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CSD17579Q5A CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

數(shù)據(jù)： CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表

描述

這款30V，8.4mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。

特性

低Q _g和Q _gd
低R _DS（上）
低熱阻
雪崩額定值
無引引腳鍍層
符合RoHS環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
無鹵素
小外形尺寸無引線（SON）5mm x 6mm塑料封裝

應(yīng)用范圍

< ul>

用于網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)，電信和計(jì)算系統(tǒng)的負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器

針對(duì)控制場(chǎng)效應(yīng)應(yīng)晶體管（FET）應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化

< p> 所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
?

CSD17579Q5A
30 ? ?
Single ? ?
13.3 ? ?
9.7 ? ?
105 ? ?
5.4 ? ?
1.2 ? ?
SON5x6 ? ?
20 ? ?
1.5 ? ?
46 ? ?
25 ? ?
Yes ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）

CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表

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特性

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