成果一

基于Crosslight公司先進(jìn)的半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)平臺(tái)，技術(shù)團(tuán)隊(duì)深入探索了實(shí)現(xiàn)GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發(fā)現(xiàn)，橫向電流限制不是由埋入式絕緣體的電阻特性引起的，而潛在的原因在于埋層絕緣體可承擔(dān)電壓，因此會(huì)引起孔內(nèi)和孔外之間的電勢(shì)差，進(jìn)而會(huì)產(chǎn)生橫向能帶勢(shì)壘。為了減小橫向勢(shì)壘高度，技術(shù)團(tuán)隊(duì)建議使用具有介電常數(shù)較大、絕緣體厚度較薄的限制孔，以增加橫向電流的限制作用。他們發(fā)現(xiàn)增加電流的橫向限制效應(yīng)有助于減小載流子微分壽命，從而可提高3dB帶寬。這項(xiàng)研究成果豐富了研究人員對(duì)III族氮化物VCSEL器件物理的理解，為高性能 GaN VCSEL的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)提供了重要的指導(dǎo)建議。

成果二

基于Crosslight公司先進(jìn)的半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)平臺(tái)，技術(shù)團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出了Mesa型肖特基二極管（TMBS）模型，并對(duì)TMBS肖特基二極管的器件物理和設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了深入探索。TMBS肖特基二極管可在一定程度上增強(qiáng)器件的二維電場(chǎng)耦合，從而降低表面電場(chǎng)，減小漏電流，但由于器件為mesa結(jié)構(gòu)，電勢(shì)線存在著較大曲率，因此mesa邊緣處局部電場(chǎng)過(guò)強(qiáng)，將會(huì)導(dǎo)致器件提前擊穿，因此技術(shù)人員進(jìn)一步對(duì)TMBS器件做了深入系統(tǒng)的研究，探索了各個(gè)關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)器件性能的影響，總結(jié)出了器件關(guān)鍵指標(biāo)與關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的物理關(guān)系，凝練了器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)規(guī)則；該研究成果對(duì)于改善TMBS器件結(jié)構(gòu)和提高器件性能具有重要的指導(dǎo)意義。