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數(shù)據(jù)： CSD17559Q5 30V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)
這款30V，0.95mΩ，5mm×6mm SON封裝NexFET功率MOSFET設(shè)計用于大大降低同步整流和其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 /p>頂視圖要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄.R θJA = 40°C /W，這是在厚度為0.06英寸（1.52 mm）的環(huán)氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 （6.45 cm 2 ），2盎司（厚度為0.071 mm）的銅過渡墊片上測得的典型值
。最大R θJC = 1.2°C /W，脈沖持續(xù)時間≤100μs，占空比≤1％
< /small>
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD17559Q5 |
|---|
| 30 ? ? |
| Single ? ? |
| 1.5 ? ? |
| 1.15 ? ? |
| 400 ? ? |
| 39 ? ? |
| 9.3 ? ? |
| SON5x6 ? ? |
| 20 ? ? |
| 1.4 ? ? |
| 257 ? ? |
| 100 ? ? |
| Yes ? ? |
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