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CSD18502KCS 40V,N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

數(shù)據(jù):

描述

這款2.4mΩ,40V,TO-220 NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。

要了解所有可用封裝,請(qǐng)見(jiàn)數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。最大R θJC =0.6oC/W,脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs,占空比
≤1%

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 邏輯電平
  • 無(wú)鉛端子鍍層
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 無(wú)鹵素
  • 晶體管(TO)-220塑料封裝

應(yīng)用范圍

  • 直流 - 直流轉(zhuǎn)換
  • 次級(jí)側(cè)同步整流器
  • 電機(jī)控制

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18502KCS
40 ? ?
Single ? ?
4.3 ? ?
2.9 ? ?
400 ? ?
52 ? ?
8.4 ? ?
TO-220 ? ?
20 ? ?
1.8 ? ?
212 ? ?
100 ? ?
Yes ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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