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CSD95377Q4M CSD95377Q4M

數(shù)據(jù):

描述

CSD95377Q4M NexFET?功率級的設(shè)計針對高功率,高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了高度優(yōu)化。此產(chǎn)品集成了驅(qū)動器IC和功率MOSFET,從而可以實(shí)現(xiàn)功率級開關(guān)功能。此驅(qū)動器IC具有內(nèi)置可選二極管仿真功能,該功能支持非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)運(yùn)行,從而提高輕負(fù)載效率。該組合在小型3.5mm x 4.5mm外形尺寸封裝中提供高電流,高效率和高速開關(guān)功能。此外,PCB封裝已經(jīng)過優(yōu)化,可幫助減少設(shè)計時間并簡化總體系統(tǒng)設(shè)計。

特性

  • 電流為15A時的效率約為94%
  • 最大額定持續(xù)電流35A
  • 高頻運(yùn)行(高達(dá)2MHz)
  • 高密度3.5mm×4.5mm SON封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
  • 兼容3.3V和5V PWM信號
  • 支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式(FCCM)的二極管仿真模式
  • 輸入電壓最高可達(dá)16V
  • 三態(tài)PWM輸入
  • 集成型自舉二極管
  • 擊穿保護(hù)
  • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) - 無引引腳鍍層
  • 無鹵素

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

?
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
CSD95377Q4M
20 ? ?
1.6 ? ?
15 ? ?
35 ? ?
PowerStage ? ?
SON 3.5x4.5 PowerStage ? ?
-40 to 150 ? ?
8VSON-CLIP ? ?

方框圖 (1)

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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