碳化硅功率器件技術(shù)可靠性！
前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅....
碳化硅和氮化鎵的特性、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用范圍
與硅相比，SiC和GaN（不僅作為寬帶隙半導(dǎo)體，而且作為材料本身）在品質(zhì)因數(shù)（εμeEc3）方面顯示....
碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）
一旦硅開(kāi)始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化....
氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)！
傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其....
氮化鎵半導(dǎo)體的興起！
氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?；贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快....
第三代化合物半導(dǎo)體材料有利于5G基站的應(yīng)用
與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（Ga....
SiC功率器件的主要特點(diǎn)
基于以日本、美國(guó)和歐洲為中心對(duì)生長(zhǎng)、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)....
AFE拓?fù)涞膽?yīng)用優(yōu)勢(shì)
針對(duì)任何應(yīng)用領(lǐng)域的工程師都加入了他們對(duì)效率、功率密度和成本的擔(dān)憂(yōu)。而且，即使他們還沒(méi)有用它進(jìn)行設(shè)計(jì)....
基于碳化硅系統(tǒng)支持的趨勢(shì)
推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的綠色意識(shí)和法規(guī)推動(dòng)了電池技術(shù)和碳化硅設(shè)計(jì)的創(chuàng)新，以改變綠色能源的產(chǎn)生。
