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數(shù)據(jù)： 具有集成隔離開關(guān)和低功耗模式運行的1A 峰值灌電流/拉電流PCDDR3 端 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)
TS3DDR32611是一款灌電流/拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率類型III（PCDDR3）端接穩(wěn)壓器，此穩(wěn)壓器具有一個精度為1％的經(jīng)緩沖基準輸出。它具有內(nèi)置的端接單刀單擲（SPST）開關(guān)，此開關(guān)可在內(nèi)存系統(tǒng)經(jīng)歷較低速運行時被斷開，而無需電壓端接。關(guān)閉這些開關(guān)可在很大程度上節(jié)約內(nèi)存系統(tǒng)的能耗。此開關(guān)具有一個典型值為1.75Ω的導(dǎo)通電阻，這有助于保持信號線路上的信號完整性。
TS3DDR32611由一個3.3V電源供電.V DDQ 引腳汲取的輸入電壓范圍為1.2V至1.8V，而V TT 引腳上的輸出電壓隨1/2×V DDQ 的變化而變化。穩(wěn)壓器的V TT 輸出能夠灌入/拉出高達1A的電流，而V REF 引腳輸出是1 /2V DDQ ±1％×V DDQ ，具有5mA電流灌入/拉出能力.TS3DDR32611具有4個運行模式：高速，低速，V REF 模式和斷電模式，這些運行模式取決于控制信號VTT_EN和ODT_EN。這些不同的運行模式提供了建立一個內(nèi)存系統(tǒng)的性能和功耗的靈活性。
TS3DDR32611采用一個尺寸只有4mm x 4mm的小型48焊球球狀引腳柵格陣列（BGA）封裝，這使得此器件成為移動應(yīng)用的理想選擇。
| Protocols |
| Configuration |
| Number of Channels (#) |
| VCC (Min) (V) |
| VCC (Max) (V) |
| Ron (Typ) (Ohms) |
| Input/Ouput Voltage (Min) (V) |
| Input/Ouput Voltage (Max) (V) |
| ICC (Max) (uA) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Package Group |
| ESD Charged Device Model (kV) |
| Ron (Max) (Ohms) |
| Ron Channel Match (Max) (?) |
| Turn on Time (Enable) (Max) (ns) |
| VIH (Min) (V) |
| VIL (Max) (V) |
| TS3DDR32611 |
|---|
| DDR3 |
| 1:1 SPST |
| 26 |
| 3 |
| 3.6 |
| 1.75 |
| 0 |
| 3.6 |
| 220 |
| 48BGA MICROSTAR JUNIOR: 16 mm2: 4 x 4(BGA MICROSTAR JUNIOR) |
| BGA MICROSTAR JUNIOR |
| 0.5 |
| 4 |
| 0.2 |
| 100 |
| 1.3 |
| 0.6 |
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