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數(shù)據(jù)： TS3DDR4000 12 位 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 開關(guān)/多路復(fù)用器 數(shù)據(jù)表 (Rev. B)
TS3DDR4000是一款1：2或2：1高速DDR2 /DDR3 /DDR4開關(guān)，可實(shí)現(xiàn)12位寬總線切換。該器件可針對(duì)所有位同時(shí)將A端口切換為B或C端口.TS3DDR4000設(shè)計(jì)用于DDR2，DDR3和DDR4存儲(chǔ)器總線系統(tǒng)，并且采用一種專有架構(gòu)，可提供高帶寬（單端5.6GHz下的帶寬為-3dB），這個(gè)，TS3DDR4000還具有低功耗模式。所有通道均呈高阻態(tài)且器件功耗最低。
所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
| Protocols |
| Configuration |
| Number of Channels (#) |
| VCC (Min) (V) |
| VCC (Max) (V) |
| Ron (Typ) (Ohms) |
| Input/Ouput Voltage (Min) (V) |
| Input/Ouput Voltage (Max) (V) |
| ICC (Max) (uA) |
| Bandwidth (MHz) |
| ESD HBM (Typ) (kV) |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Package Group |
| Crosstalk (dB) |
| ESD Charged Device Model (kV) |
| ICC (Typ) (uA) |
| Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF) |
| Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF) |
| OFF-state leakage current (Max) (µA) |
| Propagation Delay (ns) |
| Ron (Max) (Ohms) |
| Ron Channel Match (Max) (?) |
| RON Flatness (Typ) (Ohms) |
| Turn off Time (Disable) (Max) (ns) |
| Turn on Time (Enable) (Max) (ns) |
| VIH (Min) (V) |
| VIL (Max) (V) |
| TS3DDR4000 |
|---|
|
DDR2 DDR3 DDR4 |
| 2:1 SPDT |
| 12 |
| 2.375 |
| 3.6 |
| 8.3 |
| 0 |
| 3.3 |
| 48 |
| 6000 |
| 3 |
| -40 to 85 |
| 48NFBGA: 24 mm2: 3 x 8(NFBGA) |
| NFBGA |
| -68 |
| 1 |
| 40 |
| 1 |
| 0.5 |
| 5 |
| 85 |
| 11.2 |
| 1 |
| 0.6 |
| 65 |
| 65 |
| 1.4 |
| 0.5 |
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