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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 特瑞諾TRINNO高性能IGBT說明介紹2024-06-20 11:24

    今天為大家介紹一款特瑞諾(TRINNO)堅固耐用、性能卓越的IGBT,這款IGBT器件TGH80N65F2DS的額定電壓為650V,具有快速恢復反并聯(lián)二極管,漏電流極低,在高結溫和低結溫下也表現(xiàn)出出色的傳導和開關特性。TGH80N65F2DSIGBT采用先進的細溝槽柵極場截止(FS)技術,可確保整個器件的電場分布一致。該技術使IGBT能夠承受更高的擊穿電壓,
    IGBT 二極管 額定電壓 1656瀏覽量
  • 半導體行業(yè)供需分化,晶圓代工產能激增引價格上漲2024-06-19 11:15

    在全球宏觀經濟形勢的波動背景下,半導體市場下游需求展現(xiàn)出明顯的分化趨勢。傳統(tǒng)消費終端如顯示、PC、手機等領域的需求持續(xù)低迷,而新興領域如AI服務器、物聯(lián)網、新能源車等則呈現(xiàn)出強勁的增長勢頭。這一變化不僅重塑了半導體行業(yè)的市場格局,也推動了晶圓代工廠產能利用率的顯著提升。根據(jù)行業(yè)觀察,自今年第二季度開始,晶圓代工廠的產能利用率已經出現(xiàn)了明顯的回升。不少廠商已接
    半導體 新能源車 晶圓 1301瀏覽量
  • 用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率2024-06-19 11:13

    從理論上講,碳化硅(SiC)技術比硅(Si)具有優(yōu)勢,這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的,但只要關注該技術與硅的不同之處,以及如何優(yōu)化電路技術(例如軟開關),超越硅的實際應用,就可以從SiC中獲得更多收益。與硅相比,SiC的帶隙更寬,因此擊穿電壓和電子遷移率更高,從而降低了導通電阻。與硅相比,SiC的開關速度
    MOSFET SiC 電阻 碳化硅 1960瀏覽量
  • 深圳集成電路進口額穩(wěn)健增長,前五月增幅達21.1%2024-06-18 11:13

    在全球集成電路市場持續(xù)發(fā)展的背景下,深圳作為中國重要的經濟特區(qū),其集成電路進口額展現(xiàn)出強勁的增長勢頭。據(jù)深圳海關最新數(shù)據(jù),今年前五月,深圳集成電路進口額同比增長了21.1%,這一顯著增長不僅凸顯了深圳在全球集成電路貿易中的重要地位,也反映了深圳在電子信息產業(yè)領域的持續(xù)繁榮。從數(shù)據(jù)上看,今年前五個月,深圳集成電路進口額達到2668.5億元,同比增長21.1%。
    電子信息 集成電路 913瀏覽量
  • 氧化鎵器件,高壓電力電子的未來之星2024-06-18 11:12

    超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中,氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領域的未來應用潛力。本文總結了氧化鎵材料的一些固有特性,并展示了近期在高壓器件方面的一些進展。氧化鎵的固有材料特性氧化鎵的β相(β-Ga2O3)已成為評估UWBG材料選擇的關鍵候選。多個因素促成了這一點。表1列出了
    SiC 半導體 電力器件 1984瀏覽量
  • 全球芯片產業(yè)競速,汽車芯片產業(yè)迎發(fā)展風口2024-06-17 11:34

    在全球科技浪潮的推動下,人工智能技術的飛速發(fā)展正為芯片產業(yè)帶來前所未有的挑戰(zhàn)與機遇。特別是在汽車芯片市場,供不應求的局面已成為行業(yè)共識,全球目光紛紛聚焦于此。汽車芯片近日,在重慶舉辦的一場由大聯(lián)大商貿主辦的峰會上,業(yè)內專家與業(yè)界領袖共同探討了新能源汽車芯片產業(yè)的未來發(fā)展趨勢。大聯(lián)大商貿中國區(qū)總裁沈維中表示,重慶憑借其獨特的地理位置、豐富的資源和政策支持,在新
  • GaN智能功率模塊(IPM)實現(xiàn)高效電機驅動2024-06-17 11:32

    氮化鎵(GaN)在電力轉換應用中的優(yōu)勢為電源轉換器帶來了系統(tǒng)級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅動。在本文中,我們將重點介紹基于GaN的IPM,目標應用包括家用電器和供暖、通風和空調(HVAC)系統(tǒng)。寬禁帶半導體提高電器和HVAC系統(tǒng)的效率標準家用電器占全球能源消耗的相當大一部分。早在2024年4月,美國就引入了更嚴格的能
  • SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊2024-06-14 11:36

    近日,半導體器件領域企業(yè)SemiQ宣布,其QSiC™產品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、電動汽車(EV)充電站在內的多種高要求應用場景在尺寸和功率上的嚴格標準。這款新推出的SiC肖特基二極管技術亮點在于其無反向恢復電流的特性,這意味著開關過程中的損耗極低
  • 使用快速恢復二極管MOSFET在電源中的應用2024-06-14 11:35

    “超級結”技術由于其優(yōu)越的品質因數(shù),已經在擊穿電壓超過600V的功率MOSFET市場中占據(jù)主導地位。在設計基于超級結的功率器件時,工程師必須考慮一些因素,以提高電源應用中的效率、功率密度和可靠性。工程考慮因素如圖1所示,首先需要考慮的是P列從基區(qū)延伸,形成漂移區(qū)的“電荷平衡”,以實現(xiàn)更高的摻雜濃度,即相應區(qū)域的更低電阻。延伸的結區(qū)域帶來了過多反向恢復電荷的缺
    MOSFET 二極管 電源 1549瀏覽量
  • 電子元件市場展望樂觀,下半年將迎來強勁增長?2024-06-13 11:40

    根據(jù)最新的ECST(電子元件狀態(tài)調查)報告,2024年下半年電子元件銷售前景樂觀,預計將實現(xiàn)強勁增長。盡管5月份的調查顯示半導體、被動元件和機電元件的銷售信心受到一定打擊,但6月的展望顯示市場將迎來積極反彈。在5月份的調查中,半導體領域的銷售信心得分下滑明顯,跌幅超過18點。被動元件和機電元件雖然跌幅較小,但也呈現(xiàn)出市場下滑的趨勢。然而,這種短暫的低迷并未持
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