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數(shù)據(jù)： Series 24 And 28 Standard And Low Power Programmable Read-Only Memories 數(shù)據(jù)表
24和28系列單片TTL可編程只讀存儲器（PROM）具有擴展的標(biāo)準(zhǔn)和低功耗PROM選擇。這種擴展的PROM系列為系統(tǒng)設(shè)計人員提供了升級現(xiàn)有設(shè)計或優(yōu)化新設(shè)計的極大靈活性。所有系列產(chǎn)品均采用經(jīng)過驗證的鈦鎢（Ti-W）熔絲鏈和低電流MOS兼容p-n-p輸入，采用通用編程技術(shù)，可對每個鏈路進行20微秒脈沖編程。
4096位和8192位PROM提供各種封裝，范圍從18引腳300 mil寬到24引腳600 mil寬。 16,384位PROM提供兩倍于8192位PROM的位密度，采用24引腳600 mil寬封裝。
所有PROM都提供存儲在每個位位置的邏輯高電平輸出電平。編程過程將在Ti-W金屬鏈路中產(chǎn)生開路，從而反轉(zhuǎn)所選位置的存儲邏輯電平。該程序是不可逆轉(zhuǎn)的;一旦改變，該位的輸出就被永久編程。從未改變過的輸出可能會被編程為提供相反的輸出電平。在推薦的操作條件下操作本機不會改變存儲器內(nèi)容。
芯片選擇輸入（S或S \）的有效電平使能所有輸出。任何芯片選擇輸入的無效電平都會導(dǎo)致所有輸出處于三態(tài)或關(guān)閉狀態(tài)。
| ? |
|---|
| Voltage Node (Nom) (V) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| ? |
| JBP28L42 |
|---|
| 5 ? ? |
| Military ? ? |
| -55 to 125 ? ? |
| 無樣片 |
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