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此器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。
頂視圖R θJA = 119°C /W，這是在厚度為0.06英寸的環(huán)氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 2盎司銅過渡片上測(cè)得的典型值。脈寬≤10μs，占空比≤2％
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| ? |
| CSD25211W1015 |
|---|
| -20 ? ? |
| -6 ? ? |
| Single ? ? |
| 33 ? ? |
| 44 ? ? |
| -9.5 ? ? |
| -3.2 ? ? |
| 3.4 ? ? |
| 0.2 ? ? |
| 1.1 ? ? |
| -0.8 ? ? |
| WLP 1.0x1.5 ? ? |
型號(hào)：CSD25211W1015 封裝：DSBGA6
品牌：TI 描述：CSD25211W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
金額：￥1.60857
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