存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）昨（20）日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，執(zhí)行長(zhǎng)Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，并指出未來(lái)12個(gè)月，NAND市場(chǎng)產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強(qiáng)勁，幾乎可用貪婪的需求（insatiable demand）來(lái)形容，因此對(duì)下半年NAND市場(chǎng)抱持樂(lè)觀正面看法。
2013-06-21 11:07:09
1147 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0644661 
制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡(jiǎn)化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)和任何其他需要固態(tài)大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件級(jí)
2023-06-21 17:36:3213702 
Intel的傲騰系列閃存上因?yàn)槭褂昧俗钚碌?D XPoint閃存所以其速度和耐用性都給人留下了深刻的印象。而當(dāng)年和Intel一起合作開(kāi)發(fā)3D XPoint的美光在昨天也終于正式宣布推出自己的首款3D XPoint產(chǎn)品——X100。
2019-11-27 17:01:071214 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 針對(duì)“美光近日中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整”一事，美光正式回應(yīng)CFM閃存市場(chǎng)： 鑒于移動(dòng) NAND 產(chǎn)品在市場(chǎng)持續(xù)疲軟的財(cái)務(wù)表現(xiàn)，以及相較于其他 NAND 機(jī)會(huì)增長(zhǎng)放緩，我們將在全球范圍內(nèi)停止未來(lái)移動(dòng) NAND
2025-08-12 13:39:302945 將在IBM紐約州East Fishkill 300 mm晶圓廠內(nèi)聯(lián)合開(kāi)發(fā)32 nm bulk CMOS工藝。2007年2月美光推出25 nm NAND閃存，3年后量產(chǎn)25 nm閃存。目前32 nm/22 nm工藝尚處于研發(fā)階段。
2019-07-01 07:22:23
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點(diǎn)：盡管NAND閃存市場(chǎng)需求在一定程度上受到了經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響，但美光市場(chǎng)卻逆勢(shì)增長(zhǎng)，其市場(chǎng)份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
，25nm新工藝NAND閃存芯片將從第二季度起開(kāi)始銷(xiāo)售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤(pán)、記憶卡、固態(tài)硬盤(pán)等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D閃存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系內(nèi)存大廠美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，預(yù)計(jì)于2010年中
2022-01-22 08:05:39
全球前3名，尤其是和合作伙伴英特爾合計(jì)，市占率超過(guò)15%。美光在NAND Flash市場(chǎng)上突圍，主要是拜2009年34奈米制程領(lǐng)先所賜，2010年再度領(lǐng)先宣布年中量產(chǎn)25奈米制程，成本競(jìng)爭(zhēng)力促使美光市
2022-01-22 08:14:06
SK海力士雖然并未有擴(kuò)產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
，大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長(zhǎng)率達(dá)40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場(chǎng)提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個(gè)月前美
2018-09-20 17:57:05
韓國(guó)三星電子日前宣布，位于中國(guó)陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國(guó)
2014-05-14 15:27:09
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40％，但是第一季度過(guò)后NAND價(jià)格就開(kāi)始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來(lái)每年
2021-07-13 06:38:27
大家好，我做FPGA開(kāi)發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫(kù)，我對(duì)美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達(dá)200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話(huà)，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
DRAM補(bǔ)全計(jì)劃？此前曾傳出紫光將斥資230億美元收購(gòu)美的消息，后因美國(guó)***的限制，使這筆交易暫時(shí)壓后。美光就不需要給大家介紹，它的DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊
2016-07-29 15:42:37
NAND）。 標(biāo)配的HyperX SSD附帶有5K 25nm Intel MLC NAND，而HyperX 3K配備3K 25nm Intel MLC NAND。英特爾的零件編號(hào)沒(méi)有明顯的區(qū)別，所以
2017-11-27 16:50:14
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開(kāi)的一次電話(huà)會(huì)議上，鎂光公司聲稱(chēng)他們很快便會(huì)試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管
2009-12-26 09:56:491579 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤(pán)將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷(xiāo)量?jī)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤(pán)
2010-01-08 17:15:131266 震撼存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，IMFT發(fā)布25nm SSD
去年8月份，Intel剛剛發(fā)布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態(tài)硬盤(pán)，從50nm進(jìn)化至34nm。而現(xiàn)在，Intel與Micron所合資的公司IMFT此次再次推動(dòng)
2010-02-02 09:05:47942 
英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND
英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個(gè)25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機(jī)、個(gè)人音樂(lè)與媒體播放器(PMP)等流行
2010-02-02 16:52:16770 技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，
2010-02-09 10:50:09714 Intel大連晶圓廠今年10月投產(chǎn)
Intel公司宣布，位于我國(guó)大連市的“Fab 68”晶圓廠將于今年10月份正式投入生產(chǎn)。
Fab 68工廠將使用65nm工藝制造
2010-02-10 10:27:05902 Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部門(mén)的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開(kāi)始批
2010-03-04 11:02:511566 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開(kāi)售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開(kāi)始銷(xiāo)售，預(yù)計(jì)今年晚
2010-03-23 11:58:41777 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的
2010-05-20 09:26:231244 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對(duì)快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線(xiàn)的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09890 美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光獲獎(jiǎng)的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲(chǔ)存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡(jiǎn)稱(chēng) HLDS) 采用作為其新型混合
2010-11-03 09:40:212200 
美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來(lái)延長(zhǎng)數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過(guò)在
2010-12-08 09:34:13875 目前，限制SSD普及的門(mén)檻依然是昂貴的價(jià)格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來(lái)更具性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合
2011-01-02 12:57:481163 北京時(shí)間2月29日凌晨消息，英特爾同意與美光科技擴(kuò)大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作，提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議，美光將為英特爾供貨NAND閃存產(chǎn)品，而英特
2012-02-29 08:55:41401 一周前Intel正式發(fā)布了SSD 313,全面為Ivy Bridge平臺(tái)SRT技術(shù)準(zhǔn)備,而在主流市場(chǎng)intel不久前曝光的SSD 330近日正式上市,產(chǎn)品加入到SATA 6Gbps的大軍中。Intel SSD 330采用了25nm MLC NAND閃存,最大持續(xù)讀寫(xiě)
2012-04-17 11:14:281578 美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過(guò)20%， 營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距。
2012-09-14 09:34:321207 
DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個(gè)季度的虧損，3年來(lái)收入達(dá)到最低點(diǎn)。這個(gè)情況還將持續(xù)多長(zhǎng)時(shí)間?
2012-12-23 12:31:131400 2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過(guò)整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術(shù)與美光的DRAM
2017-04-20 17:33:524345 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 Intel在官網(wǎng)宣布，和美光的閃存合作即將發(fā)生關(guān)鍵性變化。Intel強(qiáng)調(diào)，將能抽出更多精力優(yōu)化自身產(chǎn)品、服務(wù)客戶(hù)，且不會(huì)對(duì)路線(xiàn)圖和技術(shù)節(jié)點(diǎn)造成影響。未來(lái)英特爾和美光將在它們?cè)贗MFT公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出來(lái)的NAND芯片市場(chǎng)上相互競(jìng)爭(zhēng)。
2018-03-05 15:52:424645 美光昨天發(fā)布了最新款的5210 ION系列企業(yè)級(jí)SSD，采用美光與Intel聯(lián)合開(kāi)發(fā)的新一代QLC NAND閃存顆粒。這也是全球首款QLC閃存產(chǎn)品。
2018-05-23 16:51:003152 最近的新聞報(bào)導(dǎo)指出，英特爾(Intel)與美光(Micron)閃存研發(fā)策略聯(lián)盟的分手，肇因于對(duì)未來(lái)3D NAND Flash發(fā)展的看法差異，想來(lái)合理，且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785 根據(jù)美光的財(cái)報(bào)信息，受益于eMMC、eMCP市場(chǎng)，美光高價(jià)值移動(dòng)NAND閃存營(yíng)收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類(lèi)型，去年同期比例不足1%。此外，來(lái)自數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的內(nèi)存、閃存營(yíng)收同比增長(zhǎng)了87%。
2018-06-27 08:52:443687 由于NAND閃存價(jià)格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn)，具有極高的性?xún)r(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 今年的閃存技術(shù)峰會(huì)，美光、SK海力士包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱(chēng)之為“4D NAND”，長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱(chēng)之為Xtacking，美光則稱(chēng)之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫(xiě)
2018-08-12 09:19:287883 市場(chǎng)。SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數(shù)從36層起步，不過(guò)真正量產(chǎn)的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類(lèi)型的容量128Gb，TLC類(lèi)型的也可以做到256Gb容量。?Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（納斯達(dá)克代碼：MU）今天宣布旗下 QLC（四級(jí)單元）NAND 技術(shù)提升市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的進(jìn)一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301626 美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上表示，為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的數(shù)據(jù)，2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%，低于此前預(yù)測(cè)的20%增長(zhǎng)，而NAND閃存預(yù)計(jì)增長(zhǎng)35%，也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長(zhǎng)率。
2018-12-21 11:15:054225 美國(guó)存儲(chǔ)器領(lǐng)導(dǎo)廠美光25日在世界移動(dòng)大會(huì)（MWC）發(fā)表全球首款超大容量microSD閃存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。
2019-03-04 10:55:124158 隨著NAND Flash價(jià)格的連續(xù)走低，為了防止過(guò)量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場(chǎng)崩潰，三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀，具體來(lái)講就是全方位
2019-10-12 10:01:221136 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 出于對(duì)數(shù)字存儲(chǔ)市場(chǎng)前景的看好，Intel在2005年和美光合資成立IM公司，用于NAND閃存芯片的研發(fā)和生產(chǎn)，不過(guò)，兩家公司均獨(dú)立銷(xiāo)售自家牌子產(chǎn)品。
2020-03-17 11:00:072101 在NAND閃存市場(chǎng)，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:343342 在NAND閃存市場(chǎng)，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:46:522960 兩年前，美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號(hào)為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級(jí)，可以作為機(jī)械硬盤(pán)的完美替代品。
2020-04-10 09:38:491605 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開(kāi)始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對(duì)此工藝所能帶來(lái)的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:142318 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤(pán)的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。
2020-09-18 14:34:528552 美光今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品，DRAM內(nèi)存、NAND閃存
2021-01-27 17:28:332298 作價(jià) 90 億美元，Intel 又賣(mài)出了旗下的一個(gè)重要業(yè)務(wù)。這個(gè)業(yè)務(wù)，就是 NAND 閃存。這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購(gòu) ARM 之后，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一筆重大交易。
2020-10-21 09:37:572316 韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國(guó)大連的NAND SSD部門(mén)，NAND部件
2020-10-21 14:30:372788 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321877 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:43:421454 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來(lái)推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212920 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶(hù)交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:132185 北京時(shí)間11月13日消息，內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565 加而成，第一批為T(mén)LC顆粒，單個(gè)Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會(huì)加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費(fèi)級(jí)SSD，明年還會(huì)發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:202368 日前，存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)的應(yīng)用效能。
2020-11-20 17:10:122392 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過(guò)對(duì)于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737 美光今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896 
3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開(kāi)發(fā)的一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性，旨在填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲(chǔ)空白
2021-03-19 14:25:251570 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克代碼：MU)宣布已批量出貨全球首款 176層QLC(四層單元)NAND固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。美
2022-01-27 19:04:242707 美光科技公司宣布，它已開(kāi)始批量出貨全球首款176層QLC NAND SSD。美光的 176 層 QLC NAND 采用最先進(jìn)的 NAND 架構(gòu)構(gòu)建，可為各種數(shù)據(jù)豐富的應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)密度和優(yōu)化的性能。
2022-03-29 17:23:182372 美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過(guò) 200 層，可謂存儲(chǔ)創(chuàng)新的分水嶺。此項(xiàng)突破性技術(shù)得益于廣泛
2022-07-28 09:49:5922968 美光發(fā)布的官方新聞稿，該企業(yè)宣布其已經(jīng)正式出貨了全球首款使用超過(guò)200層NAND芯片的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)美光2550 SSD，該SSD采用232層NAND技術(shù)，采用PCIe 4.0標(biāo)準(zhǔn)。
2022-12-08 16:19:191261 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線(xiàn)堆疊。
2023-03-30 14:02:394222 美光稱(chēng)，2023 年的行業(yè)需求預(yù)測(cè)目前較低，但整個(gè)行業(yè)供應(yīng)量的大幅減少已開(kāi)始穩(wěn)定市場(chǎng)。去年 11 月份，美光宣布將存儲(chǔ)芯片減產(chǎn) 2 成。財(cái)報(bào)內(nèi)容顯示，美光專(zhuān)注于庫(kù)存管理和控制供應(yīng)，近期將 DRAM 和 NAND 晶圓開(kāi)工率進(jìn)一步減少至近 30%，預(yù)計(jì)減產(chǎn)將持續(xù)到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321046 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823 訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面：美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論：長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:041658 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專(zhuān)利。
2023-11-13 17:24:511517 ONFI 由100多家制造、設(shè)計(jì)或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡(jiǎn)化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)以及其他需要大容量固態(tài)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中的過(guò)程。
2024-04-03 12:26:2411350 
美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并已開(kāi)始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進(jìn)步，鞏固了其在全球存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-04-29 10:36:341552 美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM SSD，該產(chǎn)品已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶(hù)大規(guī)模生產(chǎn)，并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099 美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已開(kāi)始應(yīng)用于部分Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(pán)中。這一突破性的技術(shù)不僅滿(mǎn)足了客戶(hù)端對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高需求，同時(shí)也為數(shù)據(jù)中心提供了更高效的存儲(chǔ)解決方案。
2024-05-09 14:53:551034 知名存儲(chǔ)品牌美光近日正式宣布，搭載其研發(fā)的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已然問(wèn)世，并已批量上市，成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達(dá)
2024-07-31 17:11:171680 全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商美光科技今日宣布了一項(xiàng)重大突破——其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)（SSD）已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段，標(biāo)志著美光成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，不僅彰顯了美光在制程技術(shù)和設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實(shí)力，更為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:461251 NAND閃存，又稱(chēng)之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913058 近日，根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議文稿，公司高管在會(huì)上確認(rèn)了針對(duì)當(dāng)前閃存市場(chǎng)需求放緩的應(yīng)對(duì)措施。 美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ark Murphy指出，在NAND閃存領(lǐng)域，美光
2024-12-26 14:30:47933 美光一直在QLC市場(chǎng)占有優(yōu)勢(shì)，采用美光G9 QLC NAND的美光2600 SSD再次鞏固了這一優(yōu)勢(shì)地位。
2025-08-05 11:09:581701
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