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      CSD25304W1015 CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款27mΩ，20V P通道器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的1.0mm×1.5mm小外形封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。

      頂視圖要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。器件在105oC溫度下運(yùn)行R θJA典型值= 165 °C /W，脈寬≤100μs，占空比≤1％

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 小封裝尺寸
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無鉛
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 芯片級封裝（CSP）1 x 1.5mm晶圓級封裝

      應(yīng)用范圍

      • 電池管理
      • 負(fù)載開關(guān)
      • 電池保護(hù)

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD25304W1015
      -20 ? ?
      -8 ? ?
      Single ? ?
      32.5 ? ?
      45.5 ? ?
      92 ? ?
      -41 ? ?
      -3 ? ?
      3.3 ? ?
      0.5 ? ?
      0.7 ? ?
      -0.8 ? ?
      WLP 1.0x1.5 ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
      元器件購買 CSD25304W1015 相關(guān)庫存

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