思坦科技公開(kāi)展示全球已發(fā)布最高PPI的Micro LED微顯示器
CES 2024展會(huì)于1月9日-1月12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行。此前，國(guó)產(chǎn)Micro LED微顯示初....
理想汽車下一代800V高壓純電車型將采用安森美EliteSiC1200V裸芯片
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：2024 年1月 9日，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納....
安森美推出九款全新Elite SiC功率集成模塊
2024年1月8日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON....
固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)
在過(guò)去的十年里，固態(tài)照明行業(yè)創(chuàng)造了數(shù)萬(wàn)億美元的收入，引領(lǐng)了全球照明領(lǐng)域的能源革命。
2029年襯底和外延晶圓市場(chǎng)將達(dá)到58億美元，迎來(lái)黃金發(fā)展期
在功率和光子學(xué)應(yīng)用強(qiáng)勁擴(kuò)張的推動(dòng)下，到2029年，全球化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到58億....
國(guó)電南自引領(lǐng)儲(chǔ)能核心技術(shù)突破，碳化硅功率模塊助雙碳目標(biāo)實(shí)現(xiàn)
中國(guó)電科基礎(chǔ)辦付興昌表示：“碳化硅器件在電網(wǎng)和儲(chǔ)能領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用空間，希望雙方未來(lái)能發(fā)掘出更多的合....
一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案
金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率（高達(dá)2000 W/m·K），在大功率激光器、微波器件和集成電....
第三代半導(dǎo)體龍頭涌現(xiàn)，全鏈布局從國(guó)產(chǎn)化發(fā)展到加速出海
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等....
Micro LED企業(yè)辰顯光電完成數(shù)億元A輪融資
1月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，維信諾參股公司成都辰顯光電有限公司（以下簡(jiǎn)稱“辰顯光電”）于近日順利完成數(shù)....
新疆首個(gè)用于超特高壓換流站的高壓電力電子實(shí)驗(yàn)室正式投入使用
近日新疆首個(gè)用于超特高壓換流站大功率半導(dǎo)體器件性能分析的高壓電力電子實(shí)驗(yàn)室正式投入使用，順利完成3支....
日本團(tuán)隊(duì)公布金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展
早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開(kāi)發(fā)了一種結(jié)構(gòu)，其中金剛石表....
基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究
硅基光電集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低時(shí)延的優(yōu)勢(shì);無(wú)需過(guò)分追求工藝尺寸的縮小。硅光產(chǎn)業(yè)今年市場(chǎng)....
益中封裝擴(kuò)建車規(guī)Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線
近日，據(jù)晶能微電子官微消息，浙江益中封裝技術(shù)有限公司舉行一期擴(kuò)建項(xiàng)目開(kāi)工儀式。
富士電機(jī)將投2000億日元提高功率半導(dǎo)體產(chǎn)能
據(jù)日經(jīng)新聞消息，日本富士電機(jī)(Fuji Electric)將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體....
芯微泰克功率器件超薄芯片背道加工線項(xiàng)目投產(chǎn)
12月27日，浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯微泰克”）功率器件超薄芯片背道加工線項(xiàng)目正式通....
低成本垂直GaN功率器件研究
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料....
碳化硅SiC的高溫氧化研究
SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導(dǎo)性能和機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì)，因此受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。
面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)
近年來(lái)，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快，但與....
單晶藍(lán)綠雙波長(zhǎng)LED在寬色域背光應(yīng)用的研究
利用具有窄波峰寬和精確可調(diào)峰值的色轉(zhuǎn)換材料是當(dāng)今電視和顯示器背光中獲得寬色域 (WCG) 的常見(jiàn)方法....
普興電子:200mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng)
當(dāng)前，SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件，有效的降低了提升了開(kāi)關(guān)速度，降低了能量....
武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展
近日，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組和斯洛伐克科學(xué)院Filip Gucmann課題組合作，在國(guó)際權(quán)....
意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議助力800V平臺(tái)
12 月 22 日消息，據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議....
