Array?Repair技術(shù)

LCD/OLED 陣列（G6,G8.5,G8.6,G10）在制造過程中存在開路或者短路的缺陷問題，這些缺陷可以通過激光cut和cvd技術(shù)修復(fù)。

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Tandem技術(shù)

Tandem是“串聯(lián)”的意思。如下圖，Tandem OLED相對于現(xiàn)在在用的普通OLED，是將多個像素發(fā)光的電致器件，通過中間連接層，連接在一起的堆疊器件。這些連接層都是p和n型材料混合組成的，因此兩個電極注入的電子和空穴， 在這些連接層分開后，可以對這些OLED電致器件供電。

舉個例子，傳統(tǒng)器件是一節(jié)干電池，tandem器件，可以理解為幾節(jié)干電池的串聯(lián)一起，當(dāng)然對于OLED顯示而言是用來發(fā)光。

De_Burn in 技術(shù)

OLED發(fā)光材料，隨著點亮的時間增加，發(fā)光材料老化，效率降低，并且RGB的效率衰減的速度還不一致，會出現(xiàn)亮度衰減，嚴(yán)重的話，會導(dǎo)致偏色；但是衰減的速度較慢，用戶感知很難感知到。但是以下幾個場景，需要對壽命衰減導(dǎo)致的亮度衰減引起重視。

1、屏幕的PPI越做越高（單位面積內(nèi)的像素個數(shù)越來越多，像素面積變?。?，壽命衰減也變得更明顯。

2、對于折疊手機(jī)，全屏和半屏顯示頻率不一樣，會出現(xiàn)左右兩邊亮度不一致的問題。

3、抖音用戶使用屏幕的時間越來越久，因為背景為較小灰階，刷久了也會出現(xiàn)殘影的問題。

短時間內(nèi)使用導(dǎo)致的亮度不一致或長時間顯示靜止畫面，由于驅(qū)動TFT導(dǎo)致的問題，DDIC可以通過ODC（overdriving compensation）補(bǔ)償。長期的亮度衰減就需要用de-burn-in來補(bǔ)償，并且de-burn-in對殘影也有較好改善。

如上圖，需要知道亮度，時間，計算對應(yīng)要補(bǔ)償增益，需要采集補(bǔ)償?shù)膮?shù)，主要有：時間、亮度、灰階、畫面、溫度和幀率等，其中幀率的影響較小。這些參數(shù)反饋給到Flash IC內(nèi)，補(bǔ)償時DDIC從Flash IC內(nèi)reload對應(yīng)的參數(shù)。這些參數(shù)進(jìn)入DDIC內(nèi)部，通過查表的方式，計算出對應(yīng)的補(bǔ)償增益，補(bǔ)償增益再通過gamma的調(diào)整，輸出對應(yīng)補(bǔ)償目標(biāo)亮度。

其中最難點在于查表和增益計算，這個需要屏廠采集對應(yīng)的數(shù)據(jù)，和建立補(bǔ)償?shù)哪Ｐ?，并且需要考慮補(bǔ)償?shù)囊恢滦詥栴}，每個項目，發(fā)光材料不同或者說面板設(shè)計不同，補(bǔ)償模型的均需要再進(jìn)行建立。

對于補(bǔ)償?shù)哪繕?biāo)亮度，也可以分為3種不同的類型，各家DDIC設(shè)計公司的方式也不同。

如上圖的右側(cè)，紅色線條對應(yīng)初始亮度，以面板上的A和B兩個顯示區(qū)為例，A區(qū)是弱老化區(qū)，B區(qū)是強(qiáng)老化區(qū)。

方式①：將A區(qū)和B區(qū)的亮度均提亮到對應(yīng)初始亮度。

方式②：將B區(qū)亮度提亮至A。

方式③：將A區(qū)亮度壓低至B區(qū)。

以上3種方案的最終目的均是保持顯示區(qū)的亮度一致性。使用時，可以對應(yīng)把屏幕分成不同的block進(jìn)行補(bǔ)償，選擇其中一個block的亮度值作為目標(biāo)值補(bǔ)償或者全部補(bǔ)償至到初始亮度。

方式①和②是目前國產(chǎn)系的DDIC的主要選擇方案，即提亮。這兩個方案最大的缺點在于，越補(bǔ)越差。通過一直維持高效率發(fā)光，不斷增加了對應(yīng)的OLED器件的驅(qū)動電流。原本亮度逐漸降低亮度，可以適應(yīng)，察覺不到，但是如果按照①和②這種補(bǔ)法，相當(dāng)于給人吃補(bǔ)藥，加速衰老了，因此終端廠商對這種補(bǔ)償方式還是有所顧慮。

方式③的補(bǔ)償，也是近期剛接觸的一個補(bǔ)償方案，來自某韓系廠商，給人眼前一亮的感覺，也已經(jīng)量產(chǎn)落地。該方案通過壓低亮度的方式，不僅維持了亮度一致，而且實際上也延長了OLED器件的壽命。當(dāng)亮度衰減到初始亮度的一定比例，如85%，可以將deburn-in關(guān)掉，確保屏幕使用時間久了，讓消費者不會感覺到亮度降低過多。

綜上的補(bǔ)償方案，個人認(rèn)為方式③韓系的補(bǔ)償方案較好。當(dāng)然，這些都是發(fā)光材料壽命不足，要考慮的短期改善方案，解決根本方案還是要解決對應(yīng)材料壽命問題，以及驅(qū)動TFT的遲滯問題。

Demura技術(shù)

Demura補(bǔ)償:對于面板機(jī)構(gòu)/制程等原因所發(fā)生的亮度偏差(mura) 進(jìn)行補(bǔ)償，使畫面變得更加均勻的方法，獲取面板的各個pixel亮度

信息來計算補(bǔ)償值，將此值加到原始影像中 (或是乘法) 來去除亮度偏差。

Demura技術(shù)概要:?

(1) camera拍攝

(2) 圖像處理

(3)生成補(bǔ)償數(shù)據(jù)?

(4) downloading及驅(qū)動

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T-CON的作用

每個顯示面板都需要有一個TCON，它將標(biāo)準(zhǔn)視頻信號，轉(zhuǎn)為顯示面板需要的特定行、列驅(qū)動信號，并發(fā)給顯示面板的DDIC（驅(qū)動IC）。顯示面板需要通過不同的方式（LCD、OLED響應(yīng)方式就不同）從光學(xué)上去響應(yīng)前方傳來的電荷——而這個電荷是需要不停刷新的，否則響應(yīng)就會衰減。所以顯示面板要求較高精度的時序，以合理的方式去刷新顯示面板。簡單地說，這就是TCON的作用。

說得更具體一些，電腦顯示屏的TCON從GPU接收到RGB數(shù)據(jù)，經(jīng)過信號處理后將其發(fā)往DDIC（Source IC/Gate IC）。而TCON具有DDIC所不具備的控制時間節(jié)奏的功能。比如說一個LCD顯示屏的分辨率是1920x1080，則可能總共包含了1920*3列，與1080行的像素——這里的3是因為每個像素都有RGB三個子像素。那么就需要總共5760個通道的source driver和1080個通道的gate driver。

針對這兩類driver，需要發(fā)出不同的信號，比如對于source driver而言，有用于切換液晶極性的POL信號、啟動輸入線脈沖的STH信號、通知source driver所有顯示行信號均已接收到的LOCK信號，還有RGB數(shù)據(jù)本身等等。

這些都是TCON的工作。當(dāng)然其中還涉及很多額外功能的細(xì)節(jié)，包括電源、背光管理，以及FRC、Gamma調(diào)整等。TCON是顯示面板中最復(fù)雜的芯片，當(dāng)代顯示面板越來越高的分辨率、刷新率、色域、色深，都對TCON的處理能力及前后各種接口的信息傳輸能力提出了挑戰(zhàn)。

COP和COF封裝工藝

COP英文全稱為Chip On Pi，是一種全新的屏幕封裝工藝，則可視為專為柔性O(shè)LED屏幕定制的完美封裝方案。COP封裝工藝是指直接將屏幕的一部分彎折然后封裝，在屏幕下方集成屏幕排線與IC芯片，而我們知道傳統(tǒng)的LCD屏幕由于液晶的物理特性是無法折疊的，COP封裝可以讓屏幕達(dá)到近乎無邊框的效果，但采用該種封裝工藝的手機(jī)普遍價格昂貴，例如iPhone X 、 iPhone XS 、 iPhone XS Max 、OPPO Find X與三星近兩年的旗艦機(jī)等。

COF英文全稱為Chip On Film，這種屏幕封裝工藝是將屏幕的IC芯片集成在柔性材質(zhì)的PCB板上，然后彎折至屏幕下方，可以進(jìn)一步縮小邊框，提升屏占比，這種封裝工藝做出來的產(chǎn)品，視覺沖擊感還是絕對夠的，如今絕大多數(shù)中高端全面屏和劉海屏手機(jī)都采用了COF封裝的屏幕，比如OPPO R15、vivo X21和APEX全面屏概念機(jī)等。

總而言之，COF、COP這兩種封裝工藝都可以在柔性O(shè)LED屏幕中使用，但是COP封裝的屏幕可以在COF的基礎(chǔ)上直接把背板往后一折就行，從而最大限度減少屏幕模組對“下巴”空間的占用，但是從經(jīng)濟(jì)角度考慮，COP封裝工藝一般使用在高端智能手機(jī)中。

CUP技術(shù)

真全面屏CUP(Camera Under Panel，屏下攝像頭)

如果我們把一塊OLED顯示屏的玻璃蓋板，OCA膠，保護(hù)泡棉都去掉，只剩上下玻璃以及中間的發(fā)光層，這時候我們用透過率儀器測定，發(fā)現(xiàn)透過的光能量只剩下6%以內(nèi)了，也是就說，OLED的發(fā)光層是不透明的。

而我們的目的是在不拍照的時候，讓這個區(qū)域發(fā)光層正常顯示，拍照或者人臉識別的時候發(fā)光層又有比較高的透過率該怎么辦呢?

那就是低PPI技術(shù)

手機(jī)顯示屏的分辨率現(xiàn)在都做到比較細(xì)膩了，目前大部分做到400PPI以上了。所以要提高屏幕透過率，那就把攝像頭區(qū)域的像素密度降低，比如屏幕是400PPI，那我們把攝像頭區(qū)域做到200PPI，多出來的間隙用來透光，如下圖所示，相同的大小的區(qū)域，像素占比降低，透光面積明顯變大。低PPI技術(shù)，最初是由JDI提出的，不過JDI業(yè)務(wù)自身難保，三星在OLED方面花樣百出。

低PPI技術(shù)的實現(xiàn)，也有兩個途徑：

1、 單一屏，在攝像頭區(qū)域降低分辨率

2、 屏中屏，攝像頭區(qū)域用低PPI的小屏

無論用哪種低PPI方案，為了盡可能地保持?jǐn)z像頭孔區(qū)域的顯示功能，這部分的分辨率也不能做得太低，所以O(shè)LED廠商在降低分辨率的同時，也在優(yōu)化走線，希望走線繞開攝像頭孔區(qū)域，經(jīng)過各種努力，目前OLED透過率從6%提升到了接近50%，要繼續(xù)提升的難度也越來越大。同步，也需要攝像頭提升感光能力。

MLP技術(shù)

MLP (Micro Lens Panel) 術(shù)，一般稱之為微透鏡技術(shù)，即是在OLED每一個子像素的EL上通過光刻法制備微型透鏡，通過引入高折射率的材料，使EL發(fā)出的光線直接在透鏡的界面處發(fā)生折射從而實現(xiàn)光線的聚焦。這個由數(shù)百萬計的微誘鏡組成的陣列，就是所謂的MLP技術(shù)。從結(jié)構(gòu)的角度上講，MLP技術(shù)的本質(zhì)就是在靠可視角度來置換正面亮度，即在光線總量不變的情況下，通過改變光路設(shè)計，盡可能的把散向屏幕側(cè)面的光線聚焦到屏幕正面。這樣便極大地利用了微透鏡的聚光特性，以此增亮手機(jī)屏幕，在同功耗下保持更高的亮度，利于屏幕可視性，且該技術(shù)亮度提升帶來的效果十分顯著。

TCL華星MLP技術(shù)，是通過像素級圖形陣列與高低折射率搭配提高屏體正向出光的量產(chǎn)技術(shù)，其原理是在屏體上新增圖案化陣列及填充層，利用圖形界面及膜層折射率差實現(xiàn)正向出光，從而提升亮度、降低屏體顯示功耗

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TFP技術(shù)

屏內(nèi)指紋TFP(TED Finger Print)

基于OLED而生的屏幕識別技術(shù)主要有三種衍生方案：

第一種是高通主導(dǎo)的超聲波屏下指紋方案，與光學(xué)屏下指紋識別技術(shù)相比，這種方案支持IP68級別的防塵防水，可以完成水下操作（水下識別指紋），常見的濕手操作、油污操作更不再話下。在實現(xiàn)指紋解鎖的同時，還能支持活體檢測（心跳檢測以及血液流動檢測），這意味著使用假手指是無法解鎖的，還有可能實現(xiàn)運(yùn)動手環(huán)主打的心率檢測功能。

第二種是“準(zhǔn)直器方案”，vivo X20 Plus、X21、小米8探索版、華為Mate RS屏下指紋版和魅族16th等早期支持屏幕指紋識別的手機(jī)，它們都在OLED屏幕下方嵌入了指紋識別傳感器，通過微透鏡收集從OLED屏幕小孔透下來的光線成像，從而實現(xiàn)對指紋信息的識別。

第三種是“屏下攝像頭方案”，從vivo NEX開始，直到目前最新款手機(jī)，它們都已經(jīng)將隱藏在屏幕內(nèi)的指紋識別傳感器換成了特殊的攝像頭模組（由指紋芯片、超短焦CMOS 魚眼攝像頭、光線傳感器、NOR FLASH和濾光片幾個部分組成），也因為被稱為“CMOS方案”，其本質(zhì)上是通過屏下攝像頭來完成指紋的采集和比對。

BSM技術(shù)

BSM (Back Side Metallization)背面金屬化是物理氣相淀積（PVD）的一種。它是在減薄后的芯片背面用物理的方法，使金屬材料淀積在被鍍芯片上的薄膜制備技術(shù)。背面金屬化的制作可以降 低器件的熱阻、工作時散熱和冷卻；個別功率器件會在背面引出電極，使管芯電極具有良好的歐姆接觸特性， 焊接可靠，可提高產(chǎn)品可靠性。?

優(yōu)點：可以進(jìn)行合金材料的蒸發(fā)，控制方法簡單。?

缺點：每次蒸發(fā)需要重新添加源材料，著膜密度和均勻性較差。

FIAA技術(shù)

此技術(shù)通過將Fanout走線轉(zhuǎn)移至AA顯示區(qū)內(nèi)部，從結(jié)構(gòu)上節(jié)省了下邊框需要的fanout布線空間，使窄邊框產(chǎn)品的下邊框較現(xiàn)有產(chǎn)品縮窄至少20%，讓顯示屏擁有更大的顯示面積，同時仍可保持細(xì)膩流暢的顯示效果。

Fanout 區(qū)是一個重要的部分。Fanout 區(qū)的主要作用是將 TFT 屏幕的信號引腳連接到 PCB上的芯片上，以便進(jìn)行信號傳輸。為了保證SMD器件的貼裝質(zhì)量，一般遵循在SMD焊盤上不打孔的原則，因此通常采用扇出（Fanout）布線方式，即從SMD器件的焊盤向外延伸一小段布線，再放置過孔，起到在焊盤上打孔的作用。對于引腳較多的表貼元件，如BGA器件，通常采用扇出（Fanout）布線方式。不過此方法在信號傳輸上面還是有一定風(fēng)險，要想實現(xiàn)窄邊框，要做出一定取舍。

FMM

FMM 全稱為Fine Metal Mask(精細(xì)金屬掩模版), 其主材主要是金屬或金屬+樹脂。

由于目前AMOLED面板量產(chǎn)的主流方法是真空蒸鍍，而真空蒸鍍必須用到FMM蒸鍍技術(shù)，在干式制程中運(yùn)用遮罩將RGB 三種光色分子分別附著于狹小的區(qū)域中。應(yīng)用于大尺寸面板時，大尺寸Mask在蒸鍍制程中易產(chǎn)生變形與材料過度使用等弊病，維持平坦的表面是制程相對較難的精密金屬遮罩的關(guān)鍵技術(shù)。

利用Invar材料（為一種鎳鐵合金），其特有的低熱膨脹系數(shù)（CTE）)與高模量且極薄及超平整度等特性來制作FMM，可有效解決FMM 在大型面板因加工中產(chǎn)生的熱，造成金屬面罩彎曲及孔位對位不正等問題

LTPO技術(shù)

LTPO 技術(shù)的全稱是Low Temperature Polycrystalline Oxide，中文譯為“低溫多晶氧化物”，這項技術(shù)支持自適應(yīng)調(diào)整OLED屏幕的刷新率，從而解決屏幕的能耗問題。

通過融合 LTPS和 IGZO兩個方案的特點，推出反應(yīng)速度更快、但功耗更低的 LTPO 方案。

LTPO 區(qū)別于當(dāng)前 LTPS 的 OLED 顯示面板基材，多加了一層氧化物，降低了激發(fā)像素點所需要的能耗，從而降低屏幕顯示時的功耗。

LLO技術(shù)

光剝離技術(shù)（LLO）通過脈沖激光輻照致材料燒蝕實現(xiàn)器件向終端基底的轉(zhuǎn)移。相比于化學(xué)剝離、機(jī)械剝離和離子束等其他高能束剝離，激光剝離技術(shù)具有能量輸入效率高、器件損傷小、設(shè)備開放性好、應(yīng)用方式靈活等優(yōu)勢，已成為柔性電子器件制造的新興關(guān)鍵技術(shù)。

柔性O(shè)LED顯示屏采用柔性PI（聚酰亞胺）薄膜作為基板，玻璃基板則被作為載板來使用，因此，激光剝離（LLO）成為生產(chǎn)柔性O(shè)LED屏的關(guān)鍵工藝之一，旨在從玻璃載體上剝離用作基板的PI薄膜。

編輯：黃飛

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