?MJD31C/MJD32C系列雙極功率晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設(shè)備,專為通用放大器和低速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。此....
基于onsemi HCPL2601M系列高速邏輯門光耦合器的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美HCPL2601M邏輯門光耦合器是一款單通道、10Mb/s高速光耦合器,由850nm鋁砷化鎵 ....
?基于NSS1001CL低壓飽和壓降晶體管的技術(shù)解析與應(yīng)用設(shè)計
安森美NSS100xCL通用低VCE(sat)晶體管是高性能雙極結(jié)型晶體管,設(shè)計用于汽車和其他要求苛....
NL3V4T244系列電壓電平轉(zhuǎn)換器技術(shù)深度解析
安森美NL3V4T244電壓電平轉(zhuǎn)換器是雙電源4位可配置雙電源電平。該電平轉(zhuǎn)換器工作在0.9V至3.....
NCV84160自保護高側(cè)MOSFET驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NCV84160自保護高側(cè)MOSFET驅(qū)動器是一款單通道驅(qū)動器,可用于開關(guān)螺線管、燈泡和執(zhí)行器....
?CAT24C64 64Kb I2C CMOS串行EEPROM技術(shù)深度解析
安森美 (onsemi) CAT24C64 64Kb I^2^C CMOS串行EEPROM在內(nèi)部為每....
?NSR0170肖特基勢壘二極管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) 肖特基勢壘二極管是超低正向壓降器件,專為緊湊型電子系統(tǒng)中的高效開關(guān)和整流而....
onsemi BAV99W雙串列開關(guān)二極管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi BAV99W小信號開關(guān)二極管是雙二極管,包含兩個串聯(lián)封裝在SC-70/SOT-323表....
FPF2266 電源開關(guān)全面解析:技術(shù)特性與應(yīng)用指南
安森美FPF2266電源開關(guān)是一款24V、4.5A器件,具有連續(xù)電流,適用于USB充電端口應(yīng)用。該電....
?NCP303160A智能功率模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NCP303160A柵極驅(qū)動器在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動器、高側(cè)MOSFET和低側(cè)MO....
MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個晶....
NCP81568高性能單相穩(wěn)壓器:面向計算應(yīng)用的完整解決方案
安森美NCP81568開關(guān)穩(wěn)壓器是一款具有SVID接口的單相穩(wěn)壓器,用于計算應(yīng)用。該開關(guān)穩(wěn)壓器是一款....
?基于NCV81071柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NCV81071柵極驅(qū)動器是高速雙路低側(cè)MOSFET驅(qū)動器,能夠為容性負載提供較大的峰值電流。....
?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET,....
onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET,具有低 ~RDS (....
?安森美NTBL032N065M3S碳化硅MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET專為快速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計,在負柵....
安森美NCV78514汽車LED驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NCV78514 1通道汽車led驅(qū)動器專為無MCU應(yīng)用而設(shè)計,集成了輸入電壓和LED....
基于EVBUM2909G-EVK評估板數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi EVBUM2909G-EVK子卡 是專為離散雙脈沖測試儀EVBUM2897設(shè)計的擴展套....
基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽(SiC)MOSFET性能卓越,在V~GS~ = 2....
基于onsemi EVBUM2880G-EVB評估板的1200V SiC MOSFET模塊設(shè)計與應(yīng)用
onsemi EVBUM2880G-EVB評估板設(shè)計用于評估1200V M3S半橋2包F1封裝模塊。....
?基于安森美EVBUM2878G-EVB評估板數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析
安森美 EVBUM2878G-EVB評估板設(shè)計用于評估采用F2封裝的1200VM3S全橋4-PAC....
onsemi NST817通用NPN晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 NST817通用NPN晶體管設(shè)計用于各種電子應(yīng)用,通常是低壓開關(guān)、放大和信號處理。這些器件....
NST807 通用PNP晶體管技術(shù)特性與應(yīng)用分析
onsemi NST807通用PNP晶體管專為通用開關(guān)和放大器應(yīng)用而設(shè)計。onsemi NST807....
?NCP3294可堆疊同步降壓穩(wěn)壓器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NCP3294疊加式同步降壓穩(wěn)壓器是一款高效的疊加式同步降壓穩(wěn)壓器,能夠在3V至18V....
?基于NTTFD1D8N02P1E N通道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)分析
安森美NTTFD1D8N02P1E N溝道MOSFET是一款雙通道25V電源夾非對稱器件。該N溝道M....