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高增益50W GaN HEMT功率放大器

2010-06-10 10:47本站整理 佚名我要評論(0我要收藏

Toshiba推出C-BAND SATCOM應用的高增益50W GaN HEMT功率放大器,東芝美國電子元器件公司推出其功率放大器產品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導體高電子遷移晶體管(HEMT)。

Toshiba 的50W TGI7785-50L是另一個商業(yè)C-頻段用的GaN HEMT,用于衛(wèi)星通信應用中,在去年推出的還有120W C-頻段放大器,和其它GaN Toshiba Ku-頻段器件。

該新器件工作頻率為7.7 GHz~8.5 GHz。RF性能規(guī)范包括輸出功率為47.0dBm (典型值) 以及輸入功率為40dBm,線性增益為11.0dB (典型值),以及漏極電流為5.0 Amps(典型值)。

該器件可提高輸出功率,有助于在固態(tài)功率放大器(SSPA)中減少尺寸和重量,用于SATCOM中。

技術規(guī)范50W TGI7785-50L GaN HEMT

產品型號

TGI7785-50L

頻率

7.7 - 8.5 GHz

輸出功率(典型值)

47.0dBm

線性增益(典型值)

11.0dB

漏極電流, VDS/IDS(典型值.)

24V/ 5 A

效率

33%

封裝

7- AA0 4 A

 

價格和供貨情況

現(xiàn)可提供TG I7785-50L樣品,批量生產預計于2010第三季度,欲獲得產品的詳細價格,請聯(lián)系Toshiba代理。

TGI7785-50L

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(責任編輯:發(fā)燒友)

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