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CSD25483F4 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET,CSD25483F4

數(shù)據(jù):

描述

這款210mΩ,20V P通道FemtoFET MOSFET被設(shè)計(jì)且被優(yōu)化,以最大限度地減少多種手持式和移動(dòng)類應(yīng)用中的封裝尺寸。這個(gè)技術(shù)能夠在將封裝尺寸至少減少60%的同時(shí),替代標(biāo)準(zhǔn)的小信號(hào)MOSFET。

特性

  • 超低導(dǎo)通電阻
  • 超低Q g 和Q gd
  • 高運(yùn)行漏極電流
  • 超小封裝尺寸(0402外殼尺寸)
    • 1.0mm×0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度0.35mm
  • 集成型靜電放電(ESD)保護(hù)二極管
    • 額定值> 4kV人體模型(HBM)
    • 額定值>
    • 符合RoHS環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
    • 范圍
      • 針對(duì)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
      • 針對(duì)通用開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
      • 電池類應(yīng)用
      • 手持式和移動(dòng)類應(yīng)用

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD25483F4 CSD25480F3 CSD25481F4 CSD25484F4
-20 ? ? -20 ? ? -20 ? ? -20 ? ?
-12 ? ? -12 ? ? -12 ? ? -12 ? ?
Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
245 ? ? 159 ? ? 105 ? ? 109 ? ?
390 ? ? 260 ? ? 175 ? ? 180 ? ?
1070 ? ? 840 ? ? 800 ? ? 825 ? ?
-6.5 ? ? -10.4 ? ? -10 ? ? -22 ? ?
-1.6 ? ? -1.7 ? ? -2.5 ? ? -2.5 ? ?
0.96 ? ? 0.7 ? ? 0.913 ? ? 1.09 ? ?
0.16 ? ? 0.1 ? ? 0.153 ? ? 0.15 ? ?
0.25 ? ? 0.26 ? ? 0.24 ? ? 0.35 ? ?
-0.95 ? ? -0.95 ? ? -0.95 ? ? -0.95 ? ?
LGA 0.6x1.0 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x1.0 ? ? LGA 0.6x1.0 ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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