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CSD23381F4 12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4

數(shù)據(jù):

描述

這款150mΩ,12V P通道FemtoFET金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)應(yīng)晶體管(MOSFET)已被設(shè)計且優(yōu)化,以最大限度地減少多種手持式和移動類應(yīng)用中的封裝尺寸。此技術(shù)能夠在將封裝尺寸至少減少60%的同時替代標(biāo)準(zhǔn)的小信號MOSFET。

特性

  • 超低導(dǎo)通電阻
  • 超低Q g 和Q gd
  • 高運行漏極電流
  • 超小封裝尺寸(0402外殼尺寸)
    • 1.0mm×0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度0.35mm
  • 集成型靜電放電(ESD)保護二極管
    • 額定值> 4kV人體放電模式(HBM)
    • 額定值>
    • 符合RoHS環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
    范圍
    • 針對負(fù)載開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化
    • 針對通用開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化
    • 電池類應(yīng)用
    • 手持式和移動類應(yīng)用

    所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD23381F4
-12 ? ?
-8 ? ?
Single ? ?
175 ? ?
300 ? ?
970 ? ?
-9 ? ?
-2.3 ? ?
1.14 ? ?
0.19 ? ?
0.3 ? ?
-0.95 ? ?
LGA 0.6x1.0 ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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