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目前，越來越多的應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)電源系統(tǒng)的功率密度及轉(zhuǎn)換效率提出了更高的要求，在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，不僅功率密度是眾多要素之一，其他比如電源系統(tǒng)架構(gòu)、多種開關(guān)拓?fù)洹?a target="_blank">電源模塊和基于分立器件設(shè)計(jì)的封裝技術(shù)，每一項(xiàng)都發(fā)揮重要的作用。此外，效率也是其中的一個(gè)要素，如配電網(wǎng)絡(luò) (PDN) 設(shè)計(jì)、達(dá)到負(fù)載點(diǎn)電壓轉(zhuǎn)換步驟的數(shù)量，以及轉(zhuǎn)換器拓?fù)渑c磁性材料設(shè)計(jì)。對(duì)于眾多工程師而言，提高功率密度與效率需要在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中進(jìn)行權(quán)衡。
破解損耗的難題
Vicor全球市場營銷副總裁Phil Davies表示，近年來電源系統(tǒng)的一個(gè)巨大變化是：由于性能及功能要求的提高，負(fù)載功率需求也在不斷攀升。工程師現(xiàn)在更頻繁地發(fā)現(xiàn)，與其配電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)相關(guān)的損耗日趨嚴(yán)重，因而他們不得不轉(zhuǎn)而采用更高的電壓來降低I2R損耗，由此增加了電壓轉(zhuǎn)換器的壓力，因?yàn)槠浔仨氃诟蠓秶鷥?nèi)工作。“例如，400V至48V或48V至1V，而非傳統(tǒng)的12V配電。這些更高的PDN電壓現(xiàn)在用于數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)系統(tǒng)?！?Phil說，“如果采用傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換器拓?fù)鋵?8V轉(zhuǎn)換為1V，通常意味著損失效率，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的方式是典型兩級(jí)轉(zhuǎn)換，即從 48V到12V、然后再從12V到負(fù)載點(diǎn)。工程師必須在使用兩個(gè)轉(zhuǎn)換器（帶來的密度挑戰(zhàn)）還是采用改進(jìn)的PDN（提高效率）兩者之間進(jìn)行權(quán)衡?！?/span>
圖：Phil Davies,Vicor全球市場營銷副總裁
Vicor為這些高難度設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供了領(lǐng)先的模塊化電源解決方案。“我們擁有獨(dú)特的電源系統(tǒng)架構(gòu)、拓?fù)鋵＠约胺庋b實(shí)力，并始終致力于為不斷提高密度和效率而創(chuàng)新?！?Phil說，“我們的解決方案消除了對(duì)密度和效率兩者的權(quán)衡與折衷?！?/div>Vicor通過其分比式電源架構(gòu)、ZVS/ZCS（零電壓、零電流開關(guān)）拓?fù)浜驼艺穹D(zhuǎn)換器拓?fù)浼夹g(shù)，為業(yè)界提供了最高的密度和效率。通過將高壓直接轉(zhuǎn)換成中間母線電壓或負(fù)載點(diǎn)電壓，Vicor的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還消除了高成本的轉(zhuǎn)換步驟。此外，該公司擁有專利的ChiP封裝技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高密度，而其集成型的磁性器件則可簡化設(shè)計(jì)?！拔覀兊漠a(chǎn)品不斷最大限度地提高這些技術(shù)的優(yōu)勢，幫助我們?yōu)楣こ處熖峁┙鉀Q方案，解決他們最艱巨的電源設(shè)計(jì)難題。” Phil說，“我們提供模塊化解決方案，而不是一包零散部件，因此可簡化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)任務(wù)?！?/div>也正是因?yàn)閂icor有自己的高頻率、獨(dú)特的拓?fù)鋵＠O(shè)計(jì)，因此他們可以繼續(xù)使用標(biāo)準(zhǔn)硅FET，其優(yōu)勢仍遠(yuǎn)高于GaN和SiC這類高帶隙電源器件——這類器件是依賴低頻率PWM開關(guān)拓?fù)涞碾娫垂镜倪x擇。新的變化和挑戰(zhàn)
眼下，數(shù)據(jù)中心、新能源汽車包括5G基站等新興應(yīng)用為電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了新的變化和挑戰(zhàn)。比如在極高功率系統(tǒng)中采用48V PDN，甚至380V PDN，現(xiàn)已變得越來越普及。Phil表示，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，由于高性能計(jì)算和人工智能的出現(xiàn)，推動(dòng)許多云數(shù)據(jù)中心的機(jī)架電源從傳統(tǒng)10KW 增長至20KW 以上。在高性能計(jì)算數(shù)據(jù)中心，背板上的電源現(xiàn)在是兩個(gè)48V服務(wù)器設(shè)計(jì)外加380V DC配電。電源系統(tǒng)工程師現(xiàn)在面臨幾項(xiàng)挑戰(zhàn)。Phil表示，以AI處理器電路板的電源設(shè)計(jì)為例，處理器電流的急劇上升始于2017年，客戶希望為其AI GPU和ASIC提供500A、1V以下的嚴(yán)格穩(wěn)壓解決方案。這帶來了一項(xiàng)非常艱巨的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)多相降壓陣列密度不夠，無法盡可能靠近處理器放置，也就是說穩(wěn)壓器和處理器之間會(huì)有大約200μΩ至400μΩ的PDN電阻。在500A和400μΩ的PDN電阻的情況下，電路板上會(huì)有100W的功耗。這就意味著，假設(shè)處理器功耗為400W，系統(tǒng)效率會(huì)因PDN的原因降至75%。由于PDN電阻和電流都很高，因此12V 多相解決方案無法滿足性能需求。而隨著處理器電流需求持續(xù)提升至1000至1500A峰值，需要全新的方法來顯著降低PDN電阻以及相關(guān)電路板功率及效率損耗。Vicor提供了一種方法——通過在封裝產(chǎn)品上提供橫向及縱向分比式電源，解決了這一極為艱巨的復(fù)雜難題。橫向解決方案可將PDN電阻降至50μΩ，而縱向解決方案則可將其降至5μΩ。這樣，在縱向供電情況下，一項(xiàng)1000A的GPU或ASIC電源設(shè)計(jì)在電阻為50μΩ時(shí)，會(huì)消耗5W的PDN電源。這一方法使得Vicor在AI處理器電源市場處于領(lǐng)先地位。除了AI處理器，目前在電動(dòng)或弱混汽車中也有許多需要轉(zhuǎn)換的電壓。“我們經(jīng)常聽客戶說，他們?cè)趯ふ?000V、800V、400V以及48V的極高功率轉(zhuǎn)換器?！?Phil說，“Vicor產(chǎn)品的密度、效率和重量優(yōu)勢引起了他們的高度關(guān)注。從上市時(shí)間和設(shè)計(jì)簡化的角度來看，我們的模塊化解決方案也被視為一項(xiàng)重大優(yōu)勢。控制設(shè)計(jì)成本
在影響電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)用的諸多因素中，成本是“影響決策”最關(guān)鍵的一環(huán)。Phil認(rèn)為，電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本有許多不同的方面，可在開發(fā)期間針對(duì)上市時(shí)間、市場份額及系統(tǒng)質(zhì)量進(jìn)行判斷。開發(fā)時(shí)間過長可能會(huì)導(dǎo)致成本增加：資源被當(dāng)前項(xiàng)目占用會(huì)造成錯(cuò)失商機(jī)的成本，而競爭對(duì)手搶先占領(lǐng)市場則會(huì)降低市場份額。一旦系統(tǒng)投入市場，性能和質(zhì)量都非常重要，因?yàn)榇罅康某杀径寂c因質(zhì)量差而退貨、現(xiàn)場服務(wù)和客戶流失有關(guān)。舉例來說，如果因?yàn)殡娫聪到y(tǒng)的低效率而導(dǎo)致系統(tǒng)效率低下，則設(shè)備可能會(huì)發(fā)熱，使用壽命會(huì)非常有限。系統(tǒng)也會(huì)因使用龐大的散熱管理系統(tǒng)來散熱而變得非常笨重。“許多客戶只會(huì)關(guān)注材料清單和設(shè)備成本。這是目光短淺的，根本沒有考慮我提到的許多關(guān)鍵問題?！?Phil說，“在開發(fā)和生產(chǎn)過程中以及整個(gè)生命周期，都必須考慮總體系統(tǒng)成本，以及可以實(shí)現(xiàn)的市場份額。這對(duì)于高性能產(chǎn)品來說非常重要。Vicor非常清楚每個(gè)模塊單位電流或單位功耗的成本必須符合其所在市場的實(shí)際狀況，而且由于Vicor產(chǎn)品的高密度，我們能夠?qū)崿F(xiàn)極具競爭力的模塊成本?！?/strong>Phil表示，用戶是否選用Vicor的產(chǎn)品和他們的需求密切相關(guān)：如果用戶在空間和性能方面沒有特別要求，可使用普通電源解決方案或每次都希望構(gòu)建其自己的分立式電源系統(tǒng)，那Vicor就不適合他們?！拔覀兲峁┑哪K化解決方案不僅性能高、密度高，而且簡單易用?！?Phil說，“我們堅(jiān)信，幫助客戶以更高的系統(tǒng)性能為其解決方案實(shí)現(xiàn)差異化，這將為他們提供一項(xiàng)極具競爭力的優(yōu)勢?！?/div>新興市場前景廣闊
目前，48V服務(wù)器、AI GPU和ASIC這類電源市場需求增長很快，Vicor在前者市場占有很大份額，在后者新興市場占據(jù)主導(dǎo)地位。此外。弱混汽車開始采用48V配電系統(tǒng)，純電動(dòng)輕型車及汽車市場也存在巨大的商機(jī)，因此Vicor開始進(jìn)入汽車市場，而自動(dòng)駕駛汽車的興起，進(jìn)一步推動(dòng)了Vicor的解決方案在深度學(xué)習(xí)應(yīng)用數(shù)據(jù)中心市場以及推斷計(jì)算汽車市場的需求。在5G系統(tǒng)方面，Vicor已經(jīng)開始與幾家通信公司合作——通信設(shè)備不僅有極大電流網(wǎng)絡(luò)ASIC，而且正在向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)發(fā)展，這就意味著核心電壓會(huì)更低，有些會(huì)低至0.4V。除了新興市場，通用工業(yè)市場的電源系統(tǒng)正在從基本定制分立器件設(shè)計(jì)向模塊化解決方案轉(zhuǎn)變，越來越多的用戶需要高密度和高性能?！敖衲晖硇r(shí)候，Vicor將進(jìn)入AC-DC市場，為單相和三相AC系統(tǒng)提供極高密度的模塊化前端解決方案，這將為我們?cè)谠S多市場和應(yīng)用帶來令人振奮的全新機(jī)遇?！?Phil說，“我們的負(fù)載點(diǎn)效率不斷提升。以每平方毫米安培為單位進(jìn)行電流密度測量，目前Vicor的密度是最接近的競爭對(duì)手的3倍！就前端而言，以每立方英寸瓦特為單位進(jìn)行測量，Vicor某些產(chǎn)品的功率密度是最接近的競爭對(duì)手的10倍！我們正在和全球各大公司合作，逐年擴(kuò)大客戶群。我堅(jiān)信，Vicor的未來無限美好！”
- Vicor(60532)
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本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯?duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。2025-05-15 15:28:571760
analog devices方案：在LTspice仿真中使用GaN FET模型
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（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲2021-04-06 17:50:53GaN FET在應(yīng)用中的可靠性
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基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器2019-07-31 06:16:52SiC/GaN功率開關(guān)有什么優(yōu)勢
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用UCC27611搭建的驅(qū)動(dòng)GaN FET電路，在FET的Drain極不加電源時(shí)，UCC27611輸出波形正常，FET的Drain極加電時(shí)，UCC27611輸出端檢測到干擾波；（紅框中為正常輸出波形，黃色框中為干擾波）。請(qǐng)幫忙看下是什么問題，謝謝2024-12-20 08:22:06CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
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較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。使用壽命預(yù)測指標(biāo)功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及2019-07-12 12:56:17報(bào)名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)2017-07-11 14:06:55有效實(shí)施更長距離電動(dòng)汽車用SiC功率器件
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟2019-08-11 15:46:45第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯 1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅2017-06-16 10:37:22適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至2020-12-21 07:09:34采用SiC-FET的PSR反激參考設(shè)計(jì)
描述 此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W2022-09-27 06:03:07驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能2018-10-22 17:01:41用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能
氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。2016-05-09 17:06:56“ALO”手機(jī)-未來的概念手機(jī)？
這款手機(jī)設(shè)計(jì)甩iPhone好幾條街， 概念的讓人無法接受.預(yù)測是未來的新手機(jī).2017-03-22 17:04:23新技術(shù) 氮化鎵(GaN)將接替硅
對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。2020-07-04 10:32:52半導(dǎo)體材料：Si、SiC和GaN
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。2020-08-27 16:26:00GaN技術(shù)可突破硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限
GaN技術(shù)突破了硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限，可為各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來直接和間接的性能效益。在電動(dòng)車領(lǐng)域，GaN技術(shù)可直接降低功率損耗，從而為汽車實(shí)現(xiàn)更長的行駛里程。同時(shí)，更高效的功率2020-09-18 16:19:17利用C2000? 實(shí)時(shí)MCU 提高GaN 數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。2022-02-08 16:32:444
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。2022-07-25 09:15:05用于新型電力電子的 GaN、SiC
我們深入探討了 WBG 技術(shù)的前景和缺陷，考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點(diǎn)，以及汽車和 5G 等要求苛刻的應(yīng)用是否足以將 GaN 和 SiC 技術(shù)推向未來芯片設(shè)計(jì)的前沿。2022-07-27 15:44:03適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。2022-07-29 08:06:37GaN和SiC功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)
，這意味著鎵和晶格中的氮原子比硅之間的多，”Lidow 說。“它與 SiC 非常相似，兩者的帶隙都約為 3.26，”Lidow 說。2022-08-03 08:04:2948V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
解決方案需要額外的 IC，這會(huì)增加額外的復(fù)雜性和挑戰(zhàn)。在本文中，作者介紹了一種兼容 GaN FET 的模擬控制器，該控制器的物料清單數(shù)量少，使設(shè)計(jì)人員能夠像使用硅 FET 一樣簡單地設(shè)計(jì)同步降壓轉(zhuǎn)換器，并提供卓越的性能。 眾所周知，與傳統(tǒng)的硅 FET 相比，氮化鎵 (GaN) FET 已顯2022-08-04 09:58:08SiC FET器件的特征
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。2022-10-31 09:03:23SiC FET性能和優(yōu)勢及起源和發(fā)展介紹
高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。2022-11-11 09:11:55SiC FET的起源和發(fā)展
高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。2022-11-11 09:13:27SiC和GaN，會(huì)把硅功率器件趕出歷史舞臺(tái)？
云計(jì)算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機(jī)等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗，但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)還需要一些時(shí)間。2023-01-11 14:23:18SiC和GaN功率電子器件的優(yōu)勢和應(yīng)用
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場。2023-02-05 14:25:15Gan FET：為何選擇共源共柵
在過去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個(gè)關(guān)鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？2023-02-09 09:34:12SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)
從人類的角度來看，幾代人過得很慢，在人們的記憶中，從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，代際發(fā)展更快，自 4 年 750 月推出 2020V SiC FET 以來，SiC FET 現(xiàn)已達(dá)到第 <> 代。2023-02-17 09:20:03采用 TO-247 封裝的 650V,35 mΩ 氮化鎵(GaN) FET-GAN041-650WSB
采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB2023-02-17 18:46:49MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...2023-02-17 19:13:16了解功率 GaN FET 數(shù)據(jù)表參數(shù)-AN90005
了解功率 GaN FET 數(shù)據(jù)表參數(shù)-AN900052023-02-17 20:08:30利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。2023-03-20 10:22:40SiC和GaN的共源共柵解決方案
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。2023-03-29 14:21:05什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對(duì)比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。2023-04-25 15:08:21碳化硅（SiC）技術(shù)取代舊的硅FET和IGBT
所有類型的電動(dòng)汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動(dòng)公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅(qū)動(dòng)這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動(dòng)器來實(shí)現(xiàn)，許多非汽車或非車輛應(yīng)用將受益。2023-05-06 09:38:50支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。2023-05-30 09:03:15C2000實(shí)時(shí)微控制器(MCU)應(yīng)對(duì)GaN開關(guān)挑戰(zhàn)
與碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。2023-07-24 14:15:30利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。2023-07-23 17:12:20GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。2023-08-09 10:23:39安世推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET GAN FET
。Nexperia（安世半導(dǎo)體）在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，從 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半導(dǎo)體）豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。2023-08-10 13:55:54怎么做到EMC設(shè)計(jì)與產(chǎn)品設(shè)計(jì)同步？（上）
怎么做到EMC設(shè)計(jì)與產(chǎn)品設(shè)計(jì)同步？|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC（上）2023-08-28 14:56:18怎么做到EMC設(shè)計(jì)與產(chǎn)品設(shè)計(jì)同步？（中）
怎么做到EMC設(shè)計(jì)與產(chǎn)品設(shè)計(jì)同步？（中）相信不少人是有疑問的，今天深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司就跟大家解答一下！2023-08-29 10:34:39以更小封裝實(shí)現(xiàn)更大開關(guān)功率，Qorvo SiC FET如何做到的？
（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無疑已經(jīng)做到了這一點(diǎn)。 與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方面都有了質(zhì)的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技術(shù)用于采用TO-Leadless（TOLL）封裝的750V器件開發(fā)，并擴(kuò)大了其領(lǐng)先優(yōu)勢。2023-08-29 18:10:01怎么做到EMC設(shè)計(jì)與產(chǎn)品設(shè)計(jì)同步？（下）
怎么做到EMC設(shè)計(jì)與產(chǎn)品設(shè)計(jì)同步？|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC（下）2023-08-30 10:44:55聯(lián)合SiC的FET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
聯(lián)合SiC的FET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果2023-09-27 15:15:17如何設(shè)計(jì)一種適用于SiC FET的PCB呢？
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。2023-10-19 12:25:58GaN和SiC在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用
設(shè)計(jì)人員正在尋求先進(jìn)技術(shù)，從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù)，從而在創(chuàng)新方面邁出下一步。他們尋求用于電動(dòng)汽車 (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。2023-11-12 11:30:00還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！
還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！2023-11-29 16:49:23SiC FET神應(yīng)用，在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
SiC FET神應(yīng)用，在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率2023-11-30 09:46:11Qorvo借助SiC FET獨(dú)特優(yōu)勢，穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位
在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。2024-02-21 14:40:52GaN-FET的關(guān)鍵參數(shù)和驅(qū)動(dòng)要求
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN-FET的關(guān)鍵參數(shù)和驅(qū)動(dòng)要求.pdf》資料免費(fèi)下載2024-09-12 09:57:37電動(dòng)汽車的SiC演變和GaN革命
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電動(dòng)汽車的SiC演變和GaN革命.pdf》資料免費(fèi)下載2025-01-24 14:03:07GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載2025-02-13 16:10:22GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載2025-02-13 14:24:19用專為硅 MOSFET 設(shè)計(jì)的控制器來驅(qū)動(dòng) GaN FET
作者： Pete Bartolik 工具 在電力應(yīng)用中，氮化鎵 (GaN) 器件比傳統(tǒng)硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優(yōu)勢。氮化鎵器件能夠滿足各行各業(yè)的需求，具有更高的密度、更快的切換2025-10-04 18:25:00都安| 习水县| 枣阳市| 阿合奇县| 西盟| 晋江市| 孟连| 娄底市| 敖汉旗| 德江县| 准格尔旗| 林芝县| 永丰县| 嘉义县| 湖口县| 都江堰市| 丰宁| 手机| 东乌珠穆沁旗| 桐梓县| 洛川县| 寿阳县| 邯郸市| 宁安市| 文昌市| 河源市| 新宁县| 新蔡县| 宝山区| 深泽县| 安宁市| 富源县| 若尔盖县| 盐亭县| 苏尼特左旗| 东方市| 泊头市| 芦溪县| 郑州市| 江口县| 武功县|
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