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數(shù)據(jù)： CSD17575Q3 30V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)
這款1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET功率MOSFET被設(shè)計成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。
頂視圖要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄.R θJA = 45°C /W，這是在一塊厚度為0.060英寸的FR4印刷電路板（ PCB）上的1平方英寸 2盎司銅過渡墊片上測得的典型值。最大R θJC = 1.5°C /W，脈沖持續(xù)時間≤100μs，占空比≤1％
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD17575Q3 |
|---|
| 30 ? ? |
| Single ? ? |
| 3.2 ? ? |
| 2.3 ? ? |
| 240 ? ? |
| 23 ? ? |
| 5.4 ? ? |
| SON3x3 ? ? |
| 20 ? ? |
| 1.4 ? ? |
| 182 ? ? |
| 60 ? ? |
| Yes ? ? |
型號：CSD17575Q3 封裝：VSON-CLIP8
品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A P=108W VSON-CLIP8
金額：￥3.86120
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