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CSD15571Q2 20V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD15571Q2

數(shù)據(jù):

描述

此NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載管理應(yīng)用中大大降低功率損耗。小外形尺寸無(wú)引線(SON)2mm x 2mm封裝提供針對(duì)封裝尺寸的出色散熱性能。

頂視圖R θJA = 50,這是在1平方英寸純銅(2盎司),厚度為.060“的環(huán)氧板( FR4)印刷電路板(PCB)上測(cè)得的值。脈沖持續(xù)時(shí)間10μs,占空比≤2%

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩級(jí)
  • 無(wú)鉛端子鍍層
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 無(wú)鹵素
  • 小外形尺寸無(wú)引線(SON)2mm×2mm塑料封裝

應(yīng)用范圍

  • 針對(duì)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
  • 存儲(chǔ),平板電腦和手持類器件
  • 針對(duì)控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
  • 負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器

<小>

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD15571Q2
20 ? ?
Single ? ?
19.2 ? ?
15 ? ?
52 ? ?
2.5 ? ?
0.66 ? ?
SON2x2 ? ?
20 ? ?
1.45 ? ?
22 ? ?
Yes ? ?

技術(shù)文檔

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