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TLE2027包含創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)專(zhuān)業(yè)知識(shí)和高質(zhì)量的過(guò)程控制技術(shù)，可產(chǎn)生以前單個(gè)運(yùn)算放大器無(wú)法提供的交流性能和直流精度。這些器件采用TI最先進(jìn)的Excalibur工藝制造，可以升級(jí)使用低精度器件的系統(tǒng)。
在直流精度領(lǐng)域，TLE2027提供100μV的最大偏移電壓，共模抑制比為131 dB（典型值），電源電壓抑制比為144 dB（典型值），直流增益為45 V /μV（典型值）。
TLE2027的交流性能突出顯示典型的單位增益帶寬規(guī)格為15 MHz，相位裕度為55°，噪聲電壓規(guī)格為3.3 nV /
TLE2027提供多種封裝，包括符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8引腳小外形版本，適用于高密度系統(tǒng)應(yīng)用。該器件的特點(diǎn)是可在55°C至125°C的整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)工作。
Hz at f = 1 kHz Typ 
， （1）符合JEDEC和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的元件認(rèn)證，確保在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。這包括但不限于高加速應(yīng)力測(cè)試（HAST）或偏壓85/85，溫度循環(huán)，高壓釜或無(wú)偏HAST，電遷移，鍵合金屬間壽命和模塑化合物壽命。此類(lèi)鑒定測(cè)試不應(yīng)被視為超出規(guī)定的性能和環(huán)境限制使用該組件的合理性。
所有其他商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。
| ? |
|---|
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Architecture |
| IIB (Max) (pA) |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| ? |
| TLE2027-EP |
|---|
| 1 ? ? |
| 8 ? ? |
| 38 ? ? |
| 13 ? ? |
| 2.8 ? ? |
| Out ? ? |
| 0.1 ? ? |
| 3.8 ? ? |
| HiRel Enhanced Product ? ? |
| -55 to 125 ? ? |
| SOIC ? ? |
| 35 ? ? |
| 0.4 ? ? |
| 2.5 ? ? |
| Bipolar ? ? |
| 90000 ? ? |
| 131 ? ? |
| 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? |
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