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數(shù)據(jù)： CSD75207W15 雙路 P 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)
CSD75207W15器件設(shè)計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。低導(dǎo)通電阻與小型封裝尺寸和低高度結(jié)合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運行的空間受限應(yīng)用。此器件也已經(jīng)被授予美國專利7952145,7420247,7235845和6600182.
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| ? |
| CSD75207W15 |
|---|
| -20 ? ? |
| -6 ? ? |
| Dual Common Source ? ? |
| 27 ? ? |
| 39 ? ? |
| 81 ? ? |
| -24 ? ? |
| -3.9 ? ? |
| 2.9 ? ? |
| 0.4 ? ? |
| 0.7 ? ? |
| -0.8 ? ? |
| WLP 1.5x1.5 ? ? |
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