51單片機是高電平復(fù)位，低電平正常工作
上電瞬間以及按下按鍵（電容相當(dāng)于導(dǎo)線），RST為高電平。
按鍵按下的瞬間會產(chǎn)生大電流沖擊，會局部產(chǎn)生較大的電磁干擾。為了減小這種干擾，加一個一個限流電阻。

STC89C52RC系列單片機有512B的RAM以及8K的Flash（程序存儲空間）

RAM就是平時存儲變量的，比如你定義了一個什么bit、uint8、 uint16 、uint32等等這些都是在RAM中定義的。
512B的RAM雖然名字一樣，但是在物理結(jié)構(gòu)以及用法是有區(qū)別的。
沿襲老8051單片機的叫法，依舊叫為片內(nèi)RAM和片外RAM。所謂的片內(nèi)和片外是指芯片內(nèi)部和芯片外部，但是現(xiàn)在的單片機的芯片拓展基本上都在內(nèi)部，不存在什么片外拓展RAM。但是我們?nèi)砸琅f這么叫，知道這回事就行了。

片內(nèi)RAM分為 data、idata一般我們直接定義的變量都是直接在data里面的，data是直接尋址的，是速度最快的。而其他都是通過寄存器間接尋址的，其速度當(dāng)然不可同日而語。
其中data的范圍是從片內(nèi)的0x00~0x7F共128字節(jié)
而idata范圍是從片內(nèi)的0x80~0xFF也是128B但是它同時不用來存儲變量，當(dāng)然也不希望程序能訪問到這里，它主要的用途就是用來中斷與函數(shù)的調(diào)用。

片外RAM分為pdata、xdata如上所述，均是通過寄存器來間接尋址的。
pdata的尋址范圍是片外的0x00~0xFF共256B。尋址速度相對來講比xdata快
xdata的尋址范圍是片尾的0x0000~0xFFFF共64K。尋址范圍最廣，如要使用還得專門配置兩個字節(jié)寄存器DPTRH和DPTRL，尋址范圍的廣，也就意味著速度是最慢的。

所以呢，總結(jié)一下就是：一般變量存儲在data區(qū)域，當(dāng)data不夠了，在去尋xdata區(qū)域，idata不要觸碰。pdata不到萬不得已也不要?。?！

看似高字節(jié)拓展的128RAM是和寄存器的地址相重疊，但是物理上并不重疊

用途主要有：驅(qū)動和控制兩個
三極管的特性：截止、飽和、放大。
（在數(shù)電中主要用到的是三極管的開關(guān)作用，用到的是截止和飽和特性(有一個β因數(shù))。而在模電當(dāng)中用到的是則是它的放大特性）

按字節(jié)編碼尋址，1M = 2^20B 而 1B=8bit所以2^20B/1B = 2^20
可尋地址為1~2^20-1
需要二十根總線

按字編碼尋址，1字的4B，其他同上，那么2^20/1字=2^20/4B=2^18
可尋地址為1~2^18-1
需要十八跟總線

對了，除此之外還要注意一個東西，就是MB和M的區(qū)別
MB是一個容量單位，兆字節(jié)
而M是一個數(shù)量單位，兆

LED壓降為2V，工作電流1~20mA**一般在1~5,mA之內(nèi)的變化可以直接體現(xiàn)在燈的亮程度，超過5mA就沒那么明顯了所以選取的串聯(lián)電阻可以選**150歐~3K

⑤三八譯碼器快速記住對應(yīng)的，其實左邊三個可以看成二進制是幾，對應(yīng)的右邊哪一位就是0

比如左邊A2 A1 A0為0 0 0那么右邊Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 對應(yīng)的值就是 0 1 1 1 1 1 1 1

⑥關(guān)于IO口
IO口有四種狀態(tài)，準(zhǔn)雙向，開漏，強推挽，高阻