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數(shù)據(jù)： CSD18537NQ5A在標(biāo)題中添加了部件號(hào) 60V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. B)
這款10mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。
頂視圖要了解所有可用封裝，請(qǐng)見(jiàn)數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄.R θJA = 40°C /W，這是在一個(gè)厚度0.06英寸環(huán)氧樹(shù)脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的銅過(guò)渡墊片上測(cè)得的典型值
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD18537NQ5A | CSD18531Q5A | CSD18533Q5A | CSD18534Q5A | CSD18540Q5B |
|---|---|---|---|---|
| 60 ? ? | 60 ? ? | 60 ? ? | 60 ? ? | 60 ? ? |
| Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? |
| ? | 5.8 ? ? | 8.5 ? ? | 12.4 ? ? | 3.3 ? ? |
| 13 ? ? | 4.6 ? ? | 5.9 ? ? | 9.8 ? ? | 2.2 ? ? |
| 151 ? ? | 300 ? ? | 267 ? ? | 229 ? ? | 400 ? ? |
| 14 ? ? | 36 ? ? | 29 ? ? | 17 ? ? | 41 ? ? |
| 2.3 ? ? | 5.9 ? ? | 5.4 ? ? | 3.5 ? ? | 6.7 ? ? |
| SON5x6 ? ? | SON5x6 ? ? | SON5x6 ? ? | SON5x6 ? ? | SON5x6 ? ? |
| 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? |
| 3 ? ? | 1.8 ? ? | 1.9 ? ? | 1.9 ? ? | 1.9 ? ? |
| 54 ? ? | 134 ? ? | 103 ? ? | 69 ? ? | 221 ? ? |
| 50 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 50 ? ? | 100 ? ? |
| No ? ? | Yes ? ? | Yes ? ? | Yes ? ? | Yes ? ? |
型號(hào)：CSD18537NQ5A 封裝：VSONP8_4.9X5.75MM
品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=13mΩ@10V VSONP8
金額：￥3.20460
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