2022年全球電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量達(dá)到1000萬(wàn)輛
去年全球電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量激增，主要受中國(guó)和歐洲的強(qiáng)勁增長(zhǎng)所推動(dòng)，為遭受經(jīng)濟(jì)放緩、高通脹和生產(chǎn)干擾等因素影....
中國(guó)2022年汽車(chē)銷(xiāo)量增長(zhǎng)2.1% 電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量超日本新車(chē)銷(xiāo)量
統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2022年全年乘用車(chē)銷(xiāo)量為2356.3萬(wàn)輛，比上年增長(zhǎng)9.5%。其中，電動(dòng)汽車(chē)和插電式....
如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率
交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)....
UnitedSiC在追求精益求精的過(guò)程中不斷推動(dòng)SiC進(jìn)步
今天的開(kāi)關(guān)選擇多種多樣，IGBT因低導(dǎo)電損耗而受到極大功率應(yīng)用的青睞，MOSFET則憑借能盡量減小相....
利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效
CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3....
UintedSiC銀燒結(jié)技術(shù)在碳化硅市場(chǎng)中獨(dú)樹(shù)一幟
隨著邏輯晶體管面積不斷減小至亞微米級(jí)尺寸，它能以更低的總體成本進(jìn)行更快的運(yùn)行并損耗較低的功率。事實(shí)上....
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但....
SiC FET的起源和發(fā)展
高頻開(kāi)關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JF....
SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)及起源和發(fā)展介紹
高頻開(kāi)關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JF....
SiC FET器件的特征
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。....
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器成為更好的器件選擇工具
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易....
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平；甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)....
