JSAB推出應(yīng)用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管
JSAB正式推出應(yīng)用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管，產(chǎn)品采用TO-263T 4L封裝，....
安建半導(dǎo)體推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)
安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，融合國(guó)內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì)，開(kāi)....
安建半導(dǎo)體持續(xù)擴(kuò)充中高壓MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 繼年初推出業(yè)界領(lǐng)先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺(tái)，同年已將中高....
安建團(tuán)隊(duì)赴廣汽集團(tuán)拜訪交流
2024年7月17日，安建董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理單建安教授與投資人代表胡強(qiáng)先生帶隊(duì)拜訪廣汽集團(tuán)，與廣汽集團(tuán)馮....
安建半導(dǎo)體出席第36屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際研討會(huì)
在前不久結(jié)束的ISPSD2024 征稿評(píng)比中，安建半導(dǎo)體以工作單位獨(dú)立參加碳化硅領(lǐng)域投稿，在口頭報(bào)告....
安建半導(dǎo)體推出針對(duì)大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件
近年來(lái)，工業(yè)及消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功....
安建半導(dǎo)體獲得超過(guò)2億元人民幣的C1輪融資
安建半導(dǎo)體C1輪融資圓滿收官，公司獲得超過(guò)2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國(guó)管順禧基金及中航投資領(lǐng)....
安建半導(dǎo)體推出全新150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和....
安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品....
JSAB瑞出應(yīng)用于乘用車電驅(qū)的750V-340A IGBT
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 第7代溝槽-場(chǎng)截止設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更低的VCE(sat)
● 低開(kāi)關(guān)損耗
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應(yīng)用于200kW及以上光伏逆變系統(tǒng)的1000V-400A ANPC三電平模塊
JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1000V-400A模塊，產(chǎn)品型號(hào)為 ....
安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓
依托于光刻機(jī)的光罩(Litho)工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝....
1200V-150A/225A/300A儲(chǔ)能用三電平模塊簡(jiǎn)介
JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1200V-150A/225A/300....
采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為 ....
1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能
1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源光伏和集中式儲(chǔ)能、大功率工業(yè)電機(jī)變頻及....
