余電流監(jiān)控設(shè)備推出創(chuàng)新產(chǎn)品。該新品提供三種輸出選項(xiàng)：故障輸出、SPI總線和模擬輸出，有效提升了交流壁掛式充電盒與充電電纜的安全性和可靠性。這款新型LEMCDSR設(shè)備為漏電流檢測(cè)提供了高性價(jià)比解決方案。它能有效消除電磁干擾，協(xié)助預(yù)防性維護(hù)，增強(qiáng)交流電動(dòng)汽車充電器的可靠性，讓消費(fèi)者對(duì)充電系統(tǒng)的安全性建立充分信任。作為B型剩余電流監(jiān)測(cè)器