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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>RS2103低導通電阻、低電壓、SPDT模擬開關(guān)

RS2103低導通電阻、低電壓、SPDT模擬開關(guān)

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2025-08-01 18:34:23

四方杰芯FSW3157——1.5Ω,低壓SPDT模擬開關(guān)

描述:FSW3157是一款單通道、雙向、單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),設計用于1.5V至5.5V單電源供電。它具有高帶寬(-3dB@700MHz)和通電阻(典型值為1.52Ω)。適用于
2025-07-29 10:25:46

MDDG03R01G通MOS 跨越新領(lǐng)域,提升同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換效率

0.75mΩ超低通電阻與300A持續(xù)電流能力,在高功率應用領(lǐng)域持續(xù)輸出。 一、技術(shù)突破:PowerTrench工藝與屏蔽柵設計 MDDG03R01G在柵源電壓 VGS = 10V、漏極電流 ID
2025-07-28 15:20:11466

Texas Instruments SN4599-Q1 2:1 (SPDT) 1通道模擬開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments SN4599-Q1 2:1 (SPDT) 1通道模擬開關(guān)是一款通用型互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。該器件根據(jù)SEL引腳的狀態(tài)在
2025-07-25 10:32:20626

芯對話 |?CBMG719單刀雙擲模擬開關(guān):高精度信號切換阻高速寬溫適配

總述CBMG719是一款由芯佰微推出的CMOS單刀雙擲(SPDT模擬開關(guān),專為解決工業(yè)控制、通信系統(tǒng)、醫(yī)療設備等領(lǐng)域的高精度信號切換需求而設計。該產(chǎn)品以通電阻、高速開關(guān)特性、寬電壓適配及超低
2025-07-16 09:50:291461

中低壓MOS管MDDG10R04B數(shù)據(jù)手冊

? 通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開關(guān)與軟恢復特性
2025-07-10 14:58:521

中低壓MOS管MDDG06R10G數(shù)據(jù)手冊

? 通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開關(guān)與軟恢復特性
2025-07-10 14:56:470

中低壓MOS管MDDG06R03P數(shù)據(jù)手冊

? 通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開關(guān)與軟恢復特性
2025-07-10 14:54:530

中低壓MOS管MDDG06R03G數(shù)據(jù)手冊

? 通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開關(guān)與軟恢復特性
2025-07-10 14:43:240

中低壓MOS管MDD4438數(shù)據(jù)手冊

這款N溝道MOSFET采用MDD獨特的器件設計,實現(xiàn)了通電阻(RDS(ON))和快速開關(guān)性能。其閾值電壓系列專為同步整流電源系統(tǒng)設計,適用于驅(qū)動電壓應用場景。
2025-07-10 14:29:300

中低壓MOS管MDD3415A數(shù)據(jù)手冊

優(yōu)異的通電阻(RDS(ON))、柵極電荷、柵極電壓?靜電放電等級:人體模型2.0千伏
2025-07-10 14:28:140

中低壓MOS管MDD3415數(shù)據(jù)手冊

優(yōu)異的通電阻(RDS(ON))、柵極電荷、柵極電壓
2025-07-10 14:27:230

中低壓MOS管MDD3407數(shù)據(jù)手冊

通電阻 @柵源電壓=-10V?-5V 邏輯電平控制
2025-07-10 14:21:480

中低壓MOS管MDD02P60A數(shù)據(jù)手冊

這款60V P溝道MOSFET采用MDD獨特的器件設計,實現(xiàn)了通電阻、快速開關(guān)性能以及優(yōu)異的雪崩特性。? 高密度電池設計實現(xiàn)極低通電阻(RDS(ON)) ?? 卓越的通電阻與最大直流電流承載能力
2025-07-09 15:05:550

中低壓MOS管2N7002KDW數(shù)據(jù)手冊

通電阻的高密度電池設計 ?電壓控制型小信號開關(guān) ?堅固耐用且可靠性高 ?高飽和電流能力 ?具備靜電放電保護 ?便攜設備負載開關(guān) ?直流/直流轉(zhuǎn)換器
2025-07-09 15:01:170

Analog Devices Inc. ADG1412L四通道SPST開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

。四個SPST開關(guān)通過邏輯一和外部V~L~ 電源開啟,為更低的邏輯控制提供靈活性。ADG1412L開關(guān)在整個溫度范圍內(nèi)具有最大2.6Ω的通電阻,并在數(shù)字輸入浮動時保證關(guān)斷。開關(guān)信號時通電阻曲線在整個模擬輸入范圍內(nèi)平坦,確保具有出色的線性度和失真(1.5Ω典型值)。
2025-06-19 14:09:30869

Analog Devices Inc. ADRF5301 SPDT開關(guān)評估板特性/應用/示意圖

Analog Devices Inc. ADRF5301 SPDT開關(guān)評估板設計用于評估ADRF5301硅反射式SPDT開關(guān)的性能和特性。ADRF5301開關(guān)的頻率范圍為37GHz至49GHz,具有
2025-06-18 14:06:42647

MASW-011098型Ka波段高功率單刀雙擲(SPDT開關(guān)MACOM

MASW-011098是一款由 MACOM公司生產(chǎn)的高功率 SPDT(單刀雙擲)PIN 二極管開關(guān),專為高線性度、插入損耗的射頻應用設計,適用于Ka波段及更高頻應用。MASW-011098憑借其
2025-06-09 08:57:53

Analog Devices Inc. ADG6436雙路SPDT開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

器應用。啟用后,Analog Devices Inc. ADG6436可雙向?qū)ǎ⒅С諺~SS~ 至V~DD~ 的輸入信號 - 2V。禁用的開關(guān)會阻止信號達到供電電平。數(shù)字輸入與5V、3.3V和1.8V邏輯兼容,無需單獨的邏輯電源。其平坦的通電阻確保了出色的線性度和失真,是音頻信號切換的理想之選。
2025-05-29 10:58:07764

Analog Devices Inc. ADG2436雙路SPDT開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

和1.8V數(shù)字邏輯輸入,無需單獨的電源引腳。其平坦的通電阻確保了失真和高線性度,是切換音頻信號的理想之選。
2025-05-29 09:42:54693

特瑞仕XC8107/XC8108/XC8109系列參數(shù)特性 負載開關(guān)IC選型 數(shù)據(jù)手冊與產(chǎn)品手冊分享

特瑞仕的XC8107/XC8108/XC8109系列是高性能負載開關(guān) IC,具有通電阻、快速響應和靈活的電流限制設置。
2025-05-26 18:24:271326

MAX4906EF高速/全速USB 2.0開關(guān),提供高ESD保護技術(shù)手冊

MAX4906EF為帶靜電放電(ESD)保護的模擬開關(guān),具有較低的通電容(C ~ON~ )和較低的通電阻(R ~ON~ ),能夠滿足系統(tǒng)對開關(guān)性能的嚴格要求。器件的COM_端可以在±15kV
2025-05-26 15:49:491196

MAX4983E/MAX4984E高速USB 2.0開關(guān),具有±15kV ESD保護技術(shù)手冊

MAX4983E/MAX4984E為具有高ESD保護的模擬開關(guān),具有較低的通電容和較低的通電阻,能夠滿足系統(tǒng)對高性能開關(guān)的應用要求。COM1和COM2可以在±15kV ESD條件下提供保護而不
2025-05-26 15:28:13802

MOSFET通電阻參數(shù)解讀

通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測試條件下,使MOSFET處于完全通狀態(tài)時(工作在線性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映了MOSFET在通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343811

MAX14585/MAX14585A高速USB和音頻開關(guān),可處理負信號并提供高壓VBUS檢測技術(shù)手冊

對高性能開關(guān)所需的通電容(C ~ON~ )、通電阻(R ~ON~ ),內(nèi)部負電源允許通過低于地電位至-1.8V的音頻信號。器件還可處理低速/全速USB信號,工作電壓為2.7V至5.5V。
2025-05-26 14:38:13727

MAX14919/MAX14919A工業(yè)保護型四通道開關(guān)技術(shù)手冊

MAX14919/MAX14919A四通道開關(guān)是一款工業(yè)保護開關(guān),每通道具有140mΩ(典型值)通電阻(R ~ON~ ),集成±1kV/42Ω浪涌保護功能,可實現(xiàn)穩(wěn)健運行。
2025-05-21 10:31:001032

2.3 至 4.2 GHz 120 W 高功率 SPDT 開關(guān) skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()2.3 至 4.2 GHz 120 W 高功率 SPDT 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有2.3 至 4.2 GHz 120 W 高功率 SPDT 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝
2025-05-20 18:30:47

0.3 至 3.8 GHz 160 W 高功率 SPDT 開關(guān) skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.3 至 3.8 GHz 160 W 高功率 SPDT 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有0.3 至 3.8 GHz 160 W 高功率 SPDT 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝
2025-05-20 18:30:10

MAX14918, MAX14918A SPI/并聯(lián)控制四通道側(cè)開關(guān),具有反向電流檢測功能技術(shù)手冊

MAX14918 和 MAX14918A 是四個 700mA 側(cè) 用于工業(yè)應用的開關(guān)。每個設備 具有四個 140mΩ(典型值)通電阻 (R~ON)~ 開關(guān) 內(nèi)置 ±1.2kV/42Ω 浪涌保護器。2 或 可以并聯(lián)更多輸出,以提供 更高的負載電流。
2025-05-20 15:45:131556

Sky5? 2.4 至 8.3 GHz SPDT 開關(guān) skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Sky5? 2.4 至 8.3 GHz SPDT 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有Sky5? 2.4 至 8.3 GHz SPDT 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
2025-05-19 18:33:02

ADG3248 2.5 V/3.3 V、2:1多路復用器/解復用器總線開關(guān)技術(shù)手冊

ADG3248是一款2.5 V或3.3 V、高性能2:1多路復用器/解復用器,采用低壓CMOS工藝制造,具有低功耗、高開關(guān)速度和極低通電阻特性。通電阻特性使輸入可以與輸出相連,而且不會引起額外的傳播延遲或產(chǎn)生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 10:03:30888

0.1 至 6.0 GHz SPDT 開關(guān) skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.1 至 6.0 GHz SPDT 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有0.1 至 6.0 GHz SPDT 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,0.1 至
2025-05-13 18:30:23

TPS22934 具有輸出放電的 3.6V、1A、63mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

TPS22934 是一個小的通電阻 (r ~上~ ) 帶受控通的負載開關(guān)。這些器件包含一個 P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 該開關(guān)由具有
2025-05-13 15:26:43589

TPS22995 具有可調(diào)上升時間的 5.5V 3.5A 20mΩ 通電阻負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

TPS22995是一款單通道負載開關(guān),集成了N-channel MOSFET,具有通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時間,用于限制啟動時的涌入電流。該開關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38665

TPS22999 具有有限浪涌電流的 4.5V、1.5A、7.5mΩ 通電阻快速通負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

TPS22999 是一款單通道負載開關(guān),旨在實現(xiàn)快速通時間,同時保持浪涌電流該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.1 V 至 VBIAS –1.0 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并可支持 1.5 A 的最大連續(xù)電流。
2025-05-07 10:00:56537

模擬開關(guān)切換電流時遇到的問題

在做模擬開關(guān)切換電流的實驗中, 使用6片ADG701組成三路切換的陣列,測量兩片模擬開關(guān)之間的負載電阻電壓,在上升沿或下降沿都會出現(xiàn)us級別的振鈴或者充電的現(xiàn)象
2025-05-06 21:48:07

HMC547ALC3非反射式SPDT開關(guān)ADI

HMC547ALC3非反射式SPDT開關(guān)ADIHMC547ALC3通用寬帶高隔離度非反射型GaAs pHEMT單刀雙擲(SPDT開關(guān),采用符合工業(yè)標準的3mm×3mm無引腳陶瓷表面貼裝封裝技術(shù)
2025-04-11 10:09:59

HMC347ALP3E單刀雙擲SPDT射頻開關(guān)ADI

HMC347ALP3E單刀雙擲SPDT射頻開關(guān)ADI HMC347ALP3E是Analog Devices(ADI)公司精心打造的一款寬帶、高隔離度的非反射型GaAs pHEMT SPDT(單刀雙擲
2025-03-14 09:45:46

ROHM推出超低通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源,開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

HMC270A GaAs MMIC SPDT非反射式開關(guān)DC-8 GHz技術(shù)手冊

HMC270AMS8GE均為寬帶非反射式GaAs SPDT開關(guān),采用8引腳MSOP基極接地表貼塑料封裝。該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz,提供出色的70至35 dB隔離。-5 V負控制電壓允許工作
2025-03-06 09:30:011040

ADRF5021 9kHz至30GHz、硅SPDT開關(guān)技術(shù)手冊

ADRF5021是一款通用型單刀雙擲(SPDT)開關(guān),采用硅工藝制造。它采用3 mm × 3 mm、20引腳基板柵格陣列(LGA)封裝,在9 kHz至30 GHz頻率范圍內(nèi)提供高隔離度和插入損耗。 該寬帶開關(guān)采用+3.3 V和?2.5 V雙電源電壓供電,提供CMOS/LVTTL邏輯兼容控制。
2025-03-05 16:14:50884

ADRF5019 100MHz至13 GHz硅SPDT非反射式開關(guān)技術(shù)手冊

控制電壓輸入。此開關(guān)采用互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容型和低電壓晶體管-晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容型控制。
2025-03-05 11:39:05891

應用于負壓信號選通的高速SPDT模擬開關(guān)2

應用于負壓信號選通的高速SPDT模擬開關(guān)2
2025-02-28 15:12:01630

HMC784A單刀雙擲(SPDT)射頻開關(guān)ADI

HMC784A是一款由ADI生產(chǎn)的高功率單刀雙擲(SPDT)射頻開關(guān),適用于需要在高輸入信號功率下實現(xiàn)極低失真的發(fā)射-接收應用。HMC784A寬頻帶控制、卓越的互調(diào)性能、插入損耗以及靈活的電源選項
2025-02-27 09:52:51

中微愛芯發(fā)布全新CB3Q系列模擬開關(guān)

中微愛芯新推出的CBTLVD系列、CBTLV系列與CB3Q系列模擬開關(guān)均是高速、低功耗信號管理的理想選擇,與傳統(tǒng)模擬開關(guān)相比,在帶寬、通電阻、功耗等方面均有較大性能優(yōu)勢,其應用覆蓋計算機、移動設備、工控設備、醫(yī)療電子等領(lǐng)域,尤其適合需要高速信號、信號多路復用、信號路由管理的場景。
2025-02-24 09:41:061333

惠斯通電橋與數(shù)字電阻計的比較

惠斯通電橋與數(shù)字電阻計是兩種常用的電阻測量工具,它們在測量原理、精度、功能和應用場景等方面存在一定的差異。以下是對兩者的比較: 一、測量原理 惠斯通電橋 : 基于電阻測量原理,通過四個電阻組成電橋
2025-02-13 15:39:281090

惠斯通電橋的電阻測量方法

QT-24型霜式電橋中的電阻箱)、直流電源、萬用電表、滑線變阻器、開關(guān)等儀器齊備且功能正常。 連接電路 :按照惠斯通電橋的電路圖正確連接各元件。通常,惠斯通電橋由四個電阻組成,分別為R1、R2、R3(可調(diào)電阻)和Rx(待測電阻)。這
2025-02-13 15:11:193536

通電阻驟降21%!Wolfspeed第4代SiC技術(shù)平臺解析

,Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡化大功率設計中常見的開關(guān)行為和設計挑戰(zhàn)而設計,并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品)制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 通電阻大幅下降,開關(guān)損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術(shù)主要的提升在于三個部分,首
2025-02-13 00:21:001526

通電阻僅為3?!納祥科技NX899單刀雙擲開關(guān)助力高效能設備

NX899是一款先進的CMOS模擬開關(guān),它采用硅柵CMOS技術(shù)制造,在保持CMOS低功耗的同時,實現(xiàn)了非常的傳播延遲和通電阻,模擬電壓和數(shù)字電壓可能在整個供電范圍內(nèi)(從VCC到GND)有所不同。 在性能上,NX899能國產(chǎn)替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:121124

納祥科技NX440,一款單刀四擲電子開關(guān)芯片,高帶寬,國產(chǎn)替代SGM7222U

NX440 是一款雙通道阻寬帶雙向模擬開關(guān)芯片,包含 2 通道單刀四擲模擬開關(guān),它具備高帶寬,通電阻特性,無機械觸點、使用壽命長,可以國產(chǎn)替代SGM7222U
2025-02-05 17:25:121155

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